机构名称：
¥ 1.0
• 无 e-flash → e-flash 在 ~20nm 以下不可用 • 高温 (>125 ○ C) → DRAM 存在问题 • e-RAM 在较小几何尺寸下价格昂贵（更昂贵的晶圆上的面积有时会增加） • 多核现已成为常态 • 旧式 NVM（xSPI-NOR）无法满足读取性能要求（启动时间、XiP） • 我们有机会！（高吞吐量/低延迟分立式 NVM 存储设备）
LPDDR 接口上的 NVM（更新）
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