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World File Search System亚带隙
气隙互连的机械稳定性
芯片包装相互作用包装的影响是整体上互连结构遭受特殊的外部应力。以塑料翻转包裹为例；在填充底漆之前，最高的热载荷发生在模具固定期间。对空气间隙结构的CPI效应进行了250°C的反射温度的无PB-焊料。包装中的基板是有机的，模具尺寸为8x8 mm 2。在略有不同的3D有限元模型上，多级子模型技术和VCCT用于计算最外层焊球下相关接口处的裂纹驱动力。[8,9]在蚀刻停止/钝化（ESL）和低k介电或气隙之间，在每个金属水平上放置在每个金属水平上放置的Horizontal裂纹计算错误。每个裂纹宽0.1 µm，长2 µm，在接线方向上延伸，如图4所示。在完整的低K集成方案中，由于SIO2和低K层之间的弹性不匹配，在M3间的裂纹3中，ERR最高。首先检查了空气间隙实施的效果，用于跨层次的全气隙结构，在该结构中，空气间隙取代了M3的所有金属间介电（IMD）。这导致裂纹3中的ERR中的大约5倍急剧增加。应注意的是
立方卤化物 KCaCl3 钙钛矿在压力下的紫外至可见带隙工程用于光电应用：来自 DFT 的见解
Linh 等人 35 发现用离子半径较大的碱金属（M = Li、Na 和 K）取代（Bi 0.5 M 0.5 ）TiO 3 会增加其直接带隙。将 MCaF 3（M = K、Cs）中的 K 位取代为 Cs 位，可将带隙从间接变为直接，从而改善光学特性。36 Gillani 等人还报道将碱土金属（Mg、Ca、Ba）掺杂到 SrZrO 3 中可使带隙从间接变为直接。37,38 此外，利用静水压力将带隙从间接变为直接被证明是有益的，就像在许多立方钙钛矿中所看到的那样。 39 – 44 通过施加外部压力，卤化物立方钙钛矿 CsBX 3 (B ¼ Sn, Ge; X ¼ Cl, Br) 的带隙减小到零，从而导致半导体到金属的转变。45 – 49 在静水压力下，还对 Ca 基立方碱金属卤化物钙钛矿 KCaX 3 (X ¼ F, Cl) 50,51 和 ACaF 3 (A ¼ Rb, Cs) 进行了第一性原理研究。52,53
半导体纳米材料尺寸验证：对
由于半导体纳米粒子具有独特的机械、光学、光子和电学特性，科学界对其研究突飞猛进。[1-4] 借助 Wein2K 代码，他们最近报道了 Zn1–xMnxS (0 ≤ x ≤ 1) 的机械、结构、电学、磁性和光学行为。纳米材料的质量很大程度上取决于它们的表面积与体积的比，这会影响其中的几个属性。[5-8] 半导体的带隙是其最重要和最基本的特性之一。半导体材料的电学和光学特性从根本上受带隙的影响。[9-14] 因此，为了更好地了解它们的特性，研究 SCN 的带隙增长至关重要。半导体的大带隙使其在各种应用中都很有用。尽管硅光子纳米器件已经被广泛制造和利用，但体硅的间接和微小带隙限制了它的利用。许多理论和实验研究人员采取了与尺寸相关的带隙立场。[15-17] 利用光致发光光谱，
T 中单轴菌株的紧密结合研究T
摘要使用最接近的邻居，紧密结合（TB）模型研究了单轴菌株在扶手椅，具有对称和不对称结构的T-格芬烯纳米纤维（ATGNR）中的作用。具有结构对称性和两个亚晶格结构的ATGNR在零应变时表现出狄拉克点。将单轴应变应用于这些系统会在压缩下引起多个dirac点（高达-20％的应变），其中这些点的数量与沿单位电池宽度的四碳基底单位数量相称，还考虑了结构的镜像对称性。在拉伸，单轴菌株（延伸最高20％）下，碳四脑碳诱导的不对称性导致零点的数量减少，尽管由于对称性ATGNR的基本镜像对称，但最小数量被保留。不对称的ATGNR是半导体，显示出可调的带隙，其降低是色带宽度和单轴应变的函数。单轴菌株在高压下（> 16％）下在这些系统的带边缘诱导一个单一的狄拉克点，并且带隙的闭合与对称性诱导的扰动有关，从而超过了对称性破坏对称性的，间隙开放机制。总而言之，结核病模型显示ATGNR具有适合柔性电子应用的设备功能，例如带隙调整以及相对论特性的应变工程。
特刊——宽带隙半导体材料...
