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World File Search System二极管
调查SIC MOSFET身体二极管反向恢复和快速恢复条件
益生菌近年来由于其潜在的健康益处及其在促进平衡的肠道微生物组中的作用而引起了显着关注。该主题旨在研究益生菌的应用及其对人类健康的广泛影响。20世纪见证了益生菌研究的重大转变，从科学家Elie Metchnikoff的开创性工作开始。他假设在发酵乳制品中通常发现的乳酸细菌的消耗可以通过调节肠道菌群来赋予健康受益。他的开创性思想为进一步的科学询问铺平了道路。最近，已经开发了创新方法来发现可能对人类和牲畜动物都有利益的菌株[1-3]。可以使用表型测试来评估被视为益生菌的菌株的必要特征，例如对胆汁盐的抗性，对氧化应激的细胞保护作用以及对病原体的抑制[4-7]。此外，似乎人工智能算法可以通过确定tRNA序列中的信息含量作为益生菌表征的关键基因组特征来识别新益生菌，并将其与人类肠道中的病原体区分开来[8]。此外，事实证明，转录组分析对于评估某些益生菌菌株（如rhamnosus rhamnosus scb0119）所表现出的潜在抗菌机制非常有价值[9]。益生菌最吸引人的方面之一是它们调节象征系统的潜力。cremoris和L. paracasei subsp。研究表明，某些益生菌菌株可以增强先天和适应性免疫反应。这种调节可能对从过敏到自身免疫性疾病的状况具有深远的影响，为治疗干预提供了有前途的途径。例如，用L. reuteri治疗可以调节肠道微生物组成并增强色氨酸代谢，从而导致芳基烃受体配体的产生，包括吲哚乳酸和吲哚 - 丙酸。这些配体激活AHR信号，有效地降低了异常的Th2型反应，并被证明是减轻特应性皮炎的有效替代方法[10]。此外，乳腺乳酸亚生成菌的热杀死混合物的给药。paracasei证明了免疫T细胞平衡的调节和带有家用尘螨提取物引起的特应性皮炎的小鼠的IgE产生的抑制，从而减少了相关症状[11]。几项研究表明，不仅细菌细胞本身，而且它们的上清液产物，还通过刺激巨噬细胞中的吞噬细胞来诱导免疫调节活性，从而增强免疫调节剂的表达，例如NO，TNF-Alpha，TNF-Alpha，IL-6，Inos和Cox-2 [12] [12]。此外，已经证明某些益生菌菌株能够在粘膜部位施加其免疫调节特性，包括生命和灭活时。例如，看来MBF蛋白与这些菌株诱导的免疫生物效应并不涉及，从而提供了相等的保护侵害症状[13]。益生菌在管理各种胃肠道疾病方面表现出了巨大的希望。诸如肠易激综合征，炎症性肠病等疾病，
计算和实验性搜索潜在的聚苯二极管k-ion阴极材料
完整的作者列表：王，金阳；加利福尼亚大学伯克利分校，材料科学与工程； E O Lawrence Berkeley国家实验室，本恩；加利福尼亚大学伯克利分校，材料科学与工程Kim，Hyunchul；加利福尼亚大学伯克利分校，材料科学田，Yaosen；加利福尼亚大学伯克利分校，材料科学与工程；劳伦斯·伯克利国家实验室，材料科学Ceder，Gerbrand；加利福尼亚大学伯克利分校，材料科学与工程；劳伦斯·伯克利国家实验室，材料科学系金，海耶姆；劳伦斯·伯克利国家实验室，物质科学部
使用范德华异质结二极管检测和控制通过纳米孔的 DNA 转运
