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World File Search System低压
硅 MOS 电容器中的低压交流电致发光
低功耗硅基光源和探测器因其易于工艺集成而对片上光子电路具有吸引力。然而，传统的硅发光二极管发射的光子能量接近能带边缘，而相应的硅光电探测器缺乏响应度。另一方面，以前报道的利用反向偏置二极管的热载流子电致发光硅器件需要高工作电压。在这里，我们研究了在瞬态电压条件下工作的硅金属氧化物半导体电容器中的热载流子电致发光。在每个电压瞬变期间，源接触边缘都会产生较大的能带弯曲，远大于稳定状态下可实现的能带弯曲。因此，电子和空穴在相应的电压瞬变下从单个源接触有效地注入硅通道，随后它们在那里经历碰撞电离和声子辅助带间复合。值得注意的是，我们通过使用 20 nm 厚的高 j 栅极电介质展示了低至 2.8 V 的低压操作。我们表明，通过减少栅极电介质厚度可以进一步实现电压缩放，从而为硅光电集成电路提供低压平台。
低冲击、低压力卫星分离系统的优点
长期以来，发射卫星时，运载火箭的配给问题一直是军方关注的焦点。而最近商业航天的激增也使卫星分离成为民间企业家和投资者面临的一个主要问题。2000 年，美国空军预见到对更好解决方案的需求迅速增长，发布了一项小型企业创新研究 (SBIR) 主题，第一阶段和第二阶段的合同由 Holemans 和 PSC 赢得。
低压网络容量研究第一阶段报告
本报告探讨了一系列有可能在不更换资产的情况下扩展低压网络容量的技术。首先，我们根据几种关键的低碳技术检查需求概况，以确定预计的网络变化的时间范围和幅度。在 2050 年向净零排放过渡的过程中，低压网络的峰值需求预计将迅速增加，部分原因是热力和运输电气化，而分布式发电也可能给系统带来压力。这些影响将被智能家电和消费者行为的转变所抵消，然而，网络加固和升级可能仍是必要的。至关重要的是，加固支出是通过客户电费收回的，因此找到推迟或避免加固的方法对于确保客户成本尽可能低至关重要。
实现 BaTiO3 中的超低压开关
用于计算超越互补金属氧化物半导体的铁电体。双极晶体管和互补金属氧化物半导体 (CMOS) 晶体管的微缩（即减小尺寸或增加总数 1 ）取得了巨大成功，但随着半导体工艺的每一代发展，随着器件接近基本尺寸极限 2 ，微缩变得越来越困难。虽然摩尔微缩定律一直在延续，但工作电压的降低速度要慢得多，因为 Dennard 的微缩方案 3 只持续到 2003 年左右。研究人员目前正在探索其他方法，以继续遵循摩尔定律，使器件具有低工作电压（< 100 mV）和相应的低工作能量（每位 1-10 aJ），同时保持可接受的器件开关延迟（< 0.1 ns）。这推动了一系列替代的、超越 CMOS 的计算途径（例如，基于自旋、极化、应变等的途径）4、5 的研究。铁电体可实现非挥发性和低读/写能量，在存储器（例如铁电随机存取存储器）、逻辑或存储器内逻辑（例如铁电场效应晶体管 (FeFET) 应用 6、7 和负电容场效应晶体管）8、9 中引起了越来越多的关注。尽管引起了人们的关注，但问题在于大多数铁电器件都在高电压 6、7 (> 1 V) 下工作，因此与低功率操作不兼容 5。解决这个问题将标志着向前迈出的重要一步，并可能为铁电材料在超 CMOS 器件的出现中开辟道路。
低压高性能 CMOS 电流模式四...
