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堆叠式 3D 芯片：更快人工智能和更智能技术的游戏规则改变者
工程师们开发出了一种激动人心的新技术，它可能会彻底改变计算机芯片的制造方式，从而实现更快、更高效的人工智能系统。随着电子行业达到芯片上晶体管数量的极限，研究人员正在转向一种新方法——向上而不是向外构建芯片。这个想法类似于 […]堆叠式 3D 芯片：更快人工智能和更智能技术的游戏规则改变者首先出现在 Knowridge Science Report 上。
来源:Knowridge科学报告工程师们开发出了一种激动人心的新技术，它可能会彻底改变计算机芯片的制造方式，从而实现更快、更高效的人工智能系统。
随着电子行业达到芯片上晶体管数量的极限，研究人员正在转向一种新方法——向上而不是向外构建芯片。
这个想法类似于用摩天大楼取代单层房屋，涉及将晶体管和半导体材料层堆叠在一起。
这种多层芯片可以处理更多数据并执行复杂功能，为先进的人工智能硬件铺平了道路。
目前，芯片建立在硅晶片上，硅晶片是其基底。然而，硅晶片厚而笨重，减慢了层间通信速度。
为了解决这个问题，麻省理工学院的工程师们开发出了一种新方法，完全消除了对硅晶片的需求。这项创新使芯片层能够更紧密地接触，从而实现更快、更高效的数据传输。
在发表于《自然》杂志的研究中，研究人员将高质量的半导体材料层直接堆叠在一起。
自然这些材料被称为过渡金属二硫属化物 (TMD)，是一种很有前途的硅替代品。与硅不同，TMD 即使在极小的规模下也能保持其性能，使其成为现代晶体管的理想选择。
研究人员克服了一个重大挑战：如何在低温下构建这些堆叠层。
高于 400 摄氏度的高温会损坏底层的精密电路。他们借用冶金学（金属科学）的技术，找到了一种在 380 摄氏度下生长 TMD 材料的方法。
这种新芯片设计消除了层间厚硅片的需求，而传统 3D 芯片则需要厚硅片。相反，堆叠的层可以直接通信，从而提高速度和效率。