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抽象是单层整体上的三级闸门驱动器和氮化剂高电子迁移式晶体管(GAN HEMTS),以防止错误的转机,减少反向传导损失和实现快速切换。所提出的栅极驱动器与提供负门电压的外部和集成电容器一起工作。整体集成使电源转换电路的尺寸较小,并且由于其较低的寄生虫而改善了电路性能。集成的MIM(金属绝缘子 - 金属)电容器可改善DV/DT免疫力。的测量结果表明,所提出的GAN-IC实现了3.7 ns t和6.1 ns t o的快速切换速度,并提高了SR降压逆变器的效率。关键字:Gan Hemt,整体集成,三级闸门驱动程序,错误的转机,反向传导损失,高速切换分类:电源设备和电路

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