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硅传感器研发混合 SoI CMOS 单片 CCPD 演示器 CLICpix Cracov CLIPS (CLIC) ALICE 调查员 CLICTD Malta/Monopix ATLASpix(Mu3ePix) C3DP+CLICpix 传感器平面平面平面 HR-CMOS 标准 HR-CMOS 改进工艺 HV-CMOS 连接至读出电子元件凸块粘合 SoI SoI 单片单片单片 CC 带胶 ASIC 技术 (nm) 65 200 200 180(TJ) 180(TJ) 180(TJ)/150(LF) 180(AMS)/150(LF) 65 厚度 (µm) 50 / 200 300 / 500 100 / 500 100 50 / 100 100 60 50 间距/单元尺寸 (µm x µm) 25 x 25 30 x 30 20 x 20 28 x 28 30 x 300 36 x 36 40 x 130 25 x 25 命中分辨率 (µm) 9 / 3.5 5/2 4 4 12 7 时间分辨率 (ns) 6 < 10 5 7 最大 NIEL (1 MeV neq/cm2)/TID (Mrad) O(10