2024 年 5 月 17 日讨论 FCR(2024-25)6 财务委员会项目创新及科技基金总目 111 — 创新及科技新分目“香港微电子研发中心”请委员批准在创新及科技基金总目 111 创新及科技下设立 28.384 亿元的新承担额,以成立和营运“香港微电子研发中心”。问题 为把握庞大潜在市场及配合国家科技发展策略,我们需要成立「香港微电子研发中心」,设立测试认证中试线,引导和推动大学、研发中心和业界就第三代半导体进行研发合作,并借助粤港澳大湾区完善的制造业产业链,把研发成果付诸实践。 建议2. 创新科技署署长在创新、科技及工业局局长支持下,建议在创新及科技基金总目111创新及科技下增拨28.384亿元新承担额,用作成立和营运香港微电子研发中心。 / 理由 ......
Cyberport主席Simon Chan表示:“预算通过以技术创新为核心引擎来推动经济发展,为香港的未来奠定了基础尽管对公共资源进行了财务压力,但HKSAR政府仍然坚定地支持I&T部门,引入了倡议,这些计划全面增强了整个产业链中的I&T生态系统。许多这些举措已被广泛实施并受益。网络港的AI超级计算中心(AISC)去年正式开始运营,并根据AI补贴计划(AISS)批准了五个项目。作为香港的数字技术旗舰和AI加速器,网络港将与政府紧密合作,以实施其发展策略。通过利用AISC作为核心引擎来建立一个全面的AI生态系统,我们旨在提升香港在各个领域的研发能力,吸引来自世界各地的I&T才华和初创企业,并利用该市在基本研究和国际化方面的优势。这将有助于实现将香港转变为AI和I&T国际枢纽的愿景。”
根据国际能源局(IEA),到2021年底,世界上有1650万台电动汽车(EV);到2030年,全球电动汽车总数预计将达到约2亿。2021年的销售额是中国最高的,其330万,其次是欧洲,在2021年售出了230万。在美国,电动汽车的销售额将其市场份额翻了一番,达到2021年的4.5%,售出了63万。在新兴市场,电动汽车销售额增加了一倍以上,但销售量仍然很低。在2022年上半年的销售中进一步增加了,我们估计全球电动汽车销售额将约为13%。作为最关键的技术,Power Lithium-Ion电池通过运输的逐渐电气化在生产和销售中实现了爆炸性的增长。 [1-2] 2021年电力锂离子电池的安装能力约为300 gwh,同比增长115%。作为第一批新的能量车已经使用了8年,锂离子电池电池退休的小峰值累积的容量超过300,000吨(35GWH),到达了2021年。[3-4]因此,用过的电力锂离子电池的回收将在新的能源产业链中发挥重要作用。
摘要。教育、科技、人才是全面建设社会主义现代化国家的根本支撑和战略支撑。人工智能是当前信息技术领域的热点研究课题,极大地影响甚至改变着人们的生产、生活和思维方式。但人工智能目前还处于弱人工智能阶段。因此,我校积极推进、不断创新产教深度融合,通过校企合作推动应用型人工智能人才培养模式改革,构建应用型课程体系,打造资源共享平台,建立校企长效合作机制。本文对高校人工智能专业建设进行了深入分析。应分析国内人工智能产业企业的岗位需求,明确人工智能产业链上所能满足的人才需求层级,基于产教融合理念,将人工智能技术与应用型职业技能、职业资格认证相结合,构建我校人工智能本科专业的人才培养方案和专业课程体系,以培养大学生核心职业能力为前提,培养符合社会经济发展和科技水平提升需要的专业人才,满足大学生实现自我价值和可持续发展的需要,为人工智能专业的建设与发展提供有益参考。
常州银河世纪微电子有限公司是一家致力于半导体器件研发、生产、销售与服务为一体的新型高新技术企业,旗下拥有常州银河电器有限公司、泰州银河环宇半导体有限公司。集团凭借数十年的专业经验、高素质的团队和切实可行的品控体系,建立了从研发设计、晶圆制造、封装测试、销售服务的完整产业链。公司遵循ISO9001/IATF16949、ISO14001及OHSAS18001等管理体系,可为客户提供全方位的定制化、专业化服务。公司注重技术创新,产品涵盖二极管、三极管、MOSFET、桥式整流器、发光二极管、光耦、模拟IC等全系列半导体分立器件,并提供定制OEM服务。产品广泛应用于家电、绿色照明、网络通讯、电源及充电器、汽车、智能电表、工业控制等领域。银河已成为众多国内外知名客户的重要合作伙伴,我们秉承“以我们的努力,成就客户的辉煌”的理念,期待为全球客户提供优质的产品和高效的服务。
aseh致力于以下内容:可持续制造:ASEH根据公司的“环境责任政策”以及整个生命周期的所有适用法律和标准,进行研究,采购,生产,包装,物流和服务。我们将不断提高能源效率,并提供提供绿色解决方案的制造服务,并且基于低能消费,资源密集型和无污染的低碳。强调能源效率和低碳过渡:ASEH旨在在整个运营中提高资源和能源效率。我们试图逐渐减少对化石燃料的依赖,并使用100%的清洁和可再生能源来实现我们的净零视力。增强气候弹性:ASEH将识别气候风险和机会来制定气候计划,并致力于降低气候科学和温室气体的进步,研究和发展。这将进一步增强ASEH运营和价值链利益相关者的气候适应能力,从而降低了产业链中的整体风险。过渡司法:ASEH不会支持与国际倡议或公司气候政策相矛盾的组织。从积极促进行业的过渡到利益相关者的合作和发挥社会影响力,我们仍然致力于维护社会繁荣和价值共同创造的原则。
摘要 摘要 氢气是一种低碳清洁能源,生产来源广泛,大力发展氢能产业是实现双碳目标、应对全球能源转型的重要举措。在氢能“制备—储存—运输—应用”全产业链中,氢气存储难度大一直是制约氢能产业高质量发展的因素。盐穴储氢具有成本低、规模大、安全性高、储氢纯度高等突出优势,是未来大规模储氢的重要发展方向,也是我国低碳能源转型的重大战略需求。全面调研了我国制氢产业和氢能消费现状,进一步分析了我国盐穴储氢需求,调研了国外利用盐穴储存天然气和氢气的技术和工程现状,总结了我国盐穴储氢的发展和建设历史。对比了盐穴储氢技术在天然气、氦气、压缩空气、氢气储藏中的异同,提出了我国盐穴储氢技术面临的三大科技难题:层状盐岩中的氢气渗流与生物化学反应、盐穴储氢井筒完整性控制、储氢群灾害孕育与防治,明确了储氢需求快速增长的趋势和我国大型盐穴储氢技术的重点研究方向。
(1)通用航空文化旅游资源内涵旅游是连接航空资源与文化精神的重要手段。近年来,随着我国经济社会的快速发展,“旅游”概念凸显,使得通用航空文化旅游更加具有内涵。通用航空文化旅游既是产业文化,又是大众文化。是“新时代”社会主义先进文化的重要组成部分。(2)通用航空文化旅游资源分析通用航空文化旅游资源其实是通用航空产业走向更高级阶段的物质表现之一。近年来,随着国家政策层面对通用航空产业发展的支持,在不同经济区域逐渐形成了通用航空产业链的雏形和经济体。纵观目前通用航空文化活动发展情况,可归纳为以下几种类型:1)旅游体验资源通用航空旅游体验产品为静态旅游产品,可供大众及高端游客使用。包括工业游览、文化体验、空中观光及航游线路[1]。2)体育休闲资源航游体育休闲资源为满足游客梦想而开发,富有挑战性和刺激性。以户外活动为主,分为飞行体验和航游运动[1]。3)航游赛事产品依托航游设施,还可举办专业航游体育赛事、专业峰会、各类航展等活动,以及空中婚礼、航拍等活动。通过以上活动的成功举办,可以极大地丰富区域通航氛围,快速提升区域知名度,带动相关消费,为区域带来积极的经济效益和社会效益[1]。(3)通用航空文化旅游资源开发影响因素分析正是由于通用航空旅游的航空特性,其
