在欧洲航天局资助的一项计划下,一种新型激光二极管模块已经创建并按照符合 ESCC-23201 的空间标准进行了测试。该模块由 Gooch & Housego 制造,即将进入欧洲航天市场,用于光信号处理和电信系统。发射来自 1550nm DFB 半导体激光二极管,该二极管以恒定的标称电流和温度驱动。结合优于 ±0.1nm 的波长稳定性和高达 3.2GHz 的内部数据速率,创新的子设计和封装提供了独特的功率能力,包括初始光纤功率 >90mW,典型电功耗 <4.1W,降至同类产品的 25%。AdvEOTec(法国)的验证测试表明,该产品符合一系列全面的航天标准,例如质子辐照、湿度、热/冷存储、快速减压、振动和 1,000g 冲击,以及对 ±8kV ESD、10 -5 mbar 真空和 100krad 伽马辐照的免疫力。Thales Alenia Space(法国)建立的寿命测试建模和生产筛选独特方法暂时确认了 15 年的航天标准使用寿命。所展示的航天标准产品旨在至少供应 5 年。
金属卤化物钙钛矿发光二极管 (PeLED) 具有宽色域、高发光效率和低成本合成等特点,是下一代显示应用的有前途的光子源。自 2014 年首次展示室温发射的 PeLED 以来,其性能在几年内迅速提高,引起了学术界和工业界的广泛关注。在这篇综述中,我们讨论了 PeLED 在商业显示应用中的主要技术瓶颈,包括大面积 PeLED 制备、图案化策略和柔性 PeLED 设备。我们回顾了实现这些目标的技术方法,并强调了当前的挑战,同时对这些钙钛矿材料和 PeLED 设备进行了展望,以满足下一代高色纯度全彩显示器市场的需求。
钙稳态和胎儿骨发育,但同时也暗示了许多生物学功能作为激素。7因此,许多研究强调了其在怀孕期间的骨骼和非骨骼作用,例如胎儿植入以及胎盘形成和功能8或肺活性。9 - 11有趣的是,VD对于大脑发育也很重要,尤其是在多巴胺系统上,轴突连通性和神经元差异。12在过去的十年中,几项研究暴露了妊娠VD缺乏症(VDD)对脑部开发的不利序列和生命后期神经疾病的发作。本综述的目的是评估母体VDD对春季神经发育及其长期神经系统后果的影响的现有证据。
在过去的十几年中,β-Ga 2 O 3 器件特别是肖特基势垒二极管(SBD)发展迅速,性能得到显著提高,目前已接近SiC和GaN的性能[7−12]。目前大面积器件的研究主要集中在与边缘终端的结合[13−16],用于大电流应用的基线器件或称无终端SBD很少研究。我们最近的工作表明,通过界面工程可以大大提高小面积SBD的性能[11],这为大面积器件的发展带来了机会。具有无终端的高性能SBD或许更能体现Ga 2 O 3 SBD的应用潜力。总之,Ga 2 O 3 SBD的应用更为成熟,其应用潜力有待进一步论证。
PIST 失败 STPS20100 (QPL) 75% 80% 100% STPS1045 (QPL) 100% STPS6045 (QPL) 100% 75% STPS40100 (QPL) 70%* 75% 100% STPS3045 (NEW) < 50%** 50% 78% 78% 100% STPS20200 (NEW) 50% 75% 75% 100% STPS61170C (NEW) 40% 50% 76% 44% 59% STPS40H100 (NEW) 50% 65% 80% 75% 100% *2 部件通过 75% **未经测试
在支持所谓的表面晶格共振(SLR)的光学元面积中。5,10后者提供了在大面积上易于制造的优势,并且可能在集成光子学中使用。与原子的气体(BEC的原始平台)相反,11个激子北极星的寿命很短。这些短寿命限制了基态的EP密度的堆积,从而导致凝结阈值增加。因此,EP凝结需要强大的激光系统来产生足够高的激子并达到阈值,这使得Polariton激光不适合大多数应用。在本文中,我们通过显着降低由硅(SI)跨表面形成的全电腔中的损耗来证明较低的阈值EP构度,从而增加了EP寿命。最近的努力成功地通过取代支持MIE-SLR的低损坏介电元表面的等离子介电元表面来减少凝结阈值。12由于SLR的高Q因子(400 - 700),部分原因是材料损失的减少,凝结阈值显着降低。在这里,我们通过
高效有机发光二极管 (OLED) 通常由多层堆栈组成,包括电荷传输层、电荷和激子阻挡层,以将电荷复合限制在发射层内。本文展示了一种基于热激活延迟荧光的高度简化的单层蓝光 OLED,其发射层简单地夹在由聚合物导电阳极和金属阴极组成的欧姆接触之间。单层 OLED 的外部量子效率为 27.7%,高亮度下滚降很小。内部量子效率接近 1,表明高度简化的无限制层单层 OLED 可以实现最先进的性能,同时大大降低设计、制造和设备分析的复杂性。
摘要:宽带隙半导体,例如氧化镓 (Ga 2 O 3 ),因其在下一代高功率电子器件中的应用而备受关注。尽管单晶 Ga 2 O 3 衬底可以常规地从熔体中沿各种取向生长,但关于这些取向的影响的报道却很少。此外,由于缺乏 p 型掺杂,用 Ga 2 O 3 制造整流 pn 二极管一直很困难。在本研究中,我们通过改变以下三个因素在 β-Ga 2 O 3 上制造和优化了 2D/3D 垂直二极管:衬底平面取向、2D 材料选择和金属触点。使用高温相关测量、原子力显微镜 (AFM) 技术和技术计算机辅助设计 (TCAD) 模拟验证了我们的设备的质量。我们的研究结果表明,2D/3D β-Ga 2 O 3 垂直异质结通过基底平面取向(-201)进行优化,结合 2D WS 2 剥离层和 Ti 接触,并显示出记录的整流比(> 10 6 )同时具有导通电流密度(> 10 3 A cm -2 ),可用于功率整流器。
说明 保修:材料和工艺缺陷保修一年,包括零件和人工。所有规格均在环境温度为 25°C 的自由空气环境中测量。由于电阻器 R1 和 R2 会产生约 3.7 W 的不必要的最坏情况热源,因此我们建议使用至少 17.66 CFM 的气流源对 PC 板进行空气冷却。排气理想情况下应位于 R1 和 R2 后面,以便热气流直接排出,而不会穿过模块。当以高于 3 A 的频率运行且频率大于 600 kHz 时,以及/或者当此模块在可能积聚热量的密闭区域中运行时,尤其建议使用这种额外的冷却。通常,用户应留出 15 分钟的预热时间以获得更稳定的输出。通过添加如上所述的气流冷却源可以大大提高稳定性。所有电气测量均在驱动短路负载时通过电流监视器连接进行。规格如有更改,恕不另行通知。
