低温传输

p型门的低温传输特性 -

摘要：基于主流的块状结局效果晶体管（Finfet）技术，制造了16 nm-L G P型栅极栅极硅纳米线（Si NW）金属氧化物半氧化物晶体管效应晶体管（MOSFET）。已系统地研究了正常MOSFET的电气特性以及低温时的量子运输的温度依赖性。我们证明了GAA SI NW MOSFET的低温栅极控制能力和身体效应的免疫力，并观察纳米线（110）通道方向子频段结构的两倍退化孔子带的运输。此外，在GAA SI NW MOSFET中证明了明显的弹道传输特性。由于存在典型MOSFET的间隔物，因此在较低的偏差下也成功实现了量子干扰。