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所有关于界面的信息：在高质量H-BN单层二酰亚胺界面处的残留污染物是否会导致电荷捕获？
为了表征有机sem iConductor中的内在电荷传输过程，必须最小化外部效应（例如接触电阻，非理想的污染物和外部污染物）的外在效应的影响。[1–3]半导体介电界面对于电荷传输至关重要，因为陷阱和表面粗糙可以阻止有效的电荷转移。[4,5]虽然表面粗糙度易于表征，例如，使用原子力显微镜（AFM）及其来源很容易识别，但[6]对于电活动陷阱而言，这是高度无琐的。此类陷阱通常与有机场效应晶体管（OFET）中使用的介电的影响有关，因为介电常数和其他内在特性会影响电荷转运。[4,5,7-10]为了减少半导体 - 二元界面处的捕获（例如，水和其他固有或外在陷阱），典型的是，表面是由于使用自组装单层（SAMS）而被钝化的。[11]最近还用本质上惰性的六角硼（H-BN）用作介电，其目标是实现无陷阱界面。[12–14]
HBN封装的石墨烯通过1D电极偶联到等离子元素，用于光电检测应用
然而，石墨烯设备物理学的一个重要结果是，有必要将石墨烯单层封装在两片绝缘二维材料六角型硝酸硼（HBN）之间，以实现理想的较高的运输特性。[27,28]此包封可确保在环境条件下进行化学稳定，因为石墨烯受到保护不受大气吸附物的保护。封装还可以确保原子上的石墨烯片，从而实现室温弹道传输。[27]因此，HBN中石墨烯的封装已迅速成为设备社区中的标准平台，并且很可能成为潜在的未来石墨烯设备行业中的主要平台。此外，扭曲的双层石墨烯的生长领域完全取决于HBN封装以生产扭曲的双层。石墨烯和HBN之间的强范德华吸引力是使石墨烯晶体一部分精确的角度堆叠到自身上的方法。[28,29]
基本信息 主办实验室：Institut Galien Paris-Saclay (IGPS) CNRS UMR8612 实习地点完整地址：Eq.多点
不可或缺的信息 Laboratoire d'accueil : Institut Galien Paris-Saclay (IGPS) CNRS UMR8612 Adresse complète du lieu du stage : Eq. MULTIPHASE - 药学多尺度物理化学，巴黎萨克雷大学，HM1 楼，17 Avenue des Sciences，91400 ORSAY 负责人姓名：Angelina ANGELOVA 博士 电子邮箱：angelina.angelova@universite-paris-saclay.fr 上课时间：2025 年 1 月 20 日 - 7 月 18 日 主题名称：液晶脂质纳米粒子中的控制药物释放用于神经保护 - 科学背景 除其他神经退行性疾病外，阿尔茨海默病和帕金森病还给全球约 10 亿人带来医疗和社会经济负担，每年导致 680 万人死亡。这些疾病的特征是神经元的逐渐损失导致认知、感觉、行为和运动神经系统功能障碍。氧化应激会导致活性氧 (ROS) 的产生和自由基的形成，这是这些疾病的共同特征。这可能导致神经退化，并可能导致中枢神经系统斑块的形成。具有内部液晶组织的脂质基纳米颗粒 (LNP) 是一种新的药物输送策略，可调节细胞和组织中的 ROS 水平，从而实现神经保护和神经再生。溶致性脂质基纳米颗粒（立方体、六角体和脂质体）是抗氧化剂化合物输送的理想选择，因为它们的结构有利于增强包封效果和对活性药物成分的包封。立方体、脂质体和六角体类型的纳米载体可以提高药物的生物利用度并保护不稳定的药物分子，这些分子可以是亲水性或疏水性物质。在具有神经保护特性的其他植物化学物质中，槲皮素是一种溶解度低的多功能化合物，需要输送载体才能到达目标作用位点。液晶脂质纳米颗粒 (LCNP) 的控制释放是纳米医学研究的一个新兴领域。目前正在扩展实验以提供数据，这些数据可用于对此类受控药物输送系统中的药物释放进行动力学建模（例如，使用零级模型、一级模型、Higuchi、Korsmeyer-Peppas、Hixson-Crowell、Baker-Lonsdale、Weibull 或 Hopfenberg 模型）。
原子较薄材料中激子的反向设计的纳米光子界面
