XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search System亚带隙
预测ABN3 perovskites的带隙-RSC Publishing探索具有单端的o-donor配体
具有氧配体的锰配合物主要由较高氧化态的氧化物种（包括氧化物配体）支配，而碱性或羧酸盐是下氧化态的首选配体。14,23,24，以防止聚集并能够形成单核复合物，笨重的烷氧化物配体以及uorated的配体，构成了合适的配体Sca效应。25,26在这方面，pentauorothotoltotellate群（teAte，otef 5）也具有独特的可能性，因为它提供了一个O-Donor配体系统，其易于桥接金属中心的趋势。27,28与uoride相似的电子吸引力的特性使我们设想了使用这种单次配体的可能性，用于合成含有MN - O键的前所未有的均匀的单核锰化合物的合成，这将是良好的低迷低位的类似物。18
高级模拟集成电路设计
（如面向本科生开放，请注明区分内容。 If the course is open to undergraduates, please indicate the difference. ） 本课程主要讲授高级模拟集成电路设计的重要概念、基本模块与系统的分析与设计，具体内容包括晶 体管模型、噪声分析、模拟版图、运算放大器、偏置和带隙基准参考电路、连续与离散模拟滤波器、 模数转换器和数模转换器。学生将学习现代模拟集成电路中的重要概念，培养初步的分析和设计能 力，了解基本模块和系统的分析方法和设计流程。 This course provides a comprehensive introduction to various aspects of advanced analog integrated circuits design, including transistor models, noise analysis, analog layout, feedback, stability, operational amplifiers, and bias and bandgap voltage reference circuits. Specific topics will include analog filtering (continuous-time and discrete-time), analog-to-digital converters, and digital-to-analog converters. Students will learn to understand the concepts in modern analog integrated circuits, cultivate preliminary analysis and design capabilities, understand the analysis method and design process of the basic modules.
利用三角碳化硅结构中的光子带隙实现高效的量子纳米光子硬件
碳化硅因其色心缺陷的长自旋相干性和单光子发射特性而成为领先的量子信息材料平台之一。碳化硅在量子网络、计算和传感中的应用依赖于将色心发射有效收集到单一光学模式中。该平台的最新硬件开发专注于角度蚀刻工艺，以保留发射器特性并产生三角形设备。然而，人们对这种几何结构中的光传播知之甚少。我们探索了三角形横截面结构中光子带隙的形成，这可以作为开发碳化硅中高效量子纳米光子硬件的指导原则。此外，我们提出了三个领域的应用：TE 通滤波器、TM 通滤波器和高反射光子晶体镜，可用于高效收集和传播光发射模式选择。
xps的椭圆法和能量损失光谱的杂交用于带隙和光学常数测定sion薄膜中的
Joao Resende，David Fuard，Delphine Le Cunff，Jean-Herve Tortai，Bernard Pelissier。Hy-hy-hy-Bridations和XPS的能量损失光谱用于带隙和光学常数测定sion薄膜中。材料化学与物理学，2020，259，pp.124000。10.1016/j.matchemphys.2020.124000。hal-03017737
利用三角碳化硅结构中的光子带隙实现高效的量子纳米光子硬件
由于其色心缺陷具有长自旋相干性和单光子发射特性，碳化硅成为领先的量子信息材料平台之一。碳化硅在量子网络、计算和传感中的应用依赖于将色心发射高效收集到单一光学模式中。该平台的最新硬件开发专注于角度蚀刻工艺，以保留发射极特性并产生三角形器件。然而，人们对这种几何结构中的光传播知之甚少。我们探索了三角形横截面结构中光子带隙的形成，这可以作为在碳化硅中开发高效量子纳米光子硬件的指导原则。此外，我们提出了三个领域的应用：TE 通滤波器、TM 通滤波器和高反射光子晶体镜，它们可用于高效收集和传播光发射模式选择。
碳化硅和其他宽带隙材料
《材料》（ISSN 1996-1944）于 2008 年创刊。该期刊涵盖 25 个综合主题：生物材料、能源材料、先进复合材料、先进材料特性、多孔材料、制造工艺和系统、先进纳米材料和纳米技术、智能材料、薄膜和界面、催化材料、碳材料、材料化学、材料物理、光学和光子学、腐蚀、建筑和建筑材料、材料模拟和设计、电子材料、先进和功能性陶瓷和玻璃、金属和合金、软物质、聚合物材料、量子材料、材料力学、绿色材料、通用材料。《材料》为投稿高质量文章和利用其庞大的读者群提供了独特的机会。
1.2-V 2.18-ppm/C 曲率补偿 CMOS...
带隙基准源是模拟、数字或混合信号电路（如模数转换器、数模转换器、低压差稳压器、锁相环和许多其他电子设备）的关键组件[1、2、3、4、5、6、7]。带隙基准源提供的电压具有明确而稳定的特性，并且对电源电压和温度变化不敏感。基准源的准确性和稳定性对后续电路的性能起着重要作用[8、9]。因此，已经提出了许多高阶温度补偿技术来降低 TC。[10、11、12] 中讨论了依赖于温度的电阻比补偿技术。其曲率补偿效果主要由两个温度系数电阻之比决定，该比值将根据工艺角和失配而发生剧烈漂移。文献 [13, 14, 15, 16] 进一步讨论了温度补偿法，利用工作在亚阈值区的 MOS 管栅源电压进行补偿，但亚阈值 MOS 管由于补偿面积较大，因此 TC 受工艺影响较大。文献 [17] 则采用了非线性补偿项 T ln T 的方法，T ln T 是由工作在亚阈值区的 MOS 管栅源电压扩散产生的，
缩回注意：用于高速THZ应用的光子带隙（PBG）结构的微带贴片天线的设计和分析
关注点，包括但不限于折衷的同行评审过程，不适当或无关紧要的参考文献，其中包含非标准短语或不在期刊范围内。根据调查的发现，出版商与主持人协商，因此不再对本文的结果和结论充满信心。
