XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search SystemMOSFET
MOSFET REXFET-1中压产品技术开发
新的 48V 技术已在电动机系统中标准化，以减少电动汽车 (EV) 的排放。它取代了传统的 12V 系统，提供额外的高电压电池来满足增加的功率需求。除了动力系统的电动机和电池组外，48V 系统还具有其他直接操作的优势，例如加热和空调应用。该技术提高了功率能力，可用于启动时更重的负载，例如空调和催化转化器。这进而推动了适合 48V 配置的本地 DC-DC 转换器和无源元件（包括电容器和电感器）的进步。这样的发展可能导致该技术在全电池电动系统中得到广泛采用，从而有助于将电池组的 400 或 800 V 输出转换为 48 V 以分配到整个车辆。
MOSFET REXFET-1中压产品技术开发
新的 48V 技术已在电动机系统中标准化，以减少电动汽车 (EV) 的排放。它取代了传统的 12V 系统，提供额外的高电压电池来满足增加的功率需求。除了动力系统的电动机和电池组外，48V 系统还具有其他直接操作的优势，例如加热和空调应用。该技术提高了功率能力，可用于启动时更重的负载，例如空调和催化转化器。这进而推动了适合 48V 配置的本地 DC-DC 转换器和无源元件（包括电容器和电感器）的进步。这样的发展可能导致该技术在全电池电动系统中得到广泛采用，从而有助于将电池组的 400 或 800 V 输出转换为 48 V 以分配到整个车辆。
MOSFET REXFET-1中压产品技术开发
新的 48V 技术已在电动机系统中标准化，以减少电动汽车 (EV) 的排放。它取代了传统的 12V 系统，提供额外的高电压电池来满足增加的功率需求。除了动力系统的电动机和电池组外，48V 系统还具有其他直接操作的优势，例如加热和空调应用。该技术提高了功率能力，可用于启动时更重的负载，例如空调和催化转化器。这进而推动了适合 48V 配置的本地 DC-DC 转换器和无源元件（包括电容器和电感器）的进步。这样的发展可能导致该技术在全电池电动系统中得到广泛采用，从而有助于将电池组的 400 或 800 V 输出转换为 48 V 以分配到整个车辆。
CS25N50F A9R-G 硅 N 沟道功率 MOSFET
散热器。3.VDMOSFET 是对静电敏感的器件，使用时必须保护器件免受静电损坏。4.本出版物由华晶微电子制作，如有定期更改，恕不另行通知。
40V 1.3mΩ N 沟道功率 MOSFET
暗淡。毫米最小值姓名。最大限度。 A 0.90 1.00 1.10 b 0.31 0.41 0.51 c 0.20 0.25 0.30 D 5.00 5.20 5.40 D1 4.95 5.05 5.15 D2 4.00 4.10 4.20 E2 5.5 5.5 E .60 5.70 E2 3.42 3.53 3.63 e 1.27BSC H 0.60 0.70 0.80 L 0.50 0.70 0.80 K 1.23 REF
MOSFET 晶体管特性
图片 在 Postlab 报告文档中粘贴图片（例如草稿、草稿、截图、照片等）（仅接受 .docx、.doc 或 .pdf 格式）。如果图片尺寸过大，请先将其转换为 jpg/jpeg 格式，然后将其粘贴到文档中。
100V、400A、1.4mΩ N 沟道功率 SGT MOSFET
本文档中提供的信息被认为是准确和可靠的。但是，江苏杰杰微电子有限公司对未考虑此类信息或超出此类信息范围使用所造成的后果不承担任何责任。本文档中提到的信息如有更改，恕不另行通知，除非签署协议，否则江苏杰杰将遵守协议。本文档中提供的产品和信息不侵犯专利。江苏杰杰对因使用此类产品和信息而可能侵犯第三方其他权利的行为不承担任何责任。
40V、297A、1.2mΩ N 沟道功率 SGT MOSFET
本文档中提供的信息被认为是准确和可靠的。但是，江苏杰杰微电子有限公司对未考虑此类信息或超出此类信息范围使用所造成的后果不承担任何责任。本文档中提到的信息如有更改，恕不另行通知，除非签署协议，否则江苏杰杰将遵守协议。本文档中提供的产品和信息不侵犯专利。江苏杰杰对因使用此类产品和信息而可能侵犯第三方其他权利的行为不承担任何责任。
UCC5880-Q1 隔离式 20A 可调节栅极驱动 IGBT/SiC MOSFET 栅极驱动器，具有高级保护功能，适用于汽车应用数据表 (Rev. A)
• 具有实时可变驱动强度的双输出驱动器 – ±15A 和 ±5A 驱动电流输出 – 数字输入引脚 (GD*)，用于在没有 SPI 的情况下调整驱动强度 – 3 个电阻设置 R1、R2 或 R1||R2 – 集成 4A 有源米勒钳位或可选外部驱动器用于米勒钳位晶体管 • 初级侧和次级侧有源短路 (ASC) 支持 • 内部和外部电源的欠压和过压保护 • 驱动器芯片温度感应和过温保护 • 短路保护： – 对 DESAT 事件的响应时间为 110ns – DESAT 保护 – 最高 14V 的选择 – 基于分流电阻的短路 (SC) 和过流 (OC) 保护 – 可配置的保护阈值和消隐时间 – 可编程软关断 (STO) 和两级软关断 (2STO) 电流 • 集成 10 位 ADC – 能够测量电源开关温度、DC Link 电压、驱动器芯片温度、DESAT 引脚电压、VCC2 电压 –可编程数字比较器 • 高级 VCE/VDS 钳位电路 • 符合功能安全标准 – 专为功能安全应用而开发 – 提供文档以帮助符合 ASIL D 标准的 ISO 26262 系统设计 • 集成诊断： – 保护比较器的内置自检 (BIST) – 用于功率器件健康监测的栅极阈值电压测量 – INP 至晶体管栅极路径完整性 – 内部时钟监控 – 故障报警和警告输出 (nFLT*) – ISO 通信数据完整性检查 • 基于 SPI 的器件重新配置、验证、监控和诊断 • 150V/ns CMTI • 符合 AEC-Q100 标准，结果如下： – 器件温度等级 1：-40°C 至 +125°C 环境工作温度