宽带隙 (WBG) 半导体材料，例如碳化硅 (SiC)、氮化镓 (GaN) 或氧化镓 (Ga2O3)，使电力电子元件比硅基 (Si) 元件更小、更快、更可靠、更高效。目前，全球约有一半的总能源消耗是电力，预计到 2030 年，80% 的电力将通过电力电子设备流动。然而，基础科学和材料科学还有很大的发展空间；宽带隙材料确实无处不在；几乎整个地壳都是由宽带隙氧化物形成的，还有许多硫族化合物、卤化物、有机和生物材料也是宽带隙材料，还有许多其他可能性。本期特刊是一系列文章的集合，报告了最近获得的结果的简要评论以及在这一广泛研究领域产生的新发现。
技术重点：宽带隙电子器件
碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN) 器件将逐渐取代现有的硅技术，因为硅已经达到其物理电学性质的固有极限。 因此，自 2007 年以来，硅基器件已不再能够跟上摩尔定律的步伐，曲线出现了平台期：摩尔预测，集成电路制造商每年应该能够将单个硅芯片上可容纳的晶体管数量翻一番。 相反，晶体管尺寸正在以较慢的速度减小；自 2007 年以来，尺寸减小的进程已明显放缓。 美国劳伦斯伯克利国家实验室 (LBNL) 最近制造的最小硅 MOSFET 的宽度（沟道长度）仅为 7 纳米，即仅比单个硅原子的尺寸大一个数量级。 在这种几何尺寸下，可能会发生量子隧穿，并且器件将失去控制电流流动的能力。因此，最近的发展意味着硅技术正在接近该材料的理论物理极限。由于硅的特性阻碍了器件性能的进一步提高，微电子研发变得更具挑战性，需要投入大量资金，有时似乎不经济，因为它太昂贵了。
用 HfO 2 /In 2 O 3 栅极堆栈表征超薄原子层沉积氧化物半导体 MOS 电容器中的界面和体陷阱
氧化物半导体重新引起了人们对用于单片三维 (3D) 集成的互补金属氧化物半导体 (CMOS) 后端 (BEOL) 兼容器件的兴趣。为了获得高质量的氧化物/半导体界面和体半导体，提高氧化物半导体晶体管的性能至关重要。据报道，原子层沉积 (ALD) 氧化铟 (In 2 O 3 ) 具有优异的性能，例如高驱动电流、高迁移率、陡亚阈值斜率和超薄沟道。在本文中，使用 C – V 和电导方法系统地研究了 ALD In 2 O 3 晶体管的 MOS 栅极堆栈中的界面和体陷阱。从 C – V 测量中的积累电容直接获得了 0.93 nm 的低 EOT，表明高质量的栅极氧化物和氧化物/半导体界面。通过 TCAD 对 C – V 和 G – V 特性的模拟，证实了 In 2 O 3 块体中亚带隙能级的缺陷是造成 GP / ω 与 ω 曲线中电导峰的原因。从 C – V 测量中提取了 1×10 20 /cm 3 的高 n 型掺杂。使用电导方法实现了 3.3×10 20 cm − 3 eV − 1 的高亚带隙态密度 (DOS)，这有助于实现高 n 型掺杂和高电子密度。高 n 型掺杂进一步证实了通道厚度缩放的能力，因为电荷中性水平在导带内部深度对齐。
维迪亚拉亚计划
A. 建筑平面图：可用数量建议/扩展预算计划教室 14 智能/电子教室 11 物理实验室 01 化学实验室 01 生物实验室 01 初级科学实验室 00 地理实验室 - 计算机实验室 01 数学实验室 01 语言实验室 NIL 工作经验工作室 00 瑜伽室 00 艺术室 01 资源室 01 音乐室 01 活动室 01 教职员室 01 会议厅/礼堂 00 体育室 01 图书馆 01 儿童公园 01 游乐场 01 花园 02 科学/数学公园 00 行政办公室 01 食堂 01 男生厕所 04 女生厕所 04 浴室 08 Divyang 设施 i) 坡道 03 ii) 厕所 02 iii) 轮椅 01
伊比利亚
这次每两年一次的国会对应于西班牙植物生物学学会（SEBP）的XXVI会议，我们将以非常特殊的方式庆祝其50周年，以及XIX XIX西班牙裔植物生物学的earl。 div>，我们称研究人员和所有有兴趣了解各个层面植物的功能的人：分子，细胞，器官和植物以及提供解决方案，以便植物与环境之间的关系使我们进入了一个更绿色，更可持续的世界，以应对气候变化。 div>因此，将我们联系的座右铭将是“可持续世界的植物”。 div>来自组织委员会的我们正在努力确保科学成功，收集年轻的研究人员（博士学位）和著名的演讲者，faci lingting空间来讨论和交流思想，因此您在我们舒适的城市中度过了愉快的住宿，他们的1200年历史与水文化及其肥沃的花园有联系。 div>