固态纳米孔传感的一个长期未实现的目标是在转位过程中实现 DNA 的平面外电传感和控制，这是实现碱基逐个棘轮的先决条件，从而实现生物纳米孔中的 DNA 测序。二维 (2D) 异质结构能够以原子层精度构建平面外电子器件，是用作电传感膜的理想但尚未探索的候选材料。在这里，我们展示了一种纳米孔架构，使用由 n 型 MoS 2 上的 p 型 WSe 2 组成的垂直 2D 异质结二极管。该二极管表现出由离子势调制的整流层间隧穿电流，而异质结势则相互整流通过纳米孔的离子传输。我们同时使用离子和二极管电流实现了 DNA 转位的检测，并展示了 2.3 倍的静电减慢的转位速度。封装层可实现稳健的操作，同时保留用于传感的原子级锐利 2D 异质界面的空间分辨率。这些结果为单个生物分子的非平面电传感和控制建立了范例。
三端约瑟夫森连接中普遍二极管效应的理论
我们从理论上研究了三端约瑟夫森连接中的超导二极管效应。超导系统中的二极管效应通常与在相反方向流动的电流的临界电流存在差异有关。我们表明，在多末端系统中，这种效果自然发生，而无需任何自旋相互作用，这是由于携带超恒星的Andreev结合状态之间存在相对移位的结果。在一个三末端交界处的示例中，我们证明了一个超导接触中的非重点电流可以通过对其他触点的适当相位偏置来诱导，前提是系统中至少有两个Andreev绑定状态，并且系统的对称性被打破。在描述短期和长时间连接的数值模型中证实了此结果。通过优化连接点的几何形状，我们表明已实现的超导二极管的效率超过35％。我们将预测与对多末端连接的最新实验相关联，在该实验中，观察到非相互超电流。
量子自旋霍尔绝缘子的超导二极管效应基于约瑟夫森连接
超导二极管效应（SDE）是一种磁电现象，其中外部磁场将非零的质量中心动量赋予库珀对，以促进或阻碍根据其方向促进超级电流的流动。我们提出，基于量子的自旋霍尔绝缘子（QSHI）的约瑟夫森连接器可以用作非隔离电子设备的多功能平台，当通过相位偏置和非平面磁场触发时，该平台表现出SDE。通过计算Andreev结合状态和准颗粒状态的连续体的贡献，我们提供了数值和分析结果，审查了SDE的各个方面，包括其质量Q因子。发现Q因子的最大值在低（零）温度下是通用的，它的起源与独立于交界处的特定细节的潜在拓扑特性相关。随着磁场的增加，由于轨道效应引起的诱导超导间隙的关闭，SDE减小了。要观察SDE，必须设计基于QSHI的Josephson结，以使其边缘具有不务件的运输。此外，我们在一个更具异国情调但现实的场景中探索了SDE，在驱动电流时，约瑟夫森交界处的典型地面态奇偶校仍然保守。在这种4π的周期情况下，我们预测SDE的增强是与其2π-周期性的，平等无限的对应物相比的增强。
金刚石 pn 结二极管贝塔伏打电池性能的温度依赖性
摘要 — 评估了金刚石 pn 结贝塔伏特电池能量转换效率的温度依赖性。我们制造了伪垂直金刚石 pn 结二极管，并表征了其在 5-300 K 电子束辐照下的能量转换效率。金刚石 pn 结二极管在 150-300 K 时的能量转换效率为 18-24%，是硅 PiN 二极管的两倍多。另一方面，在 100 K 以下，由于金刚石的串联电阻增加，二极管的能量转换效率显着下降。在 150K 以上，金刚石 pn 结二极管的能量转换效率的温度依赖性小于硅二极管，这将使金刚石 pn 结贝塔伏特电池成为一种有前途的装置，用于在除低温区域以外的宽温度范围内进行遥感设备的能量收集。
一种高度兼容 CMOS 的氧化铪基铁电二极管
