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World File Search System亚带隙
MIL-PRF-55339C 带修正案 3
1.1 范围。本规范涵盖系列间和系列内射频 (RF) 同轴连接器适配器的性能要求和测试。1.2 分类。适配器由以下类别组成，并带有指定的零件识别号 (PIN)（见 3.1）。a.第 1 类 – 第 1 类适配器旨在在指定频率下提供卓越的 RF 性能，并且所有 RF 特性均已完全定义。b.第 2 类 – 第 2 类适配器旨在在提供指定 RF 性能的 RF 电路内提供机械连接。1.2.1 PIN。PIN 由字母“M”和基本规格表编号组成。零件编号中的第一位数字表示适配器主体（外壳）的材料和表面处理；即，“0”表示镀银黄铜，“3”表示钝化耐腐蚀钢，“4”表示镀金铜铍，“6”用于 SMA 系列和其他系列之间（SMA 主体为耐腐蚀钢，其他系列为黄铜），或“7”表示镀镍黄铜。后续数字将分配用于指定前一个“UG”编号或无意义的数字（如适用）。例如：M55339/ 01 - XXXXX 通用规格 规格表中的零件编号 规格表 AMSC N/A FSC 5935
基于横向BJT的高阶曲率补偿电压基准
固定的1.2V输出，接近于硅的带隙电压。电流型BGR的输出电压与硅的带隙电压无关，可以根据应用需要进行调整，这也是电流型BGR仍在许多模拟集成电路中广泛使用的原因。由于电流型BGR的输出电压与硅的带隙电压无关，因此称之为电压基准（VR）更为合适。目前，VR的研究方向都与其主要性能参数有关。一是功耗，降低功耗的常用方法是采用亚阈值金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），因为亚阈值MOSFET的电流比普通MOSFET低得多，适合于低功耗设计[1-8]。另一个是输出电压的温度系数（TC），它是反映VR性能的重要参数。迄今为止，世界各地的研究人员已经提出了许多方法来提高VR的TC，以适应不同的应用。传统BGR输出电压中含有高阶非线性项，导致输出电压的温度曲线具有一定的曲率，从而决定了输出电压的温度系数。有的文献利用非线性电流来补偿输出电压中的高阶非线性项[9~14]。也有研究者将温度范围分成几部分，对每部分温度分别进行补偿，这种方法称为分段补偿[9，15]。一般来说，这种方法的补偿效果较好，但是电路结构稍复杂。针对正向偏置PN结电压的非线性特性，补偿方法有两种，一种方法是利用流过正向偏置PN结的不同TC电流来补偿曲率[10，16~20]，另一种方法是通过不同的器件来补偿曲率[21，22]。以上两种方法都是利用PN结的温度特性来补偿温度曲率，比较适用于基于传统BGR电路结构的VR。亚阈值BGR在低功耗方面具有优势，但是传统BGR具有更好的工艺兼容性和更好的TC，这也是本文基于传统电流型BGR设计VR的原因。段全振等人在2015年提出了一种利用NPN BJT进行补偿的方法[21]，该补偿曲率的方法简单实用，但需要NPN BJT工艺的支持，有些特定工艺无法提供NPN BJT，根据特定工艺的特点，我们利用工艺设计了一种高精度曲率补偿VR
可调节的非线性激发式光学响应中的偏见双层石墨烯
偏见的双层石墨烯（BBG）是基于石墨烯 - 基于石墨烯的系统中兴奋性效应的重要系统，其易于调谐带隙。此带隙受外部门电压的控制，使一个人可以调整系统的光学响应。在本文中，我们研究了Bernal堆叠的BBG的激子线性和非线性光学响应，这是栅极电压的函数，包括平面（IP）和平面（OOP）方向。基于BBG电子结构的半分析模型，描述了栅极电压对激子结合能的影响，我们将讨论重点放在IP和OOP示例性响应上。线性和第二个谐波产生（SHG）非线性响应都对栅极电压非常敏感，因为带相互动量矩阵元素和系统的带隙都会随偏置潜力而变化。
二氧化硅-硫酸铅核的合成与表征...
