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CA9555 低压 16 位 I2C 和 SMBus I/O 扩展器...
该芯片是一个16位I/O扩展器。它通过I 2 C或SMBus接口为大多数MCU系列提供远程GPIO扩展。CA9555有两个8位输入端口寄存器、输出端口寄存器、配置寄存器（设置为输入或输出）和极性反转寄存器（高电平有效或低电平有效）。上电后，16个I/O引脚配置为输入，并带有至V CC 的内部弱上拉电阻。然而，主机可以通过设置配置寄存器位单独将I/O引脚启用为输入或输出。如果没有外部信号施加到CA9555的I/O引脚，由于内部上拉电阻，电压电平为高。每个输入或输出的数据都存储在相应的输入或输出端口寄存器中。输入端口寄存器的极性可以通过极性反转寄存器反转。主机可以使用上电复位功能复位芯片，复位可能是由于超时或其他不当操作引起的，该功能将所有寄存器复位为默认状态并初始化 I 2 C/SMBus 状态机。该芯片具有输出锁存功能，可在使用高电流能力直接驱动 LED 时保护芯片。当任何输入状态与其对应的输入端口寄存器状态不同时，CA9555 开漏中断输出将被激活，并用于向系统主机指示输入状态已发生变化。可用封装：TSSOP-24、QFN4x4-24 封装。
DRV5015 低压、高灵敏度、数字锁存霍尔效应传感器
8.1 应用信息 ................................................................ 13 8.2 典型应用 .............................................................. 13 8.3 要做什么和不要做什么 .............................................. 16 9 电源建议 .............................................................. 17 10 布局 .............................................................................. 17 10.1 布局指南 .............................................................. 17 10.2 布局示例 .............................................................. 17 11 器件和文档支持 ...................................................... 18 11.1 文档支持 ............................................................. 18 11.2 接收文档更新通知 18 11.3 社区资源 ............................................................. 18 11.4 商标.................................................................... 18 11.5 静电放电警告 ............................................................. 18 11.6 术语表 .................................................................... 18 12 机械、封装和可订购信息 .......................................................................... 18
DRV5015 低压、高灵敏度、数字锁存霍尔效应传感器数据表 (Rev. A)
DRV5015 是一款磁性传感器，具有数字输出，可锁存最近测量的极点。上电期间，如果没有外部磁场，DRV5015A1 和 DRV5015A2 默认为低输出状态，而 DRV5015A3 默认为高输出状态。在封装顶部附近施加南磁极会导致 DRV5015A1 和 DRV5015A2 输出驱动为低，而北磁极会导致此输出驱动为高。在封装顶部附近施加南磁极会导致 DRV5015A3 输出驱动为高，而北磁极会导致此输出驱动为低。没有磁场会导致输出继续驱动当前状态，无论是低还是高。
低压高输出电阻电流镜设计