为了解决“存储墙”问题，人们迫切需要具有高速度和高密度的存储设备。在这里，我们展示了一种高度可扩展的三维可堆叠铁电二极管，其整流极性由 Hf 0.5 Zr 0.5 O 2 薄膜的极化反转调制。通过利用原子分辨率球差校正 STEM 可视化铪/锆晶格序和氧晶格序，我们揭示了 Hf 0.5 Zr 0.5 O 2 薄膜的自发极化与氧原子位移之间的相关性，从而明确地识别出 Hf 0.5 Zr 0.5 O 2 薄膜中的非中心对称 Pca2 1 正交相。我们进一步在 8 层 3D 阵列中实现了这种铁电二极管。演示了高达 20 ns 的运行速度和超过 10 9 的耐用性。超过 100 的内置非线性保证了其自选择特性，从而无需使用外部选择器来抑制大阵列中的漏电流。这项工作为未来存储器层次结构的演进开辟了新的机会。
室温激子 - 二极管在硅偏移中从连续体中出现的硅元素
在支持所谓的表面晶格共振（SLR）的光学元面积中。5，10后者提供了在大面积上易于制造的优势，并且可能在集成光子学中使用。与原子的气体（BEC的原始平台）相反，11个激子北极星的寿命很短。这些短寿命限制了基态的EP密度的堆积，从而导致凝结阈值增加。因此，EP凝结需要强大的激光系统来产生足够高的激子并达到阈值，这使得Polariton激光不适合大多数应用。在本文中，我们通过显着降低由硅（SI）跨表面形成的全电腔中的损耗来证明较低的阈值EP构度，从而增加了EP寿命。最近的努力成功地通过取代支持MIE-SLR的低损坏介电元表面的等离子介电元表面来减少凝结阈值。12由于SLR的高Q因子（400 - 700），部分原因是材料损失的减少，凝结阈值显着降低。在这里，我们通过
通过阻抗测量值对Algan/GAN自切换二极管中陷阱状态的分析
在过去的几年中，基于Algan/GAN异质结构的设备因其物质特性而受到了极大的关注，包括宽带，高电子迁移率和二维电子气体（2DEG）的高密度，使其成为高功率和高频应用的最佳选择之一。然而，在散装或表面上存在几个不同性质的陷阱，阻碍了这些设备的性能，其行为的不良变化并限制了其可靠性[1]。捕获gan设备中的效果是显着的，这是两个有趣的原因。首先，它们可以通过捕获电子来耗尽2DEG，从而减少电流。第二，它们的缓慢性质会导致频率分散，从而限制了它们的动态性。最近，已经使用了多种技术来研究捕获机制的行为[2-4]，这是由阻抗测量组成的最流行方法之一，允许查找电荷陷阱的激活能（E A）。晶体管中的表面和散装陷阱通常与经典的小信号等效电路并行或串联为RC电路建模，从而捕获设备输出阻抗的频率分散体。为了确定陷阱的参数，必须以广泛的温度（首先进行）进行AC表征，因为陷阱机制的影响在降低温度时会增加，其次，因为人们可以观察到电荷释放的热激活。
加利福尼亚大学，伯克利大学电气工程与计算机科学系EECS EECS 40秋季摘要
加利福尼亚大学伯克利工程学院2003年秋季第40周的第8周摘要（通过Farhana Sheikh）电路分析涉及非线性元素§§由于PN连接在本质上是非线性的，因此由PN连接分析产生的电路元素很复杂：例如。i d = i s [exp（qv d /kt）-1]§我们通常通过采用简化的非线性设备模型来简化分析（例如< /div>理想的二极管模型，大信号二极管模型）§图形方法还可以帮助用非线性元素完美整流器模型（理想二极管）分析电路的I-V特征，用于完美的直流或理想二极管的I-V特征。如果相对于所示的参考方向跨二极管施加了负电压，则二极管不会导致任何电流，并且二极管的行为作为开路。二极管被称为“反向偏见”。如果将正电流应用于二极管相对于参考方向，则二极管的行为作为短路，并通过零电压下降的任何电流。