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无添加剂、低温结晶稳定 α ...
甲脒铅三碘化物 (FAPbI 3 ) 已成为金属卤化物钙钛矿家族中高效、稳定的钙钛矿太阳能电池 (PSC) 的有希望的候选者，尤其是与早期的甲基铵铅三碘化物 (MAPbI 3 ) 原型相比。这是因为 FAPbI 3 具有更窄的带隙能量 ≈ 1.45 eV——更接近 Shockley-Queisser 最优 [1]——并且比 MAPbI 3 更热稳定。[2] 然而，α 相 FAPbI 3 的形成通常需要高温退火 (≥ 150 ° C) 数十分钟，[3] 而获得的 α -FAPbI 3 在室温下是亚稳态的，因为它会迅速降解为光惰性的非钙钛矿同质异形体 (δ-FAPbI 3 )。 [4] 钙钛矿相的亚稳态归因于甲脒（FA +）的尺寸相对较大，导致Gold-schmidt容忍因子> 1，从而驱动六方晶体结构而不是立方晶体结构的形成。[5]
无添加剂、低温结晶稳定 α ...
甲脒铅三碘化物 (FAPbI 3 ) 已成为金属卤化物钙钛矿家族中高效、稳定的钙钛矿太阳能电池 (PSC) 的有希望的候选者，尤其是与早期的甲基铵铅三碘化物 (MAPbI 3 ) 原型相比。这是因为 FAPbI 3 具有更窄的带隙能量 ≈ 1.45 eV——更接近 Shockley-Queisser 最优 [1]——并且比 MAPbI 3 更热稳定。[2] 然而，α 相 FAPbI 3 的形成通常需要高温退火 (≥ 150 ° C) 数十分钟，[3] 而获得的 α -FAPbI 3 在室温下是亚稳态的，因为它会迅速降解为光惰性的非钙钛矿同质异形体 (δ-FAPbI 3 )。 [4] 钙钛矿相的亚稳态归因于甲脒（FA +）的尺寸相对较大，导致Gold-schmidt容忍因子> 1，从而驱动六方晶体结构而不是立方晶体结构的形成。[5]
欧拉的三十六名纠缠军官：经典难题的量子解
欧拉著名问题的 36 个官员问题的负解意味着不存在两个六阶正交拉丁方。我们证明，只要官员们相互纠缠，这个问题就有解，并构造出这种大小的正交量子拉丁方。结果，我们找到了一个长期难以捉摸的绝对最大纠缠态 AME(4,6) 的例子，它由四个子系统组成，每个子系统有六个级别，等效于一个大小为 36 的 2 酉矩阵，它可以最大化这个维度的所有二分酉门之间的纠缠能力，或者一个完美的张量，有四个指标，每个指标从一到六。这种特殊状态应该被称为黄金 AME 状态，因为黄金比率在它的元素中占有突出地位。这个结果使我们能够构造一个纯非加性六方量子误差检测码 ðð 3 ; 6 ; 2ÞÞ6，它饱和了单例边界并允许人们将六级状态编码为三重态。
腔增强二维材料量子发射器与氮化硅微谐振器确定性集成 K. Parto, 1, a) SI Azzam, 1, 2, a)
二维材料中的光学活性缺陷，例如六方氮化硼 (hBN) 和过渡金属二硫属化物 (TMD)，是一类极具吸引力的单光子发射体，具有高亮度、室温操作、发射体阵列的位点特定工程以及可通过外部应变和电场进行调谐的特性。在这项工作中，我们展示了一种新方法，可在无背景的氮化硅微环谐振器中精确对准和嵌入 hBN 和 TMD。通过 Purcell 效应，高纯度 hBN 发射体在室温下表现出高达 46% 的腔增强光谱耦合效率，这几乎超出了无腔波导发射体耦合的理论极限和之前的演示。该设备采用与 CMOS 兼容的工艺制造，不会降低二维材料的光学性能，且对热退火具有稳定性，并且在单模波导内量子发射器的定位精度达到 100 纳米，为具有按需单光子源的可扩展量子光子芯片开辟了道路。
两种材料的机械、弹性和粘合性能 - IRIS
二维材料，如石墨烯、六方氮化硼 (hBN) 和过渡金属二硫属化物 (TMD)，本质上具有柔韧性，可以承受非常大的应变（> 10% 的晶格变形），并且它们的光电特性对施加的应力表现出清晰而独特的响应。因此，它们在研究机械变形对固态系统的影响以及在创新设备中利用这些影响方面具有独特的优势。例如，二维材料可以轻松地将纳米级机械变形转换成清晰可检测的电信号，从而能够制造高性能传感器；然而，同样容易的是，外部应力可以用作“旋钮”来动态控制二维材料的性质，从而实现应变可调、完全可重构的设备。本文回顾了在纳米级诱导和表征二维材料机械变形的主要方法。在介绍有关这些独特系统的机械、弹性和粘合性能的最新成果之后，简要讨论了它们最有前景的应用之一：实现基于振动二维膜的纳米机电系统，该系统有可能在高频率（> 100 MHz）和大动态范围内运行。
