机构名称：
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使用基于密度函数理论的第一原理计算方法，我们对石墨烯，德国烯和二维石墨烯样晶晶（2D-GEC）的电子结构进行了深入探索。我们专门分析了这三种材料的元素结构，带性能和电子密度。基于密度函数理论框架内的第一原理计算，我们发现单层GEC具有独特的直接带隙特性，其直接带隙宽度预先计算为2.21 eV。通过将平面内应变应用于单层，我们掩盖了单层GEC具有可调的带结构。研究结果表明
应变对2D-GeC电子结构的影响
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