摘要：有效的纳米光子设备对于在量子网络，光学信息处理，传感和非线性光学方面的应用至关重要。广泛的研究工作重点是将二维（2D）材料整合到光子结构中，但是这种整合通常受大小和材料质量的限制。在这里，我们使用六角硼（HBN），这是一种封装原子薄材料的基准选择，作为波导层，同时提高了嵌入式膜的光学质量。与光子逆设计结合使用时，它将成为一个完整的纳米光子平台，可与光学活跃的2D材料接口。光栅耦合器和低损耗波导提供了光学接口和路由，可调腔提供了大型激子 - 光子耦合，通过purcell增强型与过渡金属二甲化合物（TMD）单层相结合，并通过purcell增强功能，并且可以通过Metasurfaces有效地检测TMD Dark Dark Ickitons。这项工作为经典和量子非线性光学器件的高级2D材料纳米光子结构铺平了道路。关键字：2D材料，纳米光子学，逆设计，集成光子学，光腔
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使用粘合带的机械去角质进行了在六角硼（HBN）的天然晶体上进行的（图S1面板A和C），石墨烯（图s1 b）和石墨（图s1 d）在氧化硅晶片（290nm）上。h-bn薄片被用作顶部（图s1 a）和底部（图s1 c）介电层以及15 nm石墨片。通过手写笔轮廓仪中的测量确认了厚度。在异质结构的堆叠过程中，制造了聚碳酸酯（PC）膜并沉积在聚二甲基硅氧烷（PDMS）上。使用不同层的自然边缘对准两种材料的晶体方向，将顶部HBN薄片捡起50-60°，并在190°的石墨烯单层上沉积。之后，清洁HBN/石墨烯异质结构，通过在氯仿中冲洗几分钟来去除聚碳酸酯膜。使用相同的技术将HBN底部薄片沉积到石墨后门上。最后，堆叠的HBN顶部和石墨烯片以类似的方式捡起，并沉积在HBN底部和石墨堆上，并与天然边缘对齐。
碳材料的一般掺杂化学 - UTS的作品
六角硼硝化硼（HBN）作为固态，范德华的载体寄主是芯片量子光子光子学的单个光子发射器的宿主。在436 nm处发射的B-中心缺陷特别引人注目，因为它可以通过电子束照射产生。然而，发射极生成机制尚不清楚，该方法的鲁棒性是可变的，并且仅成功地应用于HBN的厚层（≫10 nm）。在这里，它用于原位时间分辨的阴极发光（CL）光谱法来研究B-中心产生的动力学。表明，B中心的产生伴随着在≈305nm处的碳相关发射的淬灭，并且这两个过程都是由HBN晶格中缺陷的电气迁移来限制的。它确定了限制发射极生成方法的效率和可重复性的问题，并使用优化的电子束参数和HBN预处理和后处理处理的组合来解决它们。在HBN液体中达到了B-Center量化的量子，以8 nm的形式阐明了负责电子束在HBN中的电子束重组的机制，并获得了识别b-Center量子量子量子发射机原子结构的识别的洞察力。
目录
麻花钻 工作长度 NAS 907B 重型 135º 分割点 190-AG 型重型 Magnum .........6 190-CN 型 CN-TECH™ CRYO/NITRIDE .....7 170-AG 型 ......。。。。。。。。。。。。.8 - 9 * 128-AG 型 3/8 英寸柄 .............7 190 型黑色氧化物 ..........10 - 11 * 198 型 V-Line 黑色氧化物 .........15 190-AN 型氮化钛 .......10 - 11 190-ACN 型氮化钛碳 ...12 -14 类型 190-ALN 铝钛氮化物 12 -14 * 类型 190-GF Gold Strike™ 柄上有 3 个平面。.15 * 类型 190-GFR Gold Strike™ 3/8 英寸柄。.....15 * 非 NAS907B 机械长度 135º 分割点类型 175-AG。.....。。。。。。。。。。。。。28 型 178-AG 马格南 3/8 英寸柄 .........28 型 QR-AG 马格南 1/4 英寸六角柄 ......29 型 QR-AG 延长杆 3 英寸、6 英寸、12 英寸。..29 型 191 V 型黑色氧化物。..........28 工作长度 NAS 907A
去角质六角形的薄膜的润湿特性...
