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在聚焦离子束形样品中控制晶体裂解的表面光谱
我们对量子材料的理解通常是基于通过光谱均值（最著名的是角度分辨光发射光谱（ARPE）和扫描隧道显微镜的精确确定其电子光谱的。都需要原子清洁和平坦的晶体表面，这些表面是通过在超高真空室中进行原位机械裂解来制备的。我们提出了一种新的方法，该方法解决了当前最新方法的三个主要问题：（1）切割是一种高度的稳定性，因此是一种效率低下的过程； （2）断裂过程受散装晶体中的键支配，许多材料和表面根本不会切割； （3）裂解的位置是随机的，可以防止在指定的感兴趣区域收集数据。我们的新工作流程是基于微型晶体的聚焦离子光束加工，其中形状（而不是晶体）各向异性决定了裂解平面，可以将其放置在特定的目标层上。作为原则证明，我们显示了ARPES沿AC平面的SR 2 RUO 4的微裂解和SRTIO 3的两个表面取向产生，这是众所周知的很难裂解立方钙钛矿。
表面区域条带增强在Kagome超导体上的贵族气体吸附辅助角度分辨光谱光谱$ {\ rm {rb}}} {{{\ rm {v}}} _ 3} {\ rm {s}}} {{{\ rm {b}}}} _ 5} _ 5} $
表面区域附近的电子状态可能与散装状态不同，这对于理解在表面和半导体，能量和催化剂中的各种物理现象中至关重要。在这里，我们通过将具有纤维控制的贵重气体沉积贵重气体，报告了角度分辨光发射光谱的异常表面区域带增强效应。与常规的表面污染相反，在贵族气体吸附的情况下，表面区域SB带的强度可以增强三倍以上。同时，对增强的表面区域带观察到了孔掺杂效应，其他频带几乎不变。掺杂效果更明显，较重的贵重气体。我们提出，贵族天然气原子有选择地将碱金属空缺位点填充在地面上，从而改善了表面状况，增强了表面区域带，并有效地将其与Pauli排斥机制相兴奋。我们的结果提供了一种独特而可逆的方法，可以通过受控的表面贵族加气沉积来改善表面条件和调整表面区域。
对比机制的of-Osmium in-Electron- ...
具有可视化化学，结构和神经生物学至关重要的纳米级亚细胞结构。尤其是四氧化os已被广泛用于选择性脂质成像。尽管使用无处不在，但脂质膜中的oSmium物种形成以及电子显微镜（EM）中图像对比的机制始终是开放的问题，限制了改善染色方案并改善生物样品的高分辨率成像的努力。以我们最近的成功使用光发射电子显微镜（PEEM）来对小鼠脑组织进行15 nm的亚细胞分辨率图像，我们已经使用PEEM来确定脂质膜中OS染色的化学对比机制。os（iv）以OSO 2的形式产生脂质膜中的聚集体，导致了状态的电子结构和电子密度的强烈空间变化。OSO 2具有金属电子结构，可逐渐增加费米水平附近状态的电子密度。将金属OSO 2沉积在脂质膜上，可以强烈增强生物材料的EM信号。膜对比机械的这种不明显
化学诱导的C-Cu共价键在CVD-Graphene/单晶Cu（111）界面
通过化学蒸气沉积（CVD）在CU（111）底物上生长的石墨烯开放表面的部分氢化，导致形成由界面C-Cu共价键合稳定的晶体Sp³sp³杂交碳单层。这种过渡是可逆的，加热几乎可以完全恢复原始的石墨烯 - 铜结构。石墨烯-CU系统的特征是弱的范德华相互作用，这是产生C-Cu键合的第一个转换。通过广泛的光谱表征（拉曼，X射线光电子，X射线吸收精细的结构和价频段光发射光谱）和基于密度功能理论（DFT）的理论分析），我们发现弱范德尔（dft通过加热回到其最初的物理状态。对石墨烯-CU相互作用的这种可逆控制为基于石墨烯的设备设计和操纵开辟了新的途径。此外，这种含有C-金属底物键的Sp³杂交碳单层可能会成为大区域钻石膜生长的种子层。
通过动态伦敦理论计算的超导体中的冷却周期
第二定律以不同的版本存在可能产生不同的后果[1]。到目前为止，在文献中找不到通常有效的版本。因此，人们普遍认为，第二定律必须作为最大熵的原理提出。对其一般有效性的实质性怀疑是因为发现了（相对纯）电容和归纳元件的倒滞后。aha-roni [2]首先提到，这些观察结果暗示了违反第二定律，因为仅在一个热浴温度下进行了倒电（或磁性）（磁性）（磁性）（增益）周期。文献研究[3]回顾了最佳候选人。对于大多数候选系统，索赔不足 - 因为直接的能量测量几乎总是缺少。Santhanan等人的工作。[4]描述了一种过度不正常的效果：此处，IR-Diode的光能发射高于小型刺激正向电流的输入能量。显然，热环境的热能（135 o C）增加了光发射。这可能是由声子辅助发射引起的[5] [6]。也可以在量子点触发率的进化滞后中找到这种效果[3] [5]。
