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ITS 伸缩塔系统 ~ 移动和固定基础...
ITS 伸缩格构钢塔结构是全自动的，延伸高度范围为 +38’0” (12m) 至 +130’0” (40m) 高于地面 (AGL)，标准有效载荷能力为 550lbs (250kg) 和 650lbs (295kg)，具体取决于型号配置，并提供任何同类塔系统的最大风荷载能力。虽然所有 ITS 伸缩结构都可以在其最大延伸高度单独用于自支撑配置 ~ 不需要拉线，最高可达有效载荷、风荷载和风速的组合；与所有此类塔一样，在无人值守的场地长期部署时，通常始终建议使用拉线组件 ITS 结构是定制制造的，可直接安装到混凝土基础上，或集成到众多 ITS 拖车、卡车、滑橇或其他类似平台上。可利用由业界认可的独立结构工程和咨询公司执行和认证的严格有限元分析程序进行应力分析审查，以确定塔构件设计是否符合 ANSI/TIA-EIA 222-G 标准要求，适用于每个客户特定的负载配置。格构塔构件的建模采用梁单元作为支柱构件，桁架单元作为支撑，缆索单元作为升降和支撑缆索。构件的结构参数和几何形状包含在塔建模中。计算不同风向的风荷载，然后将其作为外部荷载施加在结构上，内部确定自重荷载。为了获得所有塔构件和拉线（如果使用）中发生的最大应力，需要考虑相对于塔和可选拉线的三个不同风向（迎风、顶风、平行风）。
可伸缩2D纳米电子的结晶绝缘子-IUE
在半个多世纪的时间里，微电子学是由摩尔定律驱动的，摩尔的定律预测每18个月的整合密度将增加一倍，从而指数增长，这对于经济和绩效原因非常有益。根据IRDS [1]的规模，尽管摩尔法律已经结束，但在未来十年中，尽管摩尔的法律已经结束。然而，必须克服许多挑战，其中许多与材料缩放达到原子维度的事实有关，尤其是在垂直区域中。例如，硅的迁移率开始恶化在5 nm以下[2]，这对于其他3D材料可以预期。因此，IRDS将分层的2D半导体列为2028年以后超级FET和内存设备的有前途的选择。符合这些要求，有几个组报告了石墨烯[3]，硅[4]，黑磷[5]和过渡金属二北卡尔科氏菌[6,7]表现出极好的晶体管特征。研究工作主要集中在寻找具有最高迁移率和体面的带镜头的最佳渠道材料上。此外，已经进行了MOS 2 FET的电路集成尝试[8]。然而，2D FET还需要合适的绝缘体来将控制门与通道分开，该通道应该是可扩展的，并且理想地与2D半导体一起搭配，就像SIO 2一样，与Sio 2一起使用。缺乏这些绝缘子使得完全利用2D电子设备的预先定价性能潜力是复杂的，尽管
可持续可伸缩电池用于下一代可穿戴设备
在大规模模拟中，由于量子方法的数值成本很高，原子之间的相互作用通常不能从第一个原理计算。相反，它们通常是使用力ELDS（FFS）对势能的物理动机功能形式进行建模的，并进行参数化以匹配从头算能的能量和/或再现实验数据。最广泛的FF是所谓的经典力eLS（例如Amber 1或Charmm 2），它们结合了XED-Charge Colomb电位和Lennard-Jones的相互作用来模拟分子间电位。这些模型在数值上非常有效，可以在长期尺度上模拟非常大的系统。然而，它们的简单功能形式缺乏极化和多体效应，这对于正确描述某些系统至关重要（例如在极性溶剂，PI堆叠或复杂的蛋白质结构中溶剂化3）。更先进的力量eelds - 例如Amoeba，4 TTM，5
JSP使用Intel Xeon可伸缩处理器促进高科技制造模拟
CAE是JSP业务成功的重要组成部分。在密歇根州麦迪逊高地的JSP北美总部的一支小型团队，使用ANSYS LS-DYNA软件进行了所有公司的CAE工作，以进行各种静态和动态分析。这些CAE研究用于开发最终产品以及用于制造产品的工具（或模具）的优化。作为其客户支持承诺的一部分，该集团还为每个客户提供了CAE材料模型。“客户可以将这种模型纳入自己的设计和工程工作中，” JSP的首席产品开发工程师Nurul Huda说。“例如，汽车客户可以预测其保险杠设计将如何以各种速度处理碰撞的影响。”
激光直写制备MnO2/LIG复合电极及其在柔性超级电容器中的 ...
