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文字记录，“我们如何找到本·拉登：外国信号情报的基础知识”国家安全局 No Such Podcast 第 1 集 ~~开始文字记录~~ 乔恩·达比：奥萨马·本·拉登是 SIGINT 目标。我们过去确实使用卫星电话收集过他的一些信息。 娜塔莉·莱恩：必须追踪该信号。出于某种国家安全原因；而且它必须是外国信号。 乔恩·达比：我们认识到这是一个非常复杂的问题，我们无法独自完成。对于如此耸人听闻的故事，如果消息泄露，而他又在那个大院里，他很可能会离开。而且要再次找到他需要 10 年时间。 克里斯蒂·威克斯：欢迎收听另一集 No Such Podcast。我叫克里斯蒂·威克斯。我是你们的主持人之一，这是我的联合主持人。 卡姆·波茨：卡姆·波茨。克里斯蒂·威克斯：今天，我们邀请到 NSA 现任运营总监娜塔莉·莱恩和前运营总监乔恩·达比先生。欢迎。娜塔莉·莱恩：谢谢。克里斯蒂·威克斯：欢迎收听 No Such Podcast。娜塔莉，请介绍一下自己。娜塔莉·莱恩：好的。娜塔莉·莱恩，正如您所说，我 27 年前从私营企业加入 NSA。因此，我一直在现在的运营局工作，该局负责我们整个信号情报生产周期，我想我们今天将讨论这个主题。因此，大部分时间都在运营部门工作，但我也花了一些时间在大楼外，作为 NSA 驻五角大楼的代表之一，管理我们在海外的一个运营站点，并管理负责 NSA 以外所有外部合作的局。克里斯蒂·威克斯：好的。乔恩。乔恩·达比：好的，谢谢。我很荣幸来到这里并参与这次对话。我很感激。我必须说，作为前 NSA 员工，我说的任何话都是我个人的观点，而不是该机构的观点。所以我在情报界工作了 39 年。大部分时间都在 NSA 工作。作为情报界职业生涯的一部分，我曾在海外服役过一段时间。我做过很多不同的事情，包括从 9/11 到 2011 年的 10 年中大部分时间都在反恐领域工作。我最后四年半担任行动总监。
文字记录，“我们如何找到本·拉登：外国信号情报的基础知识”国家安全局 No Such Podcast 第 1 集 ~~开始文字记录~~ 乔恩·达比：奥萨马·本·拉登是 SIGINT 目标。我们过去确实使用卫星电话收集过他的一些信息。 娜塔莉·莱恩：必须追踪该信号。出于某种国家安全原因；而且它必须是外国信号。 乔恩·达比：我们认识到这是一个非常复杂的问题，我们无法独自完成。对于如此耸人听闻的故事，如果消息泄露，而他又在那个大院里，他很可能会离开。而且要再次找到他需要 10 年时间。 克里斯蒂·威克斯：欢迎收听另一集 No Such Podcast。我叫克里斯蒂·威克斯。我是你们的主持人之一，这是我的联合主持人。 卡姆·波茨：卡姆·波茨。克里斯蒂·威克斯：今天，我们邀请到 NSA 现任运营总监娜塔莉·莱恩和前运营总监乔恩·达比先生。欢迎。娜塔莉·莱恩：谢谢。克里斯蒂·威克斯：欢迎收听 No Such Podcast。娜塔莉，请介绍一下自己。娜塔莉·莱恩：好的。娜塔莉·莱恩，正如您所说，我 27 年前从私营企业加入 NSA。因此，我一直在现在的运营局工作，该局负责我们整个信号情报生产周期，我想我们今天将讨论这个主题。因此，大部分时间都在运营部门工作，但我也花了一些时间在大楼外，作为 NSA 驻五角大楼的代表之一，管理我们在海外的一个运营站点，并管理负责 NSA 以外所有外部合作的局。克里斯蒂·威克斯：好的。乔恩。乔恩·达比：好的，谢谢。我很荣幸来到这里并参与这次对话。我很感激。我必须说，作为前 NSA 员工，我说的任何话都是我个人的观点，而不是该机构的观点。所以我在情报界工作了 39 年。大部分时间都在 NSA 工作。作为情报界职业生涯的一部分，我曾在海外服役过一段时间。我做过很多不同的事情，包括从 9/11 到 2011 年的 10 年中大部分时间都在反恐领域工作。我最后四年半担任行动总监。
使用规范模型的第一集精神病患者的脑皮质厚度进行了10年的纵向研究
表1：参与者在三个时间点的人口统计。*：组对基线年龄有显着影响（F = 24.0 1,295，p <0.01）和12个月（F = 18.1 1,295，p <0.01）。其他人口统计学变量没有其他显着差异。基线12个月10年
肠道营养不良与第一集精神病的关联（...