IMX560 -AAMV-索尼半导体解决方案
IMX560-AAMV是一种对角线6.25 mm（1/2.9）单光子雪崩二极管（SPAD）TOF深度传感器，带有信号放大像素。通过将597×168的蜘蛛数驱动并求和它们的输出，可以从距离信息中生成3D距离图像，并且可以实现高达300 m的测量距离。可以根据应用程序调整范围操作时的SPAD（宏像素大小）数量。范围操作是通过1 GHz采样操作的，并且生成具有TOF宽度为2024 BIN的直方图（2024 ns）的直方图和12位灰度宽度的宽度，并且可以从结果中检测到Echo的ECHO和峰值。其环境光消除功能可确保其在阳光下更稳定，并且可以在高动态范围内实现距离测量值。其光发射时间控制功能能够补偿激光发射和接收之间的时间延迟。配备了回声和峰值检测功能，数据输出模式，数字信号处理等等，它已进行了优化，以满足LIDAR所需的性能和功能。（应用：FA LIDAR摄像机，工业激光摄像头）
AU/GAN和PEDOT的电气性能
I.引入电子组件的发展，例如Schottky二极管，MOS，晶体管和金属分离的半导体，GAN通常使用（MIS）。et cetera。[1-3]。氮化壳是一种非常有前途的材料，用于具有高强度，高频率和宽频率和高电子速度饱和的半导体材料。氮化岩二进制化合物是一种半导体直接带隙，其晶格参数=4.52Å，Eg = 3.22 eV，属于III-V家族的300 K [4]。此二进制化合物（LED），光电探测器（MSM），激光二极管，太阳能电池施加和现场效应微波晶体管[5-9]是光发射二极管中的有前途的材料。gan的高频特性使其适用于高频和高功率应用。[10，11]。已经对Schottky二极管设备生产的许多理论和实验研究进行了研究（Metal-GAN）。项目已经研究了在不同频率下1 kHz-1 MHz范围内Au / Nio / Gan Schottky二极管的电子参数和频率依赖性。
用于 CMOS 光子学的低压、高亮度硅微型 LED
摘要——采用 CMOS 工艺实现的硅光子学已经改变了计算、通信、传感和成像领域。尽管硅是一种间接带隙材料，阻碍了高效发光，但在高压反向击穿雪崩模式下工作时在发射宽带可见光的硅 pn 结领域已经进行了大量研究。在这里，我们展示了在开放式代工厂微电子 CMOS 工艺 55BCDLite 中实现的正向偏置硅微发光二极管 (micro-LED) 的高亮度近红外 (NIR) 光发射，无需任何修改。在室温连续波操作下，对于直径为 4 µ m 的器件，在低于 2.5 V 的电压下，在中心波长为 1020 nm 处实现了超过 40 mW/cm 2 的外部发光强度。这是通过采用具有保护环设计的深垂直结来实现的，以确保载流子传输远离器件表面和非辐射复合通常占主导地位的材料界面。在这里，我们还展示了仅使用标准多模光纤和单片集成 CMOS 微型 LED 和探测器的完整芯片到芯片通信链路。
nodal自我...
在高t c酸酯中发现的异常奇怪的金属相并不遵循费米液体中所述的常规凝结原理，并给理论带来了巨大的挑战。电子自我能量的高度精确的实验确定可以为奇怪金属的理论模型提供测试床，而角度分辨的光发射可以作为频率，动量，温度和掺杂的函数。在这里我们表明，在（pb，bi）2 sr 2-x la x cuo 6+δ的（pb，bi）中的恒定光谱函数中，恒定的能量具有非洛伦兹线形状，与依赖k的自我一致。这为有抱负的理论提供了新的测试。在这里，我们表明，通过具有k依赖性的缩放指数的功率定律可以很好地捕获实验数据，并通过掺杂顺畅地演变出来，这种描述自然而然地从反DE保姆/基于综合的基于理论的半学性范围内出现。这将全息方法引起了人们的关注，用于定量建模强烈相互作用的量子材料（例如铜质奇怪的金属）。
具有相干自旋控制的单个碳化硅色心的 Purcell 增强
摘要：碳化硅最近被开发为光学可寻址自旋缺陷的平台。特别是，4H 多型体中的中性双空位显示出光学可寻址的自旋 1 基态和近红外光发射。在这里，我们展示了耦合到光子晶体腔的单个中性双空位的 Purcell 增强。我们利用纳米光刻技术和掺杂剂选择性光电化学蚀刻的组合来产生质量因子超过 5000 的悬浮腔。随后与单个双空位的耦合导致 Purcell 因子约为 50，表现为零声子线的光致发光增加和激发态寿命缩短。此外，我们测量了腔纳米结构内双空位基态自旋的相干控制，并通过动态解耦证明了扩展的相干性。这种自旋腔系统代表了使用碳化硅的可扩展长距离纠缠协议的进步，该协议需要来自空间分离的单个量子比特的不可区分光子的干涉。关键词：碳化硅、双空位、单自旋缺陷、珀塞尔增强、相干自旋控制、光子晶体腔