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World File Search System三层
根据BET方程计算的表面积如何可重现？基于离子电活性聚合物的三层微型演员的建模，分析和表征
在本文中，基于离子电活性聚合物（IEAP）的三层微型激活器的电响应考虑了在微实施行为中出现的某些现象。分析了对充电和排放过程中测得的电流的详细研究。研究了简化的等效电路的电荷，时间构成，电容和电阻。结果表明，微型演员表现出低于1 V的施加电压的线性行为。除此之外，非线性出现并与放电过程有关，尤其是以非线性方式增加的相应电阻。在此阶段，取决于先前施加的电压的累积电荷在放电过程中未完全恢复。这项研究的结果通过实验和理论结果进行了说明。
三层镍中密度波不稳定性的起源...
在以相互交织的电子订单和超导性为特征的非常规超导体的错综复杂的相图中，了解超导机制的关键步骤是研究超导性通过掺杂或压力出现超导性的母体化合物。在这项研究中，我们采用了光谱和超快反射率测量，以检查三层镍镍4 Ni 3 O 10中的密度波不稳定性，它显示出高达30 K的压力诱导的超导性。我们的光学频谱测量表明，La 4 Ni 3 O 4 ni 3 O 10具有高pLASMA频率的金属。冷却后，我们观察到在光学电导率和泵探针测量中，密度波能隙的明显形成。与双层镍LA 3 Ni 2 O 7相比，间隙特征更为明显。通过将实验确定的等离子体频率与第一原理计算进行比较，我们将LA 4 Ni 3 O 10分类为一种中等电子相关的材料，类似于基于铁的超导体的母体化合物，但与Bielayer NikeLate La 3 Ni 2 O 7相比表现出较弱的相关性。LA 4 Ni 3 O 10中增强的间隙特征和较弱的电子相关性可能解释了其在高压下的较低的超导性过渡温度。这些发现显着提高了我们对三层镍LA 4 Ni 3 O 10中密度波和超导性机制的理解。
三层物联网架构中的后量子身份验证和完整性
物联网 (IoT) 是一个不断发展的技术领域，已被确定为增强行业运营和性能的关键工具。随着物联网在全球范围内的部署，威胁也在不断增加；因此，安全性，尤其是身份验证和完整性，是一个关键的考虑因素。未来的一个重大威胁是量子攻击，只有使用后量子 (PQ) 密码系统才能击败它。美国国家标准与技术研究所 (NIST) 已选定用于 PQ 安全性的新型数字签名 (DS) 标准。然而，物联网有其自身的技术挑战，因为分配给传感器和其他类似设备的资源有限。因此，这些 PQ 方案在物联网中的使用和适用性仍然是一个开放的研究领域。在本文中，我们确定了一个由三个不同层构建的物联网架构，分别由服务器、网关和物联网设备表示。我们首先测试 PQ DS 方案标准并将其与当前标准进行比较，以评估它们在此架构中提供身份验证和完整性的实用性。然后，根据相应设备（服务器、网关、物联网设备）的特点和安全属性（认证、完整性）在每一层选择最合适的PQ方案。最后对所选择方案进行实验，并给出使物联网通信和交互PQ安全的架构模型。
加压三层镍Pr 4 ni 3 O 10
Enkang Zhang 1,2 † , Di Peng 3 † , Yinghao Zhu 1 † , Lixing Chen 1 , Bingkun Cui 1 , Xingya Wang 4 , Wenbin
G4-DNA和G4-RNA在类开关重组中的作用以及B淋巴细胞中的其他法规 基于氨基吡咯支架的HIV-1核素蛋白的一类有效抑制剂 具有有限容量能量队列的多类能量数据包网络 多电源EM免疫的实验表征 根据BET方程计算的表面积如何可重现？ 基于离子电活性聚合物的三层微型演员的建模，分析和表征
摘要：成熟的B细胞通过类开关重组（CSR）显着使免疫球蛋白（IG）生产多样化，从而允许遥远的“开关”区域的连接。CSR是由Activation诱导的脱氨酶（AID）启动的，该酶（AID）靶向在转录的靶向S区域的单链DNA中充分暴露的细胞糖苷，具有对WRCY基序的特定亲和力。在MAM-MALS中，富含G的序列还存在于S区域，形成有利于CSR的规范G-四链体（G4S）DNA结构。与G4-DNA（G4配体）相互作用的小分子被证明能够在B淋巴细胞中调节CSR，这要么积极地（例如核苷二磷酸激酶同工型）或负面的（例如RHPS4）。G4-DNA也与转录的控制有关，由于它们对CSR和转录调控的影响，富含G4的序列可能在B细胞恶性肿瘤的自然史上起作用。由于G4-DNA位于基因组中的多个位置，尤其是在癌基因启动子中，因此尚待澄清它如何更具体地促进生理学中的合法CSR，而不是致病性易位。G4结构在转录DNA和/或相应的转录本和重组中的特定调节作用似乎是理解免疫反应和淋巴结发生的主要问题。
螺旋三层石墨烯