摘要。肠道microbiota -brain轴是一个复杂的bidi剖面通信系统，将胃肠道与大脑联系起来。发现肠道microbobiota的平衡，组成和多样性（肠道断疾病）与精神病的发展有关。早期应激以及在不同发育阶段遇到的各种应激源，已被证明与肠道菌群的异常组成有关，从而导致不规则的免疫学和神经内分泌功能，这可能导致首发精神病（FEP）的发生。目前的叙述性综述的目的是总结患有FEP与健康对照的患者中微生物组组成改变的显着差异，并讨论其对FEP中症状的发生和强度的影响。
在交付期间的困难，脑心室增大和第一集的认知障碍
背景。患有精神病（FEP）第一事件的患者在疾病发作时表现出临床，认知和结构性脑异常。心室增大。产科异常性与患精神病的风险增加有关，也与齿状障碍和大脑结构异常有关。分娩过程中的困难与较高的出生窒息风险有关，导致大脑结构异常，例如与认知障碍有关的心室肿瘤。方法。，我们使用磁共振成像检查了142名FEP患者和123名健康对照参与者之间心室大小的差异。产科并发症。我们研究了两组的产科困难对心室大小的影响以及脑室大小与认知障碍之间的可能关系。结果。与健康对照相比， FEP患者的第三心室大小明显更大。 第三脑室增大与诊断（患者的较高体积）有关，在分娩过程中遇到困难（在有困难的受试者中较高），并且在分娩过程中遇到困难的患者中最高。 言语记忆与第三脑室与脑比显着相结合。 结论。 因此，产科综合可能会通过大脑结构的变化来促进精神病的发展。FEP患者的第三心室大小明显更大。第三脑室增大与诊断（患者的较高体积）有关，在分娩过程中遇到困难（在有困难的受试者中较高），并且在分娩过程中遇到困难的患者中最高。言语记忆与第三脑室与脑比显着相结合。结论。因此，产科综合可能会通过大脑结构的变化来促进精神病的发展。我们的结果表明，在分娩过程中的困难可能是精神分裂症历史上描述的心室增大的重要贡献。
年轻人的第一集轻度抑郁症是前...
此预印本版的版权持有人于2024年1月2日发布。 https://doi.org/10.1101/2024.01.01.24300688 doi：medrxiv Preprint
在第一集，治疗抑郁症的青少年中，异常的单受试者形态脑网络
1 1大脑研究与康复研究所，中国南部师范大学，广州510631，中国2个精神病学系，第一附属医院，医学院，惠江大学医学院，吉津大学310013，中国310013，中国310013中国510631教育部510631 5心理应用研究中心，中国师范大学，广州510631，中国6广东的心理健康与认知科学的关键主要实验室，广州510631，中国7 Zhejiang工程中心数学心理健康中心jinhui.wang.1982@m.scnu.edu.cn; Manli Huang，huangmanli@zju.edu.cn1大脑研究与康复研究所，中国南部师范大学，广州510631，中国2个精神病学系，第一附属医院，医学院，惠江大学医学院，吉津大学310013，中国310013，中国310013中国510631教育部510631 5心理应用研究中心，中国师范大学，广州510631，中国6广东的心理健康与认知科学的关键主要实验室，广州510631，中国7 Zhejiang工程中心数学心理健康中心jinhui.wang.1982@m.scnu.edu.cn; Manli Huang，huangmanli@zju.edu.cn
通过直接外延方法在单个芯片上单一集成了μLED/hemts microdsplay
基本上，微滤线的微型播放主要由µ LED阵列和电子零件组成，这些阵列和电子零件可电动驱动单个µ LED。当前，使用两种主要方法来整合µ LED阵列和电子零件。第一种方法是基于大规模转移技术的所谓“选择”，这意味着数百万的LED从晶片转移到晶体管背板，在晶体管背板上，非常高的精度约为1 µm，需要大量时间。结果，产率通常非常低，[13-16]，因此这种方法对于制造微型播放是不切实际的，尤其是对于AR/VR应用。第二种方法是基于翻转芯片键合技术，其中µ LED和CMO（用于电动驱动单个µ LED）分别制造，然后将其合并晶片键合在一起。[17]但是，值得强调的是，第二种方法面临着两个主要的挑战。第一个挑战是由于组装问题。由于需要通过CMOS CUIT来驱动单独的可寻址µ LED，因此采用了一种异质的集成方法，用于与电动驱动零件的Combine µ LED。