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World File Search System减薄
HF/H2O中硅片减薄的刻蚀特性...
R. Ariff a,b , CK Sheng a,* a 马来西亚登嘉楼大学科学与海洋环境学院，21030 Kuala Nerus，登嘉楼，马来西亚。b 马来西亚登嘉楼大学海洋工程技术与信息学学院，21030 Kuala Nerus，登嘉楼，马来西亚。使用酸性或氟化物溶液对硅表面进行湿法蚀刻具有技术和基础意义，这对于生产用于微电子封装所需厚度的可靠硅芯片至关重要。在这项工作中，我们研究了湿法蚀刻对浸入 48% HF/水溶液中的硅晶片的厚度耗散、重量损失、蚀刻速率、表面形貌和晶体性质的影响。蚀刻速率是通过蚀刻重量损失和深度随时间的变化确定的。结果表明，随着蚀刻时间的增加，硅的厚度减少和重量损失增加。在高分辨率光学显微镜下可以在蚀刻后的硅晶片表面观察到粗糙的表面。从 XRD 分析可以看出，蚀刻后硅的结晶峰强度变弱，这意味着硅衬底上形成的非晶结构表面的光散射减少。毕竟，这一发现可以作为生产可靠的硅薄晶片的参考，这对于更薄的微电子器件制造和纳米封装至关重要，从而减少环境污染和能源消耗，实现未来的可持续发展。（2021 年 3 月 27 日收到；2021 年 7 月 7 日接受）关键词：湿法蚀刻、Si、蚀刻速率、HF、H 2 O
脱水作为研究薄聚合物
摘要。采用质量保护，薄聚合物纤维的时间分辨易碎实验允许实时确定动态接触角和滑移长度。此外，基于聚合物刷的界面特性的系统变化，脱水使得可以计算从其自身熔体中提取单个聚合物链所需的力。在接近玻璃跃迁的粘弹性状态下，可以通过旋转涂层的纤维制备而导致的残留应力的弛豫时间和分子量的体重，可以从脱水的RIM的形状的演变中获得。所提出的例子表明，脱水代表了一种强大的方法，用于对薄聚合物的流变，摩擦和界面特性的敏感表征。
减少了...
graphyne和GraphDiyne纳米骨本在不同的应用中显示出明显的前瞻性。在电子设备中，他们提出了用于高性能纳米级设备的独特电子性能，而在催化中，它们的出色表面积和反应性将其对许多化学反应的有价值的催化剂提供了支持，从而有助于可持续能量和环境修复。拓扑指数（TIS）是数值不变的，可提供有关给定分子图的分子拓扑的重要信息。这些指数在QSAR/QSPR分析中至关重要，并且在预测各种物理化学特征方面起着重要作用。在本文中，我们提出了用于计算Graphyne和GraphDiyne Nanoribbons的基于反向（RR）学位拓扑指数的公式，包括RR Zagreb索引，RR Hyper-Zagreb索引，RR Hyper-Zagreb索引，RR忘记了RR INDEX，RR ATOM键连接性指数和RR GEEMETEX和RR GEEMETIC INDEX，以及RR GEEMETIC INDEX。我们还执行图理论分析和比较，以证明至关重要的意义并验证获得的结果。我们的发现提供了对这些纳米管的结构和化学特性的见解，并有助于开发各种应用的新材料。
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减：募投项目支出金额 95,689,688.42 减：发展与科技储备资金项目结余募集资金永久补充流动资金 691,600.00 减：超募资金永久补充流动资金 24,000,000.00 加：募集资金现金管理类理财产品累计收益金额 1,518,345.61 加：累计利息收入扣除手续费金额 567,247.01 截至2023年12月31日募集资金结余余额 42,676,826.42
在原子上薄的范德华磁铁Crsbr
摘要：在原子上薄的半导体中，CRSBR脱颖而出，因为它的散装和单层形式在磁性环境中均构成紧密结合的准二维激子。尽管对固态研究至关重要，但激子的寿命仍然未知。虽然Terahertz极化探测可以直接跟踪所有激子，而与带间选择规则无关，但相应的大型远场灶基本上超过了横向样品尺寸。在这里，我们将Terahertz极化光谱与近场显微镜结合在一起，以揭示CRSBR单层中的磁磁复发剂的飞秒衰减，该crsbr的单层比散装寿命短30倍。我们在散装CRSBR中揭示了结合和未结合的电子 - 孔对的低能指纹，并以无模型的方式提取单层的非平衡介电函数。我们的结果表明，首次直接访问CRSBR中准单维激子的超快速介电响应，可能会推进基于Ultrathin van der waals磁铁的量子设备的开发。关键字：原子上的固体，范德华磁铁，各向异性激子，超快动力学，飞秒近场显微镜，Terahertz