Microchip制造通过新技术“超越极端”

制造商总是在寻找制作微芯片的方法,这些微芯片几乎是所有电子设备的基础,更便宜,更强大。现在,研究人员发现了制造更小的微芯片的新方法。 “公司拥有10到20年及以后的路线图,” […]

来源:宇宙杂志
10厘米的硅晶片,具有使用B-EUV光刻创建的大型可见图案。学分:约翰·霍普金斯大学(CC by)

制造商总是在寻找制作微芯片的方法,这些微芯片几乎是所有电子设备的基础,更便宜,更强大。现在,研究人员发现了制造更小的微芯片的新方法。

“公司拥有10到20年及以后的路线图,”美国约翰·霍普金斯大学化学与生物分子工程教授迈克​​尔·塔萨帕蒂斯(Michael Tsapatsis)说。

“一个障碍是在生产线上找到一个较小特征的过程,您可以快速照射材料,绝对精确地使过程经济。”

微芯片。

该过程称为“光刻”,涉及在硅摇动的顶部打印薄的光敏层或“抵抗”,并用高功率激光照射它。

这触发了抗性的化学和物理变化,将图案和循环燃烧到晶片中。所用的光的波长越短,可以蚀刻的图案越小。

当前,使用“极端紫外线图”(EUVL)生产最先进的微芯片,该图案可产生小于10nm的模式。这种令人难以置信的纳米量表与单个抗体(12nm)或细胞内的RNA分子(7nm)相同。

极端紫外线光刻

“While EUVL (13.5 nm) has become a leading candidate for sub-10-nm patterning in semiconductor fabrication, next-generation lithography tools are exploring even shorter wavelengths in the [beyond extreme ultraviolet lithography] range of 6.x nm (6.5–6.7 nm) to push resolution limits further,” writes Tsapatsis and collaborators in a paper published this week in Nature Chemical 工程。

自然化学工程。