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World File Search System六方
协同改善热导率...
通过控制 SiC 纳米粒子的选择性定位和表面改性实现聚苯乙烯/聚偏氟乙烯共混物的导电性和阻燃性，ACS Appl. Mater. Interfaces 5 (2013) 6915–6924。11. QH Weng、XB Wang、X. Wang、Y. Bando、D. Golberg，功能化六方硼
TUe 硅激光器
过去 50 年来，世界各地的研究人员一直在寻找制造硅基或锗基激光器的方法。埃因霍温工业大学 (TU/e) 和慕尼黑工业大学 (TUM) 的研究团队与耶拿大学和林茨大学的同事合作，现已开发出一种可以发光的硅锗合金（EMT Fadaly 等人，《六方 Ge 和 SiGe 合金的直接带隙发射》，Nature vol580，p205（2020 年 4 月 8 日）；DOI：10.1038/s41586-020-2150-y）。因此，人们认为，开发能够集成到现有芯片中的硅激光器首次指日可待。硅通常以立方晶格结晶，由于具有间接带隙，这种形式不适合将电子转换为光。研究团队迈出的关键一步是能够利用具有六方晶格的锗和硅生产锗和合金。“这种材料具有直接带隙，因此可以自行发光，”慕尼黑工业大学半导体量子纳米系统教授乔纳森·芬利 (Jonathan Finley) 说道。
纳米材料中的原子缺陷及其在集成量子技术中的应用
量子技术（包括通信、计算和传感）在很大程度上依赖于量子系统的特性（包括自旋和光子）来编码、处理和传输信息。纳米材料中的原子缺陷（例如金刚石纳米晶体和六方氮化硼 (hBN)）代表了这些技术的有前途的平台。这些由晶格不规则性形成的缺陷中心在紧凑性、可扩展性和可集成性方面具有无与伦比的优势，使其成为先进量子设备的首选。然而，退相干和外部扰动带来的挑战限制了系统性能，仍然是重大障碍。
碳掺杂二维材料中的人工智能能隙预测：利用 Behler-Parrinello 描述符实现高密度系统
摘要 在本研究中，我们使用机器学习 (ML) 技术探索了碳掺杂六方氮化硼 (h-BN) 薄片的电子特性。六方氮化硼是一种被广泛研究的二维材料，具有出色的机械、热学和电子特性，使其适用于纳米电子学和光电子学应用。通过用碳原子掺杂 h-BN 晶格，我们旨在研究掺杂如何影响其电子结构，特别关注基态能量和 HOMO-LUMO 间隙。我们生成了一个包含 2076 个 h-BN 薄片的数据集，这些薄片被氢饱和并掺杂了随机变化浓度的碳原子。选择了三种典型的掺杂场景——一个、十个和二十个碳原子——进行深入分析。使用密度泛函理论 (DFT) 计算，我们确定了这些配置的基态能量和 HOMO-LUMO 间隙。使用 Behler-Parrinello 原子对称函数从优化结构生成描述符，这些描述符捕获了 ML 模型的关键特征。我们采用了随机森林和梯度提升模型来预测能量和 HOMO-LUMO 间隙，实现了较高的预测准确率，R 平方值分别为 0.84 和 0.87。这项研究证明了 ML 技术在预测掺杂 2D 材料特性方面的潜力，为传统方法提供了一种更快、更经济的替代方案，对纳米电子、储能和传感器领域的材料设计具有广泛的意义。
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Igor Aharonovich 是一位屡获殊荣的科学家，致力于研究能够生成、编码和分发量子信息的量子源的前沿研究。作为 UTS 数学和物理科学学院的教授，Igor 研究固体中的光学活性缺陷，旨在识别新一代超亮固态量子发射器。他对该领域的贡献包括发现金刚石和六方氮化硼中的新色心，以及开发利用这些材料设计纳米光子器件的新方法。他是 ARC 变革性超光学材料 (TMOS) 卓越中心的首席研究员，并领导一项国际合作，研究纳米材料六方氮化硼 (hBN) 中晶体缺陷或缺陷的化学结构。 2013 年，他在 UTS 成立了纳米光子学研究小组，2015 年晋升为副教授，2018 年晋升为正教授。他的研究小组探索宽带隙材料中的新量子发射器，旨在在单个芯片上制造量子纳米光子器件，用于下一代量子计算、密码学和生物传感。2016 年，Igor 和他的团队发现了第一个基于 hBN 缺陷的 2D 材料中的量子发射器，它们在室温下工作。他合著了 200 多篇同行评审的出版物，其中包括一篇被引用次数最多的关于金刚石光子学的评论。他还为固体纳米光子学撰写了路线图
