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World File Search System击穿
电可擦除EEPROM存储单元的结构设计
EEPROM是一种电可擦写可编程存储器，技术成熟稳定，成本低廉，是日常生活中电子产品应用中的主流，人们使用它的场合非常多，在个人身份证、银行卡、医保卡、交通卡等与个人财产密切相关的智能卡领域，以及在通讯系统和PDA、数码相机等消费电子产品领域，都使用到EEPROM。在仪器仪表和其他嵌入式系统中，如智能流量计，通常需要保存设置参数、现场数据等信息，这就要求系统掉电时不丢失，以便下次能恢复原来设置的数据，因此需要一定容量的EEPROM。通过存储单元的浮栅管上电子的存储或释放，读出浮栅管时，存储器呈现导通或截止状态，因此会判断其逻辑值为“0”或“1”。逻辑“0”或“1”的定义根据产品的逻辑设计而有所不同。本工作设计了一个由两个晶体管组成的存储单元，NMOS管作为选择管，由字线控制，可以承受一部分高压，降低浮栅晶体管超薄氧化层被击穿的概率。本文设计的EEPROM器件模型作为存储管，可以很好地通过隧道氧化层来存储数据，实现更好的存储功能、更高的工作效率和更低的功耗。
用于行星探索的 LABEISS 面包板概述。E. Sawyers 1 、MG Daly 1 、A. Quaglia 2 、S. Walker 2 、J. Freemantle 1 、G. Flynn 2
简介：激光烧蚀元素同位素光谱仪系统 (LABEISS) 是一种面包板仪器，具有两种主要技术——激光诱导击穿光谱 (LIBS) 和激光烧蚀分子同位素光谱 (LAMIS)。此外，LABEISS 还能够将拉曼光谱、激光诱导荧光和被动反射作为支持技术。LIBS 已成为行星探索的主要技术，最著名的是 ChemCam 和 SuperCam 仪器，后者最近搭载在 NASA 的 Mars2020 毅力号探测器上 [1, 2, 3]。LIBS 是一种快速获取地质样品、土壤样品和表面清洁（使用重复激光烧蚀）中主要和次要元素分析结果的方法。与 LIBS 相比，LAMIS 基于分子发射的同位素位移（所谓的同位素异形体），该位移的时间延迟由激光烧蚀过程中等离子体和原子的结合时间定义 [4, 5]。LAMIS 已成为 LIBS 的一种有前途的补充技术，因为它可以表征目标的同位素特征，从而提供同位素区分。拉曼光谱 (RS) 发生在分子被激发源激发并通过分子键或晶格的振动、旋转或拉伸产生非弹性散射时。每个谱带对应于分子键激发波长的不同拉曼波数位移，可用于识别或“指纹识别”多种材料。
insta pt 2024 独家（科学技术）
进一步。 • 技术进步：执行月球南极任务使印度空间研究组织能够开发和展示创新技术。这包括软着陆技术、导航系统、资源利用和长期操作方面的进步，这些进步可以在未来的太空任务中得到广泛的应用。 月船 3 号上的仪器和实验：着陆器实验： • 月球边界超敏电离层和大气层的无线电解剖 (RAMBHA)：该实验研究月球表面附近的电子和离子，研究它们的行为和随时间的变化。 • 钱德拉表面热物理实验 (ChaSTE)：ChaSTE 专注于极地附近月球表面的热特性，有助于我们了解温度变化。 • 月球地震活动仪器 (ILSA)：ILSA 测量着陆点附近的月球地震，通过地震活动分析月球地壳和地幔的成分。 • 激光反射器阵列 (LRA)：NASA 提供的这项被动实验可作为激光的目标，为未来的任务提供精确的测量。 月球车实验： • 激光诱导击穿光谱仪 (LIBS)：LIBS 可确定月球表面的化学和矿物成分，从而深入了解其地质构成。 • 阿尔法粒子 X 射线光谱仪 (APXS)：APXS 可识别月球土壤和岩石中的镁、铝、硅等元素，有助于我们了解月球材料。 任务研究目标：
AL2O3/ZRO2/SIO2/ZRO2/AL2O3 M
金属 - 绝缘子 - 金属（MIM）电容器对于集成电路（ICS）至关重要。它们可以通过多种方式使用，例如解耦和过滤。高电容密度，低泄漏电流和小二次电压系数（a）是MIM电容器良好电性能的信号。为了获得高电容密度，可以使用高介电常数（K）材料，例如TA 2 O 5，HFO 2，Al 2 O 3，TiO 2和ZRO 2 [1-4]。Zro 2薄膜被认为是这些高k材料中的强大候选者，可以替代传统的介电材料SIO 2和SI 3 N 4，因为它具有许多优势，例如，高击穿电场，高介电结构和较大的能隙宽度[4]。有人研究了单个ZRO 2电介质MIM电容器，并获得了高电容密度，但是泄漏电流和值很差[5]。在这里，我们介绍了Al 2 O 3和SiO 2层以改进上述两个参数，因为Al 2 O 3的较大带隙为8.8 eV，SIO 2的较大频带差距为负值，因此Al 2 O 3 /Zro 2 /Zro 2 /Zro 2 /Zro 2 /Zro 2 /Zro 2 /Al 2 O 3（Azsza）结构MIM Capicitors设计了。需要强调的是，AZSZA结构是在相同的原子层沉积（ALD）系统中制备的。这不仅降低了实验的复杂性和成本，还降低了污染和引入杂质的可能性。因此，这是一种在
