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供应链管理
2.1 IS：16227 / IEC：61869仪器变压器2.2 IS：3156（第I到III）电压变压器2.3 IS：3156（Part-IV）电容器电压变压器2.4 IS：2099高压瓷器衬套。2.5 IS：3347瓷变压器衬套的尺寸。2.6 IS：2071高压测试的方法2.7 IS：335变压器和开关柜的绝缘油2.8 IS：2165隔热设备的设备100 kV及以上设备的绝缘协调。2.9 IS：2147由低压开关设备和控制2.10 IEC-186,186A提供的保护度2147。44（2）电压变压器2.11 IEC 270部分放电测量2.12 IS 5561端子连接器2.13 IS-4800 IS -4800搪瓷旋转绕线线2.14 IEC-44（4）仪器变压器PDS 2.15 IEC-60071绝缘配置2.16 IEC 2.16 IEC 2.16 IEC-358 COUINIDER cOUTIDER。2.17 IEC-60060高压测试技术。2.18 IEC-8263用于高压绝缘体RIV测试的方法。2.19 IS：9348耦合电容器和电容器分隔符2.20 IS：2633测试热浸入镀锌物品的方法2.21 IS：11065图纸。2.22 IS/IEC：62155空心加压和未压力的陶瓷和玻璃绝缘体用于电气设备。2.23 CEA法规2006米的安装和操作
系统建模语言（SysML）
系统建模语言 (SysML) 3 Enterprise Architect 中的系统建模 6 SysML 需求建模 12 SysML 操作域模型 14 块定义图 (BDD) 16 块元素分隔符 20 从方程式创建约束块 24 创建端口和部件 31 从块关联生成部件 34 在 SysML 端口上显示方向 37 SysML 中的嵌套端口 39 内部块图 40 同步结构元素 - 内部块 42 参数图 43 参数图建模助手 47 绑定约束属性的参数 48 编写系统设计 52 创建可重用子系统 54 SysML 包图 56 SysML 用例模型 60 SysML 活动图 62 同步结构元素 - 活动图 64 SysML 序列图 66 SysML 状态机图 68 SysML 工具箱 70 SysML 块定义工具箱 71 SysML 内部块工具箱 75 SysML 活动工具箱 78 SysML 交互工具箱 83 SysML 模型工具箱 85 SysML 参数工具箱 89 SysML 需求工具箱 92 SysML 状态机工具箱 95 SysML 用例工具箱 98 将 SysML 模型迁移到更高版本的 SysML 100 简单参数模拟 102
方案和详细的教学大纲
单位 - i引言，半导体中的运输现象，p-n结的形成，p-n连接的性质，p-n结二极管；半导体二极管，V-I特征，温度对V-I特征的影响，理想二极管，二极管方程，二极管电阻，二极管电容：过渡和扩散电容。单元 - II整流电路和直流电源：二极管电路的负载线分析，半波整流器：电压调节，波纹因子，整流比率，更新的比率，变压器利用率。全波整流器，桥梁整流器。电源过滤电路：电感过滤器，电容器过滤器，LC滤波器，多LC滤波器，CLC或P滤波器。Zener二极管：使用Zener二极管分解机制，特性，规格，电压调节器电路。单元-III晶体管：简介，构造，类型：NPN和PNP，当前组件。晶体管作为放大器，晶体管特性，晶体管电路配置：共同基座（CB）配置，公共发射极（CE）配置，公共收集器配置（CC），早期效果。ebers-moll模型，最大电压评级。单位 - IV晶体管偏置和热稳定：工作点，偏置稳定性，稳定性因子，发射极偏置，收集器 - to - 基本偏见，电压分隔符，发射极偏置，发射器旁路电容器。偏见补偿。单元 - V场效应晶体管（FET）：引言，构造，操作，V-I特征，转移特性，漏液特征，小信号模型。教科书的名称：金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）：简介，结构，操作和特征，耗尽MOSFET，增强MOSFET。