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LPDDR 接口上的 NVM（更新）
• 无 e-flash → e-flash 在 ~20nm 以下不可用 • 高温 (>125 ○ C) → DRAM 存在问题 • e-RAM 在较小几何尺寸下价格昂贵（更昂贵的晶圆上的面积有时会增加） • 多核现已成为常态 • 旧式 NVM（xSPI-NOR）无法满足读取性能要求（启动时间、XiP） • 我们有机会！（高吞吐量/低延迟分立式 NVM 存储设备）
优化 LNA 第一级以降低多级 LNA 中的整体噪声系数
介绍了一种设计多级低噪声放大器 (LNA) 第一级的分析方法。本文讨论了在考虑后级噪声的情况下最小化总噪声系数 (NF) 的第一级优化方法。该方法侧重于第一级的源阻抗优化，同时考虑其 NF、增益和后级 NF 的影响。所提出的方法计算第一级的设计参数，以使多级 LNA 中的整体 NF 最小，而传统方法则建议最佳源阻抗以使第一级的 NF 最小。本文证明了 Smith 圆图中的恒定总 NF 轮廓与传统 NF 圆不同，并且 Γ opt 在相邻级 NF 不同的多级 LNA 中实现了最佳噪声性能变化。这些轮廓和最佳源阻抗针对特定的 LNA 进行描述，并与其恒定 NF 圆和 Γ opt 进行了比较。为了检验所提方法的可行性以及验证理论和仿真结果，我们制作了一个使用 ATF13136 晶体管的 4-5 GHz 分立式 LNA。结果表明，在 LNA 的第一级设计中考虑后续电路的噪声可降低整体 NF，同时改善其增益和输入匹配。