六角硼硝酸盐是一种具有出色特性的2D材料，例如较大的带隙，高热和化学稳定性，透明度以及高氧化和耐腐蚀性。这些特性使H-BN成为用于开发晚期涂料的合适候选者。然而，对于其他纳米材料，调整和控制H-BN的性质是将其应用于多个领域的基本关键。此处，当超声液化在不同溶剂（例如异丙醇（IPA），二恶英（DX），N-甲基吡咯酮（NMP）（NMP）和Dimethyl formamide（DMF）的不同溶剂中，H-BN的润湿性能被超声清液剥落。通过测量沉积在二氧化硅上的H-BN薄膜的水接触角（WCA）来确定不同H-BN材料的润湿特性。对于每个样品，观察到不同的接触角，不同的WCA值是通过仅通过在去角质过程中改变溶剂而获得的薄膜表面的结构和粗糙度的差异来解释的。这些表面特性通过视频和透射电子显微镜（TEM）以及原子力显微镜（AFM）表征。
![arxiv：2401.02716v2 [cond-mat.mes-hall] 2024年6月12日](/simg/9\9d84400af818a541760be1b9e41181824c8b4977.webp)
arxiv：2401.02716v2 [cond-mat.mes-hall] 2024年6月12日
我们报告了通过二维半导体WS 2的范德华异质结构的能量转移机理和具有不同层间距离的石墨烯，这是通过六角硼硝化硼（HBN）的间隔层实现的。我们在0.5 nm至5.8 nm（0-16 HBN层）之间记录了层间距离处的光致发光和反射光谱。我们发现能量转移由光锥外部的状态支配，这表明了f的转移过程，并在0.5 nm的层间距离下右手过程的额外贡献。我们发现，可以使用最近报道的热载荷载载流子的f ister传递速率进行定量描述发光强度对层间距离的测量依赖性。在较小的层间距离处，实验观察到的转移速率超过了预测，此外，取决于过量的能量以及激发密度。由于f”机制的转移概率取决于电子孔对的动量，因此我们得出结论，在这些距离上，转移是由非省力的荷载载流子分布驱动的。
IPSCS衍生的间充质基质细胞减轻焦虑... 碳材料的一般掺杂化学 - UTS的作品 六角硼硝化硼的量子发射器的电子束重组 学生的看法和使用聊天机器人在uts
1。研究中心，中国518107的深圳市孙子大学第七附属医院； 2。干细胞生物学和组织工程中心，干细胞和组织工程的主要实验室，教育部，孙子森大学，广州，510080，中国； 3。宗山眼科中心，太阳森大学，广州，510060，中国； 4。内分泌学系，中国510080的广州太阳YAT-SEN大学的第一家附属医院； 5。国家 - 古旺冈联合工程实验室，用于诊断和治疗血管疾病，第一家附属医院，太阳Yat-Sen University，广州，中国510080； 6。生命科学学院，科学院科技大学，悉尼大学，ULTIMO，新南威尔士州2007年，澳大利亚。†同等贡献 *通讯副教授，钦朱耶，科学研究中心，中国广东的深圳市孙子森大学第七附属医院。电子邮件：yichj@mail.sysu.edu.cn，王王王博士，中国广东的深圳市太阳Yat-Sen University Sun Yat-Sen大学科学研究中心。 电子邮件：wangjch38@mail.sysu.edu.cn电子邮件：yichj@mail.sysu.edu.cn，王王王博士，中国广东的深圳市太阳Yat-Sen University Sun Yat-Sen大学科学研究中心。电子邮件：wangjch38@mail.sysu.edu.cn电子邮件：wangjch38@mail.sysu.edu.cn