INSTA PT 2024 独家（科学技术）
进一步。 • 技术进步：执行月球南极任务使印度空间研究组织能够开发和展示创新技术。这包括软着陆技术、导航系统、资源利用和长期操作方面的进步，这些进步可以在未来的太空任务中得到广泛的应用。 月船 3 号上的仪器和实验：着陆器实验： • 月球边界超敏电离层和大气层的无线电解剖 (RAMBHA)：该实验研究月球表面附近的电子和离子，研究它们的行为和随时间的变化。 • 钱德拉表面热物理实验 (ChaSTE)：ChaSTE 专注于极地附近月球表面的热特性，有助于我们了解温度变化。 • 月球地震活动仪器 (ILSA)：ILSA 测量着陆点附近的月球地震，通过地震活动分析月球地壳和地幔的成分。 • 激光反射器阵列 (LRA)：NASA 提供的这项被动实验可作为激光的目标，为未来的任务提供精确的测量。 月球车实验： • 激光诱导击穿光谱仪 (LIBS)：LIBS 可确定月球表面的化学和矿物成分，从而深入了解其地质构成。 • 阿尔法粒子 X 射线光谱仪 (APXS)：APXS 可识别月球土壤和岩石中的镁、铝、硅等元素，有助于我们了解月球材料。 任务研究目标：
Paul Sabatier 2024 年 6 月 30 日至 7 月 4 日，法国图卢兹
自 1983 年在法国图卢兹成立以来，国际固体电介质传导与击穿会议 (ICSD) 已成功举办了 11 届会议，如今，该会议向液体和气体电介质敞开了大门，并于 2016 年在蒙彼利埃举办了国际电介质会议 (ICD)。ICD 是一个跨学科论坛，为来自工业界、学术界和研究中心的研究人员提供了一个独特的机会，让他们齐聚一堂，回顾他们的研究活动。它涵盖了电介质材料和电介质现象领域的研究，以及设备在工作应力下电绝缘的行为和特性。会议涵盖了功率器件以及涉及绝缘和电介质的所有系统的主题。第五届 ICD 将于 2024 年 6 月 30 日星期日至 2024 年 7 月 4 日星期四在法国图卢兹举行，距 2004 年 ICSD 会议仅过去 20 年。图卢兹是欧洲航空航天业的主要城市，空中客车公司总部就设于此。2023 年，26 家航空公司和 69 个国际目的地均可轻松抵达图卢兹。我们热忱邀请您预留日期，参加第五届 ICD 并为其做出贡献。辅导课将在会议第一天举行。欢迎提交固体、液体和气体电介质所有领域的论文。
InP 衬底上随机合金厚度 AlGaAsSb 雪崩光电二极管
我们展示了与 InP 衬底几乎晶格匹配的低噪声随机合金 (RA) Al 0.85 Ga 0.15 AsSb（以下简称 AlGaAsSb）雪崩光电二极管 (APD)。与数字合金 (DA) 相比，RA 由于易于生长而易于制造。910 nm 厚的 RA AlGaAsSb 在 450 C 左右的低温下生长，通过抑制吸附原子的表面迁移率来减轻相分离。通过 X 射线衍射、Nomarski 和原子力显微镜图像验证了 RA AlGaAsSb 材料的高质量。电容-电压测量发现背景掺杂浓度为 6-7 10 14 cm 3，表明 RA AlGaAsSb 材料中的杂质密度非常低。电流-电压测量是在室温下黑暗条件和 455 nm 激光照射下进行的。击穿发生在 58 V 时。增益为 10 时，暗电流密度为 70 l A/cm 2 。该值比之前报道的 DA AlAs 0.56 Sb 0.44 APD [Yi 等人，Nat. Photonics 13, 683 (2019)] 低三个数量级，比 DA AlGaAsSb [Lee 等人，Appl. Phys. Lett. 118, 081106 (2021)] 低一个数量级，与 RA AlInAsSb APD [Kodati 等人，Appl. Phys. Lett. 118, 091101 (2021)] 相当。此外，测得的过量噪声显示 k（碰撞电离系数比）较低，为 0.01。这些噪声特性使 RA AlGaAsSb 倍增器适合商业应用，例如光通信和 LiDAR 系统。
Jean-Paul BOOTH 博士 LPP-CNRS，巴黎综合理工学院，......