约为 3.75 eV，高于 PbS 本体带隙值，这是由于纳米晶 PbS 壳中的量子限制效应，其厚度约为 10 nm，如前所述 [9]，[25]。有效带隙的增加使纳米晶 PbS 结构成为太阳能电池应用中更合适的窗口材料。
第13个亚得利亚神经病学论坛
anf是来自该地区的神经科医生的传统聚会，与往年一样，我们计划为您提供癫痫，多发性硬化症和神经退行性疾病领域的一些顶级专家的精致演讲，并在Cephalea中充满了一些热门话题。
物理与技术
红外辐射是由导带和价带中电子和空穴的辐射复合产生的。因此，发射光子能量与带隙能量 E g 密切相关。发射波长可根据公式 (μm) = 1.240/Eg (eV) 计算。内部效率取决于能带结构、掺杂材料和掺杂水平。直接带隙材料提供高效率，因为电子和空穴的复合不需要声子。GaAs 是直接带隙材料，而 Ga 1-X Al X As 在 X = 0.44 之前是直接带隙材料。掺杂物质 Si 提供最佳效率，并且通常会将低于带隙能量的发射波长移入红外光谱范围约 50 nm。电荷载流子通过 pn 结注入材料。在 GaAs 和 Ga 1-X Al X As 中很容易形成高注入效率的结。价数为二的金属（例如 Zn 和 Mg）可获得 p 型导电性，价数为六的元素（例如 S、Se 和 Te）可获得 n 型导电性。但是，价数为四的硅可占据 III 价和 V 价原子的位置，因此可充当施主和受主。导电类型主要取决于材料生长温度。通过采用精确的温度控制，可在结的两侧生长具有相同掺杂物质 Si 的 pn 结。另一方面，Ge 的价数也是四，但在高温下占据 V 族位置，即 p 型。
应变对2D-GeC电子结构的影响
使用基于密度函数理论的第一原理计算方法，我们对石墨烯，德国烯和二维石墨烯样晶晶（2D-GEC）的电子结构进行了深入探索。我们专门分析了这三种材料的元素结构，带性能和电子密度。基于密度函数理论框架内的第一原理计算，我们发现单层GEC具有独特的直接带隙特性，其直接带隙宽度预先计算为2.21 eV。通过将平面内应变应用于单层，我们掩盖了单层GEC具有可调的带结构。研究结果表明
![arxiv：2406.06020v3 [cond-mat.mtrl-sci] 2024年11月14日](/simg/d\d33631c28fd4d0362036a158b8733bd36e2095f4.webp)
arxiv：2406.06020v3 [cond-mat.mtrl-sci] 2024年11月14日
二硫化钼（MOS 2）在菌株下具有许多有趣的证券和可能的技术应用。最近的一项实验研究检查了应变对单层MOS 2带对轻度弯曲石墨表面的带隙的影响，报告说，在双轴应变下，泊松比为0.44，带隙以400 MeV/％的速率降低。在这项工作中，我们使用广义梯度近似（GGA）PBE，混合功能性HSE06进行了密度功能理论（DFT）计算，并使用PBE波函数（G0W0@PBE）使用GW近似值进行了多体扰动理论。对于未经培训的单层，我们发现了理论与实验之间的带段的标准水平一致。对于实验泊松比的双轴菌株，我们发现，带隙以63 MeV/％菌株（PBE），73 MeV/％菌株（HSE06）和43 MeV/％菌株（G0W0@PBE）的速率降低，这些速率比实验率小。我们还发现，PBE预测不同的泊松比为0.25的速率（90 meV/％菌株）。自旋轨道校正（SOC）对间隙或其应变依赖性几乎没有影响。理论和实验之间的强烈分歧可能反映了底物对间隙应变依赖性的出乎意料的强烈影响。此外，我们观察到在应变下从直接到间接带隙的过渡，并且（在相等的双轴应变为10％）中，半导体到金属转变，与以前的理论工作一致。