别是石墨烯的 D 、 G 和 D+G( 也称 G') 峰 [ 19 ] ，这表 明两种样品都生成了高质量的石墨烯。其中 D 峰 是由于芳香环中 sp 2 碳网络扭曲使得碳原子发生 对称伸缩振动引起的 [ 20 ] ，用于衡量材料结构的无 序度，它的出现表明石墨烯的边缘较多或者含有 缺陷，这与 SEM 观察到的结果一致； G 峰是由 sp 2 碳原子间的拉伸振动引起的 [ 21 ] ； G' 峰也被称 为 2 D 峰，是双声子共振二阶拉曼峰，其强度与 石墨烯层数相关 [ 22 - 24 ] 。与 LIG 拉曼曲线相比， MnO 2 / LIG 在 472.6 cm −1 波段较强的峰值，对应于 Mn − O 的伸缩振动峰，证实了 MnO 2 的晶体结构。 XRD 测试结果表明， MnO 2 /LIG 在 2 θ =18.002° 、 28.268° 、 37.545° 、 49.954° 和 60.244° 处的特征峰分别对应 α - MnO 2 的 (200) 、 (310) 、 (211) 、 (411) 和 (521) 晶面 ( 图 4 b PDF#440141) ， α -MnO 2 为隧道结构，可容 纳溶液中的阳离子 ( 如 Zn 2+ 、 Li + 、 Mg 2+ 、 Na + ) [ 21 ] 。 25.9° 和 44.8° 处的峰为 LIG 中 C 的特征衍射峰。
学习报告，ENSC 231-2012 年秋季，S. Sangha
到目前为止，机器人领域一直被机械刚性结构所主导。但随着机器人的功能开始更接近人类，开发新型机器人势在必行。软机器人就是这样一种可能，它指的是由柔软、柔顺的材料制成且没有刚性骨架的机器人。其应用范围包括生物医学机器人、实地研究机器人、仿生学到智能假肢。软机器人主要由三种组件组成，即机器人主体、柔性执行器和可伸缩电子设备。可伸缩电子电路进一步由晶体管、导线等组成。因此，实现完全可伸缩电路需要可伸缩组件。但在所有这些组件中，导体是对整个电路可伸缩性产生主要影响的组件。在本报告中，我将介绍用于制造柔性、可伸缩导体的候选材料和工艺，以应用于软机器人领域的可伸缩电子设备。
3D可伸缩量子卷积神经网络用于分类应用中的点云数据处理
由于嘈杂的中间量子量子（NISQ）时代已经存在，因此量子神经网络（QNN）绝对是对许多经典神经网络无法解决的许多问题的承诺解决方案。此外，量子卷积神经网络（QCNN）现在正在受到很多关注，因为它可以处理与QNN相比的高维输入。但是，由于量子计算的性质，很难扩大QCNN以提取由于贫瘠的高原而提取足够数量的特征。这在具有高维数据输入的分类操作中尤其具有挑战性。但是，由于量子计算的性质，很难扩大QCNN以提取由于贫瘠的高原而提取足够数量的特征。这尤其是具有高维数据输入的分类操作中的挑战。为此，提出了一种新颖的3D可伸缩QCNN（SQCNN-3D），以用于分类应用中的点云数据处理。此外，在SQCNN-3D顶部还考虑了反向保真度训练（RF-Train），用于使用量子计算的保真度有限的Qubits多样化特征。我们的数据密集型性能评估验证了所提出的算法是否达到了所需的性能。
使用2D聚焦光栅耦合器进行可伸缩离子量子计算的集成梁转向
使用2D聚焦光栅耦合器进行集成梁转向，用于可伸缩的离子量子计算Mizuki Shirao 1，Daniel Klawson 1，Sara Mouradian 2和Ming C. Wu 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 98195，美国电子邮件：shirao.mizuki@db.mitsubishielectric.co.jp * *作者当前的隶属关系是Mitsubishi Electric Corporation信息技术研发中心。摘要：提出了可扩展的梁转向装置，以控制离子陷阱量子计算机。波导阵列和二维聚焦耦合器的组合用于在自由空间中在729 nm波长下生成8×n光束斑点。关键字：量子计算，离子陷阱，集成的光子学
微型制造的表面电极离子陷阱，具有3D-TSV集成，用于可伸缩量子计算
Micro-fabricated Surface Electrode Ion Trap with 3D-TSV Integration for Scalable Quantum Computing Jing Tao 1 , Luca Guidoni 2 , Hong Yu Li 3 , Lin Bu 3 , Nam Piau Chew 1 and Chuan Seng Tan 1* 1 School of Electrical and Electronic Engineering, Nanyang Technological University, Singapore 639798 2 Laboratoire Matériaux et Phénomènes Quantiques, Université Paris Diderot, France, 75205 3 Institute of Microelectronics, Agency for Science, Technology and Research (A*STAR), Singapore 117685 Email: tancs@ntu.edu.sg Abstract In this paper, 3D architecture for TSV integrated Si surface ion-trap is proposed, in which the TSV and microbump technology is used to connect the surface electrodes of ion trap到底部的Si插座。伪电位模拟用于确定“平面陷阱”和“ TSV陷阱”几何形状的捕获离子高度。在两种情况下均未观察到伪能力的显着偏差。初步的微型离子陷阱芯片是特征的。所提出的技术在形式和寄生降低微型表面离子陷阱方面有希望，用于可扩展的量子计算应用。（关键字：表面离子陷阱，3D TSV集成，量子计算）简介量子计算被广泛吹捧为维持对高性能计算未来需求的最有可能的技术之一。实现量子计算机的一种有希望的方法是将悬浮在真空中的原子离子用作量子位（Qubits）来执行量子操作[1]。离子被一组产生静态（DC）和射频（RF）电场的表面电极限制在自由空间中。具有适当波长的激光束用于将离子冷却到地面振动能状态，并通过解决离子的电子能态执行量子操作。现代离子陷阱芯片促进了在SI基板上制造的大量多段表面电极，以操纵高密度离子阵列或形成多个离子捕获区[2]。离子捕获技术的关键挑战之一是以可扩展的方式将不断增加的电极号互连到外部DC/RF电源。传统的电线键合方法需要在芯片表面积上设计耗尽空间的外围粘结垫设计，并且还具有从芯片外围到被困离子的激光障碍物的缺点。使用高级3D集成技术，提议将离子陷阱芯片垂直堆叠在Si插台上，在该插座机上，将通过（TSV）和微型凹凸在其中形成垂直互连以连接表面电极。图1显示了所提出的TSV积分离子陷阱模具的示意图，该陷阱堆叠在Si插孔器上，其中一个离子被困在陷阱芯片表面上方。提出的架构提供了一个微型离子陷阱系统，其优势具有高密度电极积分能力，较小的RC延迟，紧凑的外形尺寸和芯片表面激光束的清晰可访问性。
