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持续电流导致的设备故障导致可以改进微电子设备设计的发现
明尼苏达大学双城分校的研究人员领导的一项新研究为下一代电子产品（包括计算机中的内存组件）如何随着时间的推移而发生故障或性能下降提供了新的见解。了解性能下降的原因有助于提高数据存储解决方案的效率。
来源:英国物理学家网首页明尼苏达大学双城研究人员领导的一项新研究正在提供有关下一代电子产品（包括计算机中的内存组件）如何随着时间分解或退化的新见解。了解降解的原因可以帮助提高数据存储解决方案的效率。
该研究发表在ACS Nano中，并在《杂志》的封面上发表。
已发布 acs nano计算技术的进步继续增加对有效数据存储解决方案的需求。自旋磁隧道连接（MTJS） - 使用电子旋转来改善硬盘驱动器，传感器和其他微电子系统的纳米结构设备，包括磁随机访问记忆（MRAM） - 下一代内存设备的有希望的替代方案。
磁性隧道连接mtjs一直是智能手表和内存计算等产品中非易失性内存的基础，并有望提高AI中能源效率的应用。
非易失性内存 提高AI使用复杂的电子显微镜，研究人员查看了这些系统中的纳米柱，这些系统内的设备内非常透明，透明层。研究人员通过设备运行电流，以查看其运行方式。随着电流的增加，他们能够观察到设备如何实时降解和最终死亡。
“即使对于经验丰富的研究人员，实时传输电子显微镜（TEM）实验也可能具有挑战性，”明尼苏达大学化学工程和材料科学系论文和博士后研究助理Hwanhui Yun博士说。 “但是经过数十次失败和优化，始终产生了工作样本。”
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