摘要 在胚胎干细胞 (ESC) 中,核心转录因子 (TF) 网络建立了多能性所必需的基因表达程序。为了解决四种关键 TF 之间的相互作用如何促进小鼠 ESC 中的顺式调控,我们分析了两个由 SOX2、POU5F1 (OCT4)、KLF4 和 ESRRB 的结合位点组成的大规模并行报告分析 (MPRA) 文库。合成的顺式调控元件与具有可比结合位点配置的基因组序列之间的比较揭示了调控语法的某些方面。合成元件的表达受结合位点的数量和排列的影响。这种语法对基因组序列的作用很小,因为基因组序列的相对活性最好通过预测的结合位点占用率来解释,而与结合位点身份和定位无关。我们的结果表明,转录因子结合位点 (TFBS) 的影响受位点顺序和方向的影响,但在基因组中,TF 的整体占用率是活性的主要决定因素。
多细胞动物的摘要需要polycomb组蛋白的表观遗传抑制。后者在多种亚基X es中组装,其中两种,poly comb r ePressiv e comple x 1(pr c1)和poly comb r e:re atressiv e comple x 2(prc2),起作用,以抑制k e y de v e v elopmental基因。ho w pr c1和pr c2识别特定基因仍然是一个悬而未决的问题。在这里,我们报告了数百个DNA元素的鉴定,这些DNA元素将规范PRC1绑定到人类发育基因。我们使用该术语系列来描述在某些基因组部位在某些基因组部位显着存在的过程,尽管该复合物不太可能直接与DNA相互作用。详细的分析表明,与PRC1束缚相关的序列特征与F a v我们的PR C2结合的序列特征不同。t hrought the Genome,两种序列的特征是不同比例混合的,以产生一系列的DNA元素,这些元素的范围从主要是prc1或prc2到能够束缚这两种复合物的元素。新兴图片类似于果蝇的多梳子响应元件(PRES)对polycomb络合物的范式靶向,但可塑性是较高的。
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雄激素受体 (AR) 顺反组在前列腺细胞身份的形成中至关重要,而其失调会促进前列腺癌的发展。先驱转录因子 Forkhead box A1 (FOXA1) 已被证明对 AR 募集到雄激素反应元件 (ARE) 至关重要,从而允许对 AR 顺反组进行重新编程,导致前列腺细胞转化。FHD-286 是一种 BRM/BRG1 双 ATPase 抑制剂,目前正在进行 AML 临床试验。在这里,我们表明用 FHD-286 治疗前列腺癌细胞系会导致肿瘤相关 AR 结合位点 (T-ARBS) 处 FOXA1 介导的 ARE 消融。双 ATPase 治疗随后降低了各种致癌 AR 靶基因的表达水平,导致肿瘤细胞活力下降。患者来源的类器官和体内研究均通过显示肿瘤生长减少提供了进一步的验证。令人惊讶的是,抑制 BAF 复合物活性可绕过去势和恩杂鲁胺治疗后常见的 AR 抗性机制,因为含有 AR-V7 剪接变体和神经内分泌类器官的细胞系表现出敏感性。总之,我们的数据说明了通过使用 FHD-286 治疗抑制肿瘤相关 ARE 来治疗 AR 介导的前列腺癌的一种新机制。
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[学分:4 (3Th + 1P)] ELT-H-CC-1-1-TH 课程名称:电路理论和电子设备基础 [学分:3;授课时数:45] UNIT-I [12 小时] 电路元件:电阻和电阻器:类型、颜色编码和额定功率,可变电阻器,电容和电容器:类型、颜色编码和额定电压,电感和电感器:类型、颜色编码,电感线圈,空心和铁心线圈,自感和互感,变压器。电路分析:电压和电流源的概念,与电感器相关的磁通漏守恒和与电容器相关的电荷,基尔霍夫电压定律,基尔霍夫电流定律,电压和电流源的变换,网格分析和节点分析,星三角网络和转换。直流分析:直流激励下串联 RL 和 RC 电路的瞬态响应。交流分析:电路参数响应、交流激励下串联 RL、RC 和 RLC 电路的频率响应、电感器和电容器的品质因数 (Q)、串联和并联谐振电路、Q 因数。网络定理:叠加定理、戴维南定理、诺顿定理、互易定理和最大功率传输定理。第二单元 [11 小时] 半导体基础:半导体材料:类型和特性,固体能带的概念:金属、绝缘体和半导体、本征和非本征半导体、P 型和 N 型半导体、能带图、有效质量的概念、直接和间接带隙半导体、费米能级、态密度、半导体中电流传导的机制(漂移和扩散)、漂移速度、迁移率、电阻率、电导率、霍尔效应(无推导)。结型二极管及其应用:PN 结:晶圆级结构、能带图、耗尽层、二极管方程和 IV 特性、理想二极管、静态和动态电阻、反向饱和电流、齐纳和雪崩击穿、齐纳二极管、作为电压调节器的齐纳二极管、整流器:半波整流器、全波整流器(中心抽头和桥式)、峰值反向电压、纹波系数、效率、线路调节率、负载调节率、变压器利用率、并联电容滤波器、泄放电阻器的概念。
xxviii. 光电子学 xxix. 量子物理与器件 xxx. 三维集成电路 xxxi. 集成电路与微电子系统中的 ESD 防护设计专题 xxxii. 半导体光电器件与物理 xxxiii. 材料分析 xxxiv. 自旋电子学器件与磁存储器 xxxv. 纳米线与无结晶体管 xxxvi. 对于以上未列出的其他课程,请与学院管理人员协商批准。