两种材料的机械、弹性和粘合性能……
二维材料，如石墨烯、六方氮化硼 (hBN) 和过渡金属二硫属化物 (TMD)，本质上具有柔韧性，可以承受非常大的应变（> 10% 的晶格变形），并且它们的光电特性对施加的应力表现出清晰而独特的响应。因此，它们在研究机械变形对固态系统的影响以及在创新设备中利用这些影响方面具有独特的优势。例如，二维材料可以轻松地将纳米级机械变形转换成清晰可检测的电信号，从而能够制造高性能传感器；然而，同样容易的是，外部应力可以用作“旋钮”来动态控制二维材料的性质，从而实现应变可调、完全可重构的设备。本文回顾了在纳米级诱导和表征二维材料机械变形的主要方法。在介绍有关这些独特系统的机械、弹性和粘合性能的最新成果之后，简要讨论了它们最有前景的应用之一：实现基于振动二维膜的纳米机电系统，该系统有可能在高频率（> 100 MHz）和大动态范围内运行。
石墨烯旗舰视角
摘要：自 2004 年分离出原子级薄石墨烯片以来，二维 (2D) 材料因其特殊和多功能的特性而引起了人们的极大兴趣。然而，随着 2D 材料的生产和使用日益增多，有必要彻底评估其对人类健康和环境的潜在影响。此外，需要统一的测试协议来评估 2D 材料的安全性。由欧盟委员会资助的石墨烯旗舰项目 (2013-2023) 致力于识别石墨烯基材料以及新兴 2D 材料（包括过渡金属二硫属化物、六方氮化硼等）的潜在危害。此外，人们还探索了所谓的绿色化学方法，以实现安全和可持续地生产和使用这一迷人的纳米材料家族的目标。本综述简要概述了石墨烯旗舰项目的发现和经验教训。关键词：二维纳米材料、碳材料、暴露、环境、毒性、危害、安全设计、生物降解性、测试指南
具有创纪录高饱和输出电流密度的高增益石墨烯基热电子晶体管
热电子晶体管 (HET) 代表了一种令人兴奋的新型半导体技术集成器件，它有望实现超越 SiGe 双极异质晶体管限制的高频电子器件。随着对石墨烯等 2D 材料和新器件架构的探索，热电子晶体管有可能彻底改变现代电子领域的格局。这项研究重点介绍了一种新型热电子晶体管结构，其输出电流密度创下了 800 A cm − 2 的记录，电流增益高达 𝜶，采用可扩展的制造方法制造。该热电子晶体管结构包括湿转移到锗衬底的 2D 六方氮化硼和石墨烯层。这些材料的组合可实现卓越的性能，尤其是在高饱和输出电流密度方面。用于生产热电子晶体管的可扩展制造方案为大规模制造开辟了机会。热电子晶体管技术的这一突破为先进的电子应用带来了希望，可在实用且可制造的设备中提供大电流能力。
低于衍射极限的纳米粒子组装中的电磁热能传递
由于设备和互连的缩小以及电子、航空航天和医疗应用的先进封装和组装，微纳米级电子元件的制造变得越来越苛刻。增材制造技术的最新进展使得制造微尺度 3D 互连结构成为可能，但制造过程中的传热是影响这些互连结构可靠性制造的最重要现象之一。在本研究中，研究了三维 (3D) 纳米粒子堆积的光吸收和散射，以深入了解纳米粒子内的微/纳米热传输。由于胶体溶液的干燥会产生不同的纳米粒子构型，因此研究了三种不同铜纳米粒子堆积构型中的等离子体耦合：简单立方 (SC)、面心立方 (FCC) 和六方密堆积 (HCP)。分析了单散射反照率 (ω) 与纳米颗粒尺寸、填充密度和配置的关系，以评估纳米颗粒填充物中 Cu 纳米颗粒的热光特性和等离子体耦合的影响。该分析深入了解了铜纳米颗粒中等离子体增强的吸收及其对纳米颗粒组件激光加热的影响。[DOI：10.1115/1.4047631]
原子层沉积薄膜中的界面
和压力，并在每次前体暴露之间进行吹扫循环。[3] 需要彻底了解以选择前体、基材和发生自饱和沉积的温度窗口。之前已全面介绍了 ALD 类型和前体化学，重点是金属硫化物及其应用。[4] 本综述重点介绍 ALD 生产的薄膜中的界面相互作用。术语“界面”是指两相之间的边界——前一层结束和下一层开始的分离边界。理想情况下，这两层在化学上不具有相互作用，界面充当向下一种材料的突然转换。然而，在实践中，接触区域中的物理、化学和电子相互作用是不可避免的。这些相互作用引起的各种现象为与界面相关的研究开辟了新的途径。例如，最明显的相互作用可能是涉及晶格的相互作用。Short 等人。 [5] 报告称，他们在沉积 ZnS 和 Cu x S 多层薄膜的过程中发现，薄膜的结构取决于最先沉积的材料：Cu 2 S 主要呈现单斜结构，而 CuS 和 ZnS 则呈现六方取向。[6]