Z. Zhu和al。PRB（2020）N。Nakatsuji和Al。 PRX（2023）T。Devacul和Al。 SCI。 adv。 （2023）L.Q. Xia和Al。 arx2310,12204原子：PRB（2020）N。Nakatsuji和Al。PRX（2023）T。Devacul和Al。 SCI。 adv。 （2023）L.Q. Xia和Al。 arx2310,12204原子：PRX（2023）T。Devacul和Al。SCI。 adv。 （2023）L.Q. Xia和Al。 arx2310,12204原子：SCI。adv。（2023）L.Q.Xia和Al。 arx2310,12204原子：Xia和Al。arx2310,12204原子：
在加压三层中超导性的签名 -
日期：2024年10月10日摘要在LA 3 Ni 2 O 7中发现高温超导性，在压力下发现LA 4 Ni 3 O 10引起了广泛的关注。在此，我们报告了有关在各种压力下的结构，磁性和电阻的演变的系统研究。pr 4 ni 3 O 10-δ分别在约158 K和4.3 K处表现出在Ni和Pr sublattices上的密度波变变，并且可以通过压力逐渐抑制密度波。从单斜p 2 1 / a空间群到四方I 4 / mmm的结构转换发生在20 GPA左右。明显的磁场依赖性的电阻下降被观察到高于20 GPA的压力，表明PR 4 Ni 3 O 10-δ多晶样品中超导性的出现。在PR 4 Ni 3 O 10-δ中发现超导性的特征扩大了镍超导体的家族，并提供了一个新的平台，用于研究镍盐ruddlesden-Popper阶段中超导性的机理。1简介
通过化学去角质的Ti4au3c3的合成及其衍生的三层质量
但是，当将AU的其他层插入结构中时，会出现平面外AU-AU相互作用。超出了三层AU配置，对于中间的AU层，平面外AU-AU相互作用发生而无需直接键入Ti。这对粘结产生了积极影响，如图2C，其中综合部分晶体轨道汉密尔顿人口（IPCOHP）随着其他AU层而增加。分析图2D表明，Ti-AU相互作用也受益于多个AU层的存在。图2D进一步证明，Ti 4 Au 3 C 3中的三层AU提供了最大的个人贡献。这是通过图中所示的键长2e，其中Ti-au和au-au键（与Ti层相邻）对于Ti 4 Au 3 C 3最短，表明
在压力下，通过电子掺杂在三层镍中通过电子掺杂增强了S±波超导性的预测
是由最近报道的Trilayer LA 4 Ni 3 O 10在压力下的超导性的签名的动机，我们使用从头算和随机相近似技术全面研究了该系统。没有电子相互作用，NI D 3 z 2-r 2轨道显示通过op z轨道构成键合 - 抗抗反向和非键的分裂行为，这些轨道在La 4 Ni 3 O 10中诱导“ Trimer”晶格，类似于La 3 Ni 2 O 7的二聚体。费米表面由三个具有混合e轨道的电子纸组成，一个由D 3 z 2-r 2轨道组成的孔和电子袋组成，这表明Ni两轨最小模型。另外，我们发现由于M¼ðπ之间的部分嵌套，在S波通道中诱导了超导配对。以γ¼d为中心的费米表面的中心口袋和部分； 0Þ点。随着电子密度n的变化，S不稳定性保持领先，其配对强度显示出最大n¼4左右的Domelike行为。2（〜6。7％电子掺杂）。超导不稳定的消失在与新的1313堆叠La 3 ni 2 O 7中相同的电子密度消失，这与三层sublattice产生的孔口袋消失有关，这表明La 3 Ni 2 O 7的高t c超导性不源自trililayer and Monolayer and Monolayerererererereraner和monlayerererererereraner和mon。此外，我们在LA 4 ni 3 O 10中确认了拟议的自旋状态，其平面内（π，π）顺序（π，π）和底部Ni层之间的抗铁磁耦合，中间层中的旋转零。
电子结构，自兴奋剂和超导不稳定在交替的单层三层堆积镍镍$ {\ rm la} _3 {\ rm ni} _2 _2 {\ rm ni} _2 {\ rm o}
是由最近提出的镍3 ni 2 o 7交替交替的单层三层堆叠结构的动机，我们使用从头开始和随机相近似技术全面研究了该系统。我们的分析揭示了这种新颖的LA 3 Ni 2 O 7结构与其他Ruddlesden-Popper镍超导体（例如类似的电荷转移差距值和E G轨道的轨道选择性行为）之间的相似性。压力主要增加了ni g波段的带宽，这表明这些E G状态的巡回特性提高了。通过将细胞体积比0从0.9更改为1.10，我们发现La 3 Ni 2 O 7中的双层结构总是比单层三层堆叠LA 3 Ni 2 O 7具有低的能量。此外，我们观察到从三层到单层sublattices的“自我兴奋剂”效应（与整个结构的每个位置的平均每个位置的1.5电子相比，相比之下），通过总体电子掺杂，这种效果将增强。此外，我们发现了一个限制在单层的d x 2 -y 2波配对状态。由于单层之间的有效耦合非常弱，因此由于中间的非耐受性三层，这表明该结构中的超导过渡温度t c应远低于双层结构中。