参考年份 电源 (V) 功耗 (µW) –3 dB 带宽 (MHz) 非线性 (%) THD (%) 技术 (μm) [1] 2013 1.2 75 59.7 0.9 N/A 0.18 [8] 2020 1.8 61.9 736 0.93 0.98 (20 µA, 1 MHz) 0.18 [11] 2009 3.3 340 41.8 1.1 0.97 (20 µA, 1 MHz) 0.35 [15] 2009 3.3 240 44.9 1.15 0.76 (20 µA, 1 MHz) 0.35 [23] 2016 2.8 0.521 137 1.12 1.45 (20 µA, 1 MHz） 0.35 [24] 2019 0.8 92 623 0.69 0.97（20 µA，1 MHz） 0.18 [25] 2017 1 0.508 33.52 2.9 2.05（0.1 µA，100 kHz） 0.18 [26] 2018 0.8 770 34.1 2 0.67（50 nA，0.1 MHz） 0.18 [27] 2021 ± 1 700 260 N/A 0.49（±150 µA，1 MHz） 0.5 [28] 2014 1.5 700 230 1.8 N/A 0.18 [29] 2012 ± 0.75 2.3 2.8 0.3 0.7 (20 nA, 1 kHz) 0.35 [30] 2017 1.8 144 62 1.5 1 (10 µA, 10 kHz) 0.18 [31] 2005 2 5.5 0.2 5 0.9 (150 nA, 0.2 MHz) 0.35 [32] 2000 5 N/AN/AN/A 2(50 µA, 10 kHz) 2.4 [33] 2001 3.3 600 3 N/A 1.5 (20 µA, 10 kHz) 2.4 [34] 2014 1 90 N/AN/AN/A 0.18 本研究 ----- 0.75 105 850 0.85 0.42（20微安，1兆赫） 0.18
低压配电及电气安装...
• 记录电能和有功功率、电流、电压、线路频率和温度 • 集成状态采集、运行小时数计数器和跳闸计数器 • 通过对警告消息的早期响应提高系统可用性 • 1 MW 的紧凑宽度可方便地集成到新系统和现有系统中 • 使用 SENTRON powerconfig 移动应用程序或 SENTRON powerconfig 软件快速参数化和调试 • 通过无线方式将最多 24 个具有通信功能的设备中的测量数据传输到 7KN Powercenter 1000 数据收发器，参见第 10/16 页
基于低压体驱动翻转电压跟随器的...
本文提出了一种低压高性能运算跨导放大器设计。所提出的架构基于体驱动准浮栅金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)，支持低压操作并提高放大器的增益。除此之外，通过在输入对处使用翻转电压跟随器结构以及体驱动准浮栅 MOSFET，消除了运算跨导放大器 (OTA) 的尾电流源要求。与传统的体驱动架构相比，所提出的运算跨导放大器的直流 (DC) 增益增加了五倍，单位增益带宽增加了三倍。用于放大器设计的金属氧化物半导体 (MOS) 模型采用 0.18 微米互补金属氧化物半导体 (CMOS) 技术，电源为 0.5 V。
SFM3100 - 低压降模拟流量计
1 除非另有说明，所有传感器规格在 25°C、Vdd = 5V、绝对压力 = 966 mbar 和水平流动方向有效。 2 slm：在标准条件下（T = 20 °C，p = 1013.25 mbar）测量的质量流量，单位为升/分钟。 3 对于“典型值”，CpK 目标为 0.67（95% 的传感器在典型值限值内）。 4 对于“最大值”，超出此限值的传感器将不发货，CpK 目标为 1.33。 5 包括偏移、非线性、滞后。 6 总精度/噪声水平/分辨率是偏移和跨度精度/噪声水平/分辨率的总和。 7 精度适用于 T（气体）=T（芯片）。 8 %mv = % 测量值 = % 读数。 9 噪声水平定义为单个传感器读数的标准偏差，以全采样率测量（典型值：噪声水平的平均值；最大值：至少99.99% 的传感器的噪声水平低于指示值）10 如果适用，这些影响需要添加到初始值中
通过低压扫描电子显微镜
在低电子能量的扫描电子显微镜（SEM）中，损伤诱导的电压改变（DIVA）对比度机制已作为一种快速且方便的方法，可以直接可视化硝酸盐（GAN）中能量离子辐照引起的电阻率的增加。在覆盖有金属面膜的蓝宝石上外上植物生长的gan层，并在600 keV能量下受到He 2 +辐射的约束。在不同的电子束电流和扫描速度下，在SEM上成像样品横截面处的二维损伤曲线。通过电子束照射沉积的累积电荷的增加观察到了图像对比的逐渐发展，以最终达到与GAN离子辐射部分的局部电阻率相关的对比度的饱和水平。提出的方法允许人们直接可视化离子辐照区域，即使是由于离子损伤导致的最低电阻率变化，即用离子辐照后，甘恩的所有级别的绝缘层堆积。考虑到不可能将湿化学的蚀刻技术应用于GAN，它使提出的技术成为基于GAN-基于GAN-基于电子设备的高度抗性和绝缘区域的可视化方法。提出的作品的主要目的是更深入地了解GAN中的Diva对比，特别强调讨论栅格速度和电子束电流的作用，即电荷堆积的细节样品表面。