发展的转变。我们是“清醒水和郁郁葱葱的山脉是宝贵的资产”的概念的主动促进者和模范从业者。我们维持了稳定石油供应并增加天然气产能的措施,并且由于天然气生产在公司的国内石油和天然气同等产量中的份额已进一步增长到53.5%,因此石油和天然气成分得到了进一步优化。根据“清洁能源替代,战略继承和绿色过渡”的一般三步策略,我们维持了用新能源进行石油和天然气整合和开发的方法,并构建了一种新的能源供应系统模型,该模型由相互互补的多种能源组成。我们进一步发展了我们在新兴行业中的地位。随着新的能源项目的完成,包括在kashgar,Xinjiang建造百万千瓦的光伏(“ PV”)站,以及在Yumen的水电解氢生产设施,以及对Potevio New Energy Co.的公平批准,包括新能源的库存,并建立了一个新的能源,我们可以建立一个历史上的建立,以实现新的历史,并实现了新的历史,并实现了新的范围。每年有1150万吨标准煤,在过去一年中增加了44%。“石油,气体,地热,电和氢能”的模式开始形成。我们实施了一项全面的行动计划,以解决气候变化,结合了“减少碳利用,碳的替代,碳替代和碳存储”。我们加强了碳排放控制和碳资产管理,增强的节能,减少消费,减少排放和清洁能源替代措施,以促进整个产业链的绿色发展和CCUS的工业化。我们积极参与建造碳固化森林和碳中性森林,参加了全球气候治理和碳市场交易。我们还从事绿色企业的发展,促进了我们的生态和环境保护和治理体系的现代化以及针对更严格的标准的能力。我们为蓝天,晴朗的水和晴朗的土地而战继续,重点关注来源控制和预防污染,因为我们严格地实施了黄河水域,长江经济带和钥匙海域的生态和环境保护措施。我们加强了生态建筑和恢复治理方面的努力,为生物多样性保护建立了自制的保护区,致力于增强生态系统多样性,稳定性和可持续性。
图表 9 : SiC 产业链及代表企业 ............................................................................................................................. 6 图表 10 : 导电型碳化硅衬底 ................................................................................................................................. 6 图表 11 : 半绝缘型碳化硅衬底 ............................................................................................................................. 6 图表 12 : WolfSpeed 公司导电碳化硅衬底演进过程 ........................................................................................... 7 图表 13 : SiC 衬底制作工艺流程 ........................................................................................................................... 8 图表 14 : PVT 法生长碳化硅晶体示意图 ............................................................................................................. 8 图表 15 : 用于制备碳化硅的籽晶 ......................................................................................................................... 8 图表 16 : CMP 过程示意图 ................................................................................................................................... 10 图表 17 : CVD 法制备碳化硅外延工艺流程 ........................................................................................................11 图表 18 : SiC 功率器件种类 ............................................................................................................................... 12 图表 19 : SiC-SBD 与 Si-SBD 比较 ..................................................................................................................... 13 图表 20 : SiC-SBD 正向特性 ............................................................................................................................... 13 图表 21 : SiC-SBD 温度及电流依赖性低 ........................................................................................................... 13 图表 22 : SiC-SBD 具有优异的 TRR 特性 ........................................................................................................... 13 图表 23 : SiC MOSFET 与 Si IGBT 开关损耗对比 .............................................................................................. 14 图表 24 : SiC MOSFET 与 Si IGBT 导通损耗对比 .............................................................................................. 14 图表 25 : SiC MOSFET 体二极管动态特性 ......................................................................................................... 14 图表 26 : N 沟道 SiC IGBT 制备技术图 ............................................................................................................. 15 图表 27 : SiC 行业发展阶段曲线 ....................................................................................................................... 16 图表 28 : SiC 市场规模现状及预测 ................................................................................................................... 17 图表 29 : 新能源汽车包含功率器件分布情况 .................................................................................................. 