LPP-CNRS，巴黎综合理工学院，法国帕莱索 Jean-Paul Booth 是法国国家科学研究中心 (CNRS) 的研究主管，该中心自 2000 年起驻扎于法国综合理工学院等离子体物理实验室。他在牛津大学物理化学实验室获得博士学位，后加入 CNRS（最初在格勒诺布尔大学）。他还曾担任加州 Lam Research Corporation 的技术总监 (2006-08)，负责应用于等离子蚀刻反应器的传感器和终点检测。他专门从事反应气体中低压等离子体的物理和化学实验研究及其与表面的相互作用。他专注于微电子行业材料加工中的射频等离子体，目前正致力于通过全面的诊断测量对双原子气体中的等离子体模型进行严格验证。他完善并应用了许多新颖的光学诊断技术（单光子和双光子激光诱导荧光、高灵敏度宽带吸收光谱、腔衰荡光谱、同步真空紫外吸收）来测量绝对反应物种密度和动力学。他还开发了用于带电粒子诊断的新型电探针和微波共振技术，以及用于现场控制工业等离子体过程的更简单的传感器。他还对电容耦合射频等离子体的物理学感兴趣：射频击穿、甚高频等离子体中的电磁效应，以及用于控制离子和电子通量和能量分布的定制电压波形激励。
用于具有宽温度稳定性的巨型储能多层陶瓷电容器的无铅高介电常数准线性电介质
静电储能电容器是电力电子器件必不可少的无源元件，由于电介质陶瓷能够在 > 100 ˚C 的温度下更可靠地工作，因此优先选择电介质陶瓷而不是聚合物。大多数工作集中在非线性电介质组合物上，其中极化 (P)/电位移 (D) 和最大场 (E max ) 经过优化，以提供能量密度值 6 ≤ U ≤ 21 J cm − 3 。然而，在每种情况下，P 的饱和 (dP/dE = 0，AFE) 或“部分”饱和 (dP/dE → 0，RFE) 都会限制在击穿前可以达到的 U 值。通过设计高介电常数准线性电介质 (QLD) 行为，dP/dE 保持恒定直至超高 E max ，可以进一步改善 U 相对于弛豫器 (RFE) 和反铁电体 (AFE) 的程度。 QLD 多层电容器原型的介电层由 0.88NaNb 0.9 Ta 0.1 O 3 - 0.10SrTiO 3 -0.02La(Mg 1/2 Ti 1/2 )O 3 组成，室温下 U ≈ 43.5 J cm − 3 ，支持极大的 E max ≈ 280 MV m − 1 ，对于基于粉末流延技术的设备，这两项性能均超过了当前最先进的水平两倍。重要的是，QLD 电容器在高达 200 ˚ C 的温度下 U ( ≈ 15 J cm − 3 ) 变化很小，并且具有强大的抗循环降解能力，为可持续技术的开发提供了一种有前途的新方法。
了解 IEC 623801 的功能安全 FIT 基本故障率估计
• 早期故障（也称为早期失效）：其特点是初始故障率相对较高，但随后会迅速降低。可以通过执行加速寿命测试（如老化或 I DDQ 测试）进一步减少早期故障，这些测试是德州仪器 (TI) 工厂出厂测试的一部分。早期故障主要是由未有效筛选的制造缺陷引起的。缺陷总是会发生。开发和持续改进有效的筛选是一项要求。• 正常寿命故障：这是浴缸曲线的区域，其中故障率相对较低且恒定。BFR 估算解决了半导体元件生命周期的这一部分。此故障率以故障时间 (FIT) 为单位进行量化 - 这是产品运行十亿 (10 9 ) 个累计小时内可能发生的故障数量的估计值。• 固有磨损：这是产品生命周期中固有磨损占主导地位且故障呈指数增加的时期。产品使用寿命的结束被指定为磨损开始的时间。这些类型的故障是由众所周知的因素引起的，例如通道热载流子效应、电迁移、时间相关的电介质击穿和负偏置温度不稳定性。ISO 26262 和 IEC 61508 等功能安全标准不支持基于非常量故障率计算随机硬件指标。因此，在产品的整个生命周期内，使用一个恒定的（但悲观的）近似值来估计 BFR。系统集成商必须应对正常使用寿命期间的随机硬件故障以及磨损的开始。在这种情况下，系统集成商必须依靠安全机制，它提供了一定的