机构名称：
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单位 - i引言，半导体中的运输现象，p-n结的形成，p-n连接的性质，p-n结二极管；半导体二极管，V-I特征，温度对V-I特征的影响，理想二极管，二极管方程，二极管电阻，二极管电容：过渡和扩散电容。单元 - II整流电路和直流电源：二极管电路的负载线分析，半波整流器：电压调节，波纹因子，整流比率，更新的比率，变压器利用率。全波整流器，桥梁整流器。电源过滤电路：电感过滤器，电容器过滤器，LC滤波器，多LC滤波器，CLC或P滤波器。Zener二极管：使用Zener二极管分解机制，特性，规格，电压调节器电路。单元-III晶体管：简介，构造，类型：NPN和PNP，当前组件。晶体管作为放大器，晶体管特性，晶体管电路配置：共同基座（CB）配置，公共发射极（CE）配置，公共收集器配置（CC），早期效果。ebers-moll模型，最大电压评级。单位 - IV晶体管偏置和热稳定：工作点，偏置稳定性，稳定性因子，发射极偏置，收集器 - to - 基本偏见，电压分隔符，发射极偏置，发射器旁路电容器。偏见补偿。单元 - V场效应晶体管（FET）：引言，构造，操作，V-I特征，转移特性，漏液特征，小信号模型。教科书的名称：金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）：简介，结构，操作和特征，耗尽MOSFET，增强MOSFET。
方案和详细的教学大纲
主要关键词
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