详细内容或原文请订阅后点击阅览
已开发出直径为1 nm的纳米管
它们在未来的半导体电子学、高精度传感和量子物理研究中具有广阔的前景。
来源:OSP网站大数据新闻资料来源：Nakanishi 等人。 （CC-BY-ND）
在东京大学（日本），利用氮化硼保护管内的二硫化钼生长出高度均匀的直径为 1 nm 的纳米管。
研究作者在《科学》杂志上发表的一篇文章中表示，它们的出现证实了几十年前对超薄材料行为的理论预测，并为微型电子设备的开发开辟了新的机遇。
碳纳米管多年来一直受到特别关注，但一种新材料的出现可能会引起各种产品开发人员的兴趣。二硫化钼（MoS2）纳米管仍处于实验阶段，在半导体电子、高精度传感和量子物理研究方面非常有前景。
在东京大学，可以精确地合成具有原子水平规定的直径和结构的MoS2半导体纳米管。研究作者解释道，MoS2 纳米管被绝缘氮化硼 (BN) 纳米管包围的同轴结构是最先进的晶体管架构之一，其栅极横跨整个表面，并强调了实验证明带隙管直径的减小（这决定了材料作为半导体的行为），这与四分之一个多世纪前的预测一致。
利用BN纳米管有限空间内的化学反应合成了直径为1 nm、原子结构明确的单壁MoS2纳米管，“抑制”了MoS2纳米管的形成，促进了原子结构明确的排列，这是工程应用所需的。在传统的纳米管制造方法中，通常会得到以下结果：直径超过10纳米的多层同心管、控制不佳或不规则的原子结构。