如今，尤其是对于便携式设备而言，低功耗是延长电池寿命的基本约束。在这种情况下，传统电路无法满足要求。需要重新设计采用较低技术的电路，使其在减少供电的情况下也能正常工作，这是设计师的主要关注点。虽然规模化技术有助于通过要求低供电来降低功耗，但同时，如果设计是模拟的，二阶效应就会变得突出。在数字中，这种影响不会使性能下降太多。在任何 IC 中，性能都由用于构建它的组件决定。如果 IC 中使用的子块消耗的功率较低，则意味着整个系统的性能会更好。对于模拟 IC，电流镜是广泛用于大多数电路的基本块之一。电流镜的理想特性包括大动态范围、宽带宽、低输入电阻和高输出电阻。然而，在纳米技术中，
利用径向流环形反应器实现较低压降的热化学储能
印度班加罗尔 pujari.ankush@iitb.ac.in; rudrodip@nias.res.in; sandip.saha@iitb.ac.in 摘要 - 热化学储能 (TCES) 因其高热能密度和在相当长的时间内可靠的保温而没有显著损失，在季节性储热和空间加热应用中越来越受到关注。盐水合物和潮湿空气基固气反应对已被证明对空间加热特别有用。以电能形式吹过填料床反应器所需的辅助功率是一个重要的考虑因素，因为它取决于系统的各种设计参数。本研究提出了一种径向流环形反应器配置。它显示流动工作要求减少了 65%-80%。需要优化流动方向和流速等参数以获得更好的性能并确保更少的流动工作要求。关键词：热化学储能、径向流、环形反应器、压降。1. 简介
数据表：ZCS低压电池
*为了确保最高性能，建议在15°C和40°C之间的受控温度环境中安装（低于15°C以下电池，电池通过限制充电电流和低于0°C的电池停止充电来保护自己电池的条件以及电池连接的逆变器。请参阅逆变器数据表，以进行实际充电和排放电流
低压配电网光伏系统电池储能最佳实践：以泰国省电力局网络为例
摘要：本研究调查了由于太阳能光伏 (PV) 渗透导致省电力局 (PEA) 低压 (LV) 网络电压曲线上升的情况。本研究提出了通过使用电池储能系统 (BESS) 应用将电压曲线保持在 PEA 标准限制范围内的解决方案。使用二分法确定 BESS 最佳大小和位置的算法在夏季/冬季和周末/工作日行为等不同场景下进行了检查和模拟。此外，还考虑了在不同位置分配电池。带有 DPL 脚本和 Python 的 DIgSILENT 发电厂是用于涵盖不同场景情况的工具。结果表明，如何实施 BESS 来解决电压上升问题的最佳实践是在配电变压器处安装 BESS，并在靠近负载的每个馈线末端分别安装 BESS。然而，在配电变压器处安装 BESS 的最佳尺寸几乎是在每个馈线末端安装的两倍。
适用于低压应用的高增益两级体驱动运算跨导放大器 (OTA) 的设计
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适用于2.5V纳米集成电路的超低压触发可控硅ESD保护装置
可控硅整流器 (SCR) 因其对 ESD 应力的高稳定性而成为最具吸引力的 ESD 防护元件 [1]。然而，传统 SCR 器件具有较高的触发电压 (Vt1) 和较低的维持电压 (Vh) [2,3]。因此，它无法在大多数电路中提供有效的 ESD 防护。为了解决这些问题，许多基于局部的改进 ESD 防护方案被提出，例如改进型横向 SCR (MLSCR)、低触发 SCR (LVTSCR) 和二极管串触发 SCR (DTSCR) [4,5]。其中，DTSCR 能够实现非常低且灵活的触发电压，近年来许多基于 DTSCR 的改进结构被提出。例如，Chen、Du 等人提出了一种称为 LTC-DTSCR 的新型 DTSCR [6]。 LTC-DTSCR通过抑制DTSCR寄生SCR的触发，进一步降低了触发电压。但DTSCR结构相对较高的过冲电压和较慢的导通速度限制了其在充电器件模型（CDM）保护中的应用[7]。此外，DTSCR不适用于2.5 V及以上电路的ESD防护，因为触发二极管数量的增加会因达林顿效应而导致较大的漏电和闩锁风险。LVTSCR与传统SCR存在同样的问题：触发电压过高，难以调整以适应先进CMOS工艺的ESD设计窗口。目前，[8，9]中已提出了几种改进的LVTSCR结构，但它们均侧重于提高保持电压，这些器件的触发电压仍然较高（~8 V）。此外，还有许多新型SCR结构被提出。 Lin 等通过在 SCR 中引入两个栅极，实现了低触发电压、低漏电、低寄生电容的新型 SCR 器件 [10]，但需要外部 RC 电路辅助触发，会造成巨大的额外面积消耗。P. Galy 等将 SCR 嵌入 BIMOS 中 [11]，实现了超紧凑布局、低触发电压、低导通电阻，但其保持电压较低，如果施加的电压域较高，会增加闩锁风险。
电气化解决方案 - MNS® 低压开关设备 - ABB
MNS Digital 是 30 多年数字开关设备经验的结晶，是一款智能、可扩展的低压开关设备。其基于物联网 (IoT) 的互联技术可实现远程操作和监控，并支持基于条件的维护。简而言之，它可以帮助您在价值链的每个环节实现价值。