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Silicon N-Channel MOSFET
WSDY06A1Y2N 产品是单节锂离子 / 锂聚合物可充 电电池组保护的高集成度解决方案。 WSDY06A1Y2N 包括了先进的功率 MOSFET ，高精 度的电压检测电路和延时电路。 WSDY06A1Y2N 具有非常小的 SOT-23-5L 封装， 这使得该器件非常适合应用于空间限制得非常小的 可充电电池组应用。 WSDY06A1Y2N 具有过充、过放、过流、短路等所 有电池需要的保护功能，并且工作时功耗非常低。 WSDY06A1Y2N 不仅仅为穿戴设备而设计，也适用 于一切需要锂离子或锂聚合物可充电电池长时间供 电的各种信息产品的应用场合。
MOSFET 晶体管特性
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SiC MOSFET 模块（半桥）
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MOSFET 手册 2023 V1.0a
江苏杰杰微电子（又名 JJM）的汽车级 MOSFET 提供 -100V 至 650V 的击穿电压 V DS_Max。栅极源阈值电压 V GS(th) 为高电平（2.7 ~ 3.5V）或低电平（1.5 ~ 1.9V，-1.0 ~ -3.0V）。源极漏极导通电阻 R DS(ON) 低至 0.56mΩ（@ V GS = 10V）。FOM 低至 55。这些 MOSFET 通常组装在高效功率封装中，要么是小型表面贴装型，要么是传统通孔型。这些包括但不限于以下具有优异热特性的封装：PDFN3x3-8L、PDFN5x6-8L/-D、PowerJE®10x12（兼容TOLL）、PowerJE®7x8（兼容sTOLL）、TO-247-3/7L等。所有器件均按照AEC理事会和JEDEC定义的相关标准进行了长期可靠性和质量测试。
功率 MOSFET 芯片数据表
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功率 MOSFET 芯片数据表
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600V超连接功率MOSFET
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