[4,8–13]在这种情况下，仍然存在µ LED和CMO之间对齐的准确性问题，因此仍然限制了转移产量，然后增加了制造成本。第二个挑战是由于µ LED的光学性能降解，其中µ LED是通过光刻技术和随后的干蚀刻过程制造的。[4-11]在这种干蚀刻和随访过程中，引入了严重的损害，从而导致µ LED的光学表现严重降解。[18,19]此外，随着缩小LED的规模，该问题的严重程度进一步增强。[18-22]尽管采用了使用原子层沉积（ALD）技术的额外钝化过程，但[22,23]由于在干etter蚀过程中造成的不可逆损害，光学性能的恢复是微不足道的。因此，用于制造微型播放的这种杂基整合方法仍然远非令人满意。我们认为，电气驱动的µ LED和高电子迁移式晶体管（HEMT）的外延整合
通过直接外延方法在单个芯片上单一集成了μLED/hemts microdsplay
基本上，微滤线的微型播放主要由μLED阵列和电子零件组成，这些阵列和电子零件可电动驱动单个μLED。当前，使用两种主要方法来整合μLED阵列和电子零件。第一种方法是基于大规模转移技术的所谓“选择”，这意味着数百万的LED从晶圆转移到晶体管背板，在晶体管背板中，非常高的精度约为1 µm，需要大量时间。结果，产率通常非常低，[13-16]，因此这种方法对于制造微型播放是不切实际的，尤其是对于AR/VR应用。第二种方法是基于翻转芯片键合技术，其中μLED和CMO（用于电动驱动单个μLED）分别制造，然后将其合并晶片键合在一起。[17]但是，值得强调的是，第二种方法面临着两个主要的挑战。第一个挑战是由于组装问题。由于需要通过CMOS CUIT来驱动单独的可寻址LED，因此采用了一种异质的集成方法，用于与电动驱动零件的CombineμLED。[4,8–13]在这种情况下，仍然存在μLED和CMO之间对齐的准确性问题，因此仍然限制了转移产量，然后增加了制造成本。第二个挑战是由于μLED的光学性能降解，其中μLED是通过光刻技术和随后的干蚀刻过程制造的。[4-11]在这种干蚀刻和随访过程中，引入了严重的损坏，导致μED的光学效果严重降解。[18,19]此外，随着降低LED的尺寸，问题的严重程度进一步增强。[18-22]尽管采用了使用原子层沉积（ALD）技术的额外钝化过程，但[22,23]由于在干etter蚀过程中造成的不可逆损害，光学性能的恢复是微不足道的。因此，用于制造微型播放的这种杂基整合方法仍然远非令人满意。我们认为，电气驱动的LED和高电子迁移式晶体管（HEMT）的外延整合
单一集成的三个...
抽象是单层整体上的三级闸门驱动器和氮化剂高电子迁移式晶体管（GAN HEMTS），以防止错误的转机，减少反向传导损失和实现快速切换。所提出的栅极驱动器与提供负门电压的外部和集成电容器一起工作。整体集成使电源转换电路的尺寸较小，并且由于其较低的寄生虫而改善了电路性能。集成的MIM（金属绝缘子 - 金属）电容器可改善DV/DT免疫力。的测量结果表明，所提出的GAN-IC实现了3.7 ns t和6.1 ns t o的快速切换速度，并提高了SR降压逆变器的效率。关键字：Gan Hemt，整体集成，三级闸门驱动程序，错误的转机，反向传导损失，高速切换分类：电源设备和电路
INP高功率单一集成了可调的激光和SOA阵列，用于混合集成
摘要：我们提出了一个基于INP的光子积分电路（PIC），该电路（PIC）由广泛可调的激光主振荡器组成，该电路供应一系列集成的半导体光放大器，这些放大器是在单模式波导中进行干涉式芯片的。我们展示了稳定且有效的片上相干束组合，并从单片PIC中获得高达240 MW的平均功率，其中30-50 kHz Schawlow-townes线宽，并且在整个延伸的C波段中均具有> 180 MW的平均功率。我们还探索了基于INP的激光和放大器阵列PIC的混合整合，并具有高质量的氮化硅微孔谐振器。，我们根据来自硝基硅微孔子芯片的反馈形成的外部空腔中的外部空腔中的干涉放大器阵列的增益观察激光；这种配置导致Schawlow-townes线宽缩小到约3 kHz，在SIN输出方面的平均功率为37.9 MW。这项工作展示了一种用于高功率，狭窄线宽源的新方法，该方法可以与芯片单模波导平台集成，以用于非线性集成光子学中的潜在应用。