瑞典退休金系统和养老金预测，直到2070年
目前的瑞典公共老年养老金系统于2003年完全实施。与收入相关的老年养老金系统由概念定义的贡献（NDC）付费组件和完全资助的定义缴款（DC）养老金组成。1两者都基于终身收入和个人帐户。此外，还有一个经过养老金收入测试的充值，保证退休金，由中央政府预算中的一般税款提供资金。相同的养老金规则适用于所有人员，无论职业部门以及员工和自雇人士。老年养老金制度是独立的，因为收入和支出受固定的规则，而不是政府预算的一部分。由议会的六方工作组决定其规则的同意，进一步加强了这种独立性。
铁磁体堆栈和过渡金属二硫族化合物 NbSe2 中的太赫兹自旋到电荷电流转换
过渡金属二硫属化物 [1] (TMDC) 是一类具有 C-TM-C 堆积结构的新兴材料，其中 C 和 TM 分别表示硫属原子（例如 Se 或 S）和过渡金属原子（例如 Nb、W 或 Mo）。在过去十年中，TMDC 单层由于其独特的电子和光学特性而引起了广泛关注 [2–12]。此类准二维材料的六方晶体结构意味着其电子能带结构中存在不等价的 K 谷，从而产生了谷自由度和基于谷的电子功能（谷电子学）。[13] TM 原子提供大的自旋轨道耦合 (SOC)，[14] 从而导致其他独特特性，例如自旋谷锁定、[15]
铁磁体堆栈和过渡金属二硫族化合物 NbSe2 中的太赫兹自旋到电荷电流转换
过渡金属二硫属化物 [1] (TMDC) 是一类具有 C-TM-C 堆积结构的新兴材料，其中 C 和 TM 分别表示硫属原子（例如 Se 或 S）和过渡金属原子（例如 Nb、W 或 Mo）。在过去十年中，TMDC 单层由于其独特的电子和光学特性而引起了广泛关注 [2–12]。此类准二维材料的六方晶体结构意味着其电子能带结构中存在不等价的 K 谷，从而产生了谷自由度和基于谷的电子功能（谷电子学）。[13] TM 原子提供大的自旋轨道耦合 (SOC)，[14] 从而导致其他独特特性，例如自旋谷锁定、[15]
铁磁体堆栈和过渡金属二硫族化物 NbSe 2中的太赫兹自旋到电荷电流转换
过渡金属二硫属化物 [1] (TMDC) 是一类具有 C-TM-C 堆积结构的新兴材料，其中 C 和 TM 分别表示硫属原子（例如 Se 或 S）和过渡金属原子（例如 Nb、W 或 Mo）。在过去十年中，TMDC 单层由于其独特的电子和光学特性而引起了广泛关注 [2–12]。此类准二维材料的六方晶体结构意味着其电子能带结构中存在不等价的 K 谷，从而产生了谷自由度和基于谷的电子功能（谷电子学）。[13] TM 原子提供大的自旋轨道耦合 (SOC)，[14] 从而导致其他独特特性，例如自旋谷锁定、[15]
铁磁体堆栈和过渡金属二硫族化合物 NbSe2 中的太赫兹自旋到电荷电流转换
过渡金属二硫属化物 [1] (TMDC) 是一类具有 C-TM-C 堆积结构的新兴材料，其中 C 和 TM 分别表示硫属原子（例如 Se 或 S）和过渡金属原子（例如 Nb、W 或 Mo）。在过去十年中，TMDC 单层由于其独特的电子和光学特性而引起了广泛关注 [2–12]。此类准二维材料的六方晶体结构意味着其电子能带结构中存在不等价的 K 谷，从而产生了谷自由度和基于谷的电子功能（谷电子学）。[13] TM 原子提供大的自旋轨道耦合 (SOC)，[14] 从而导致其他独特特性，例如自旋谷锁定、[15]