18 图表 30 : 对车载和非车载的器件要求 .............................................................................................................. 18 图表 31 : 车载 OBC 发展趋势 ............................................................................................................................. 19 图表 32 : 硅基材料功率器件的工作极限 ........................................................................................................... 19 图表 33 : 全球新能源汽车碳化硅 IGBT 市场规模 ............................................................................................ 19 图表 34 : 全球新能源汽车市场销量及增长率预测 ............................................................................................ 20 图表 35 : 中国新能源汽车市场销量及增长率预测 ............................................................................................ 20 图表 36 : 2020 年全球新能源乘用车车企销量 TOP10( 辆 ) ................................................................................ 21 图表 37 : 2020 年全球新能源乘用车车型销量 TOP10( 辆 ) ................................................................................ 21 图表 38 : 光伏碳化硅器件优越性 ....................................................................................................................... 22 图表 39 : 全球光伏需求预测 ............................................................................................................................... 22 图表 40 : 全球光伏碳化硅 IGBT 市场规模 ........................................................................................................ 23 图表 41 : 全球光伏 IGBT 市场规模 .................................................................................................................... 23 图表 42 : 2015-2021 年中国累计充电桩数量 ..................................................................................................... 24 图表 43 : 2015-2020 年中国车桩比例 ................................................................................................................. 24 图表 44 : 中国新能源汽车充电桩市场规模及预测 ............................................................................................ 25 图表 45 : 全球充电桩碳化硅器件市场规模 ....................................................................................................... 25 图表 46 : 全球轨道交通碳化硅市场规模及预测 ............................................................................................... 26 图表 47 : 2020 年全球轨道交通运营里程 TOP10 .............................................................................................. 26 图表 48 : 轨道交通碳化硅器件占比预测 ........................................................................................................... 27 图表 49 : 全球轨道交通碳化硅技术采用情况 ................................................................................................... 27 图表 50 : 2015-2025 年中国 UPS 市场规模及预测 ............................................................................................ 28 图表 51 : 2015-2021 年中国 UPS 器件类型情况 ................................................................................................ 28 图表 52 : 2011-2020 年全球 UPS 市场规模及预测 ............................................................................................ 29 图表 53 : 2019-2025 年全球 UPS 碳化硅器件市场规模 .................................................................................... 29 图表 54 : 国外碳化硅衬底技术进展 ................................................................................................................... 30 图表 55 : 碳化硅衬底尺寸市场占比演变 ........................................................................................................... 30
