XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search SystemMOSFET
40V、79A、3.1mΩ N 沟道功率沟槽 MOSFET
本文档中提供的信息被认为是准确和可靠的。但是，江苏杰杰微电子有限公司对未考虑此类信息或超出此类信息范围使用所造成的后果不承担任何责任。本文档中提到的信息如有更改，恕不另行通知，除非签署协议，否则江苏杰杰将遵守协议。本文档中提供的产品和信息不侵犯专利。江苏杰杰对因使用此类产品和信息而可能侵犯第三方其他权利的行为不承担任何责任。
120V、300A、2.1mΩ N 沟道功率 SGT MOSFET
本文档中提供的信息被认为是准确和可靠的。但是，江苏杰杰微电子有限公司对未考虑此类信息或超出此类信息范围使用所造成的后果不承担任何责任。本文档中提到的信息如有更改，恕不另行通知，除非签署协议，否则江苏杰杰将遵守协议。本文档中提供的产品和信息不侵犯专利。江苏杰杰对因使用此类产品和信息而可能侵犯第三方其他权利的行为不承担任何责任。
使用SIC MOSFET
碳化硅（SIC）设备以其提供高压，高电流和高温组件的能力而闻名，这使它们成为创建更节能系统的理想选择，例如电动汽车中使用的系统。这些设备可以承受高功率密度并在高温下运行，这对于创建具有最大行驶范围的电动汽车至关重要。通过在电动汽车系统中使用碳化硅设备，制造商可以创建更高效，更持久，更可靠的车辆。在电池系统中使用碳化硅会导致大量节省，因为随着时间的流逝，能量回收的损失较小。此外，它允许更高的频率和密度和更好的热管理。这些好处可能会对整体系统效率和有效性产生积极影响。硅碳化物在该行业中的小时水平和可靠性最高，使其成为电力转换的绝佳材料。
30V、-97A、7.3mΩ P 沟道功率沟槽 MOSFET
本文档中提供的信息被认为是准确和可靠的。但是，江苏杰杰微电子有限公司对未考虑此类信息或超出此类信息范围使用所造成的后果不承担任何责任。本文档中提到的信息如有更改，恕不另行通知，除非签署协议，否则江苏杰杰将遵守协议。本文档中提供的产品和信息不侵犯专利。江苏杰杰对因使用此类产品和信息而可能侵犯第三方其他权利的行为不承担任何责任。
CoolSiC™ MOSFET 栅极驱动电压窗口指南
3.1 1200 V 器件准则 ...................................................................................................................................... 7
80V、164A、3.3mΩ N 沟道功率 SGT MOSFET
本文档中提供的信息被认为是准确和可靠的。但是，江苏杰杰微电子有限公司对未考虑此类信息或超出此类信息范围使用所造成的后果不承担任何责任。本文档中提到的信息如有更改，恕不另行通知，除非签署协议，否则江苏杰杰将遵守协议。本文档中提供的产品和信息不侵犯专利。江苏杰杰对因使用此类产品和信息而可能侵犯第三方其他权利的行为不承担任何责任。
30V，-45A，9.3mΩ P 沟道功率沟槽 MOSFET
本文档中提供的信息被认为是准确和可靠的。但是，江苏杰杰微电子有限公司对未考虑此类信息或超出此类信息范围使用所造成的后果不承担任何责任。本文档中提到的信息如有更改，恕不另行通知，除非签署协议，否则江苏杰杰将遵守协议。本文档中提供的产品和信息不侵犯专利。江苏杰杰对因使用此类产品和信息而可能侵犯第三方其他权利的行为不承担任何责任。
戒烟对糖尿病的影响 - ...
摘要：本文研究了SIC MOSFETS身体二极管反向恢复的行为，这是不同工作条件的函数。对其效果的了解对于基于SIC设备的正确设计和驱动电源转换器至关重要，以优化旨在提高效率的MOSFET通勤。的确，反向恢复是切换瞬态的一部分，但由于其对恢复能量和电荷的影响，它具有重要作用。已正确选择了不同操作条件的集合，以防止或强迫测试设备的快速恢复。实验结果和特定的软件模拟揭示了文献中未知的现象。更具体地说，对反向恢复电荷Q RR的分析显示，在高温下，两种意外现象：随着栅极电压的增加，它会降低；设备阈值越高，Q RR越高。TCAD-SILVACO（ATLASv。5.29.0.c）模拟表明，这是由于换向过程中输出电容电压变化而导致漂移区域流动的位移电流引起的。从对快速恢复的分析中，它已经出现了最小的正向电流斜率，即使在高电流水平上，反向恢复也不是活跃的。达到此电流斜率后，Q RR仅随正流电流而变化。
Alpha和Omega半导体引入了用于DC-DC应用的创新，节省空间的半桥MOSFET
By reducing the footprint size to enable a more efficient high-power design, the AONG36322 XSPairFET™ provides a leading solution for space-constrained DC-DC Buck applications SUNNYVALE, Calif., May 23, 2024 – Alpha and Omega Semiconductor Limited (AOS) (Nasdaq: AOSL), a designer, developer, and global supplier of a broad range of discrete power设备，宽带电源设备，电源管理IC和模块今天推出了其AONG36322 XSPAIRFET，设计用于空间约束的DC-DC应用程序。新的AONG36322在半桥配置中具有两个30V MOSFET，高侧和低侧MOSFET在不对称的DFN3.5x5 Xspairfet软件包中。这种创新的设计允许AONG36322用大约60％的节省空间的解决方案替换现有的DFN5X6非对称半桥MOSFET，从而降低了PCB足迹，从而进一步简化了DC-DC架构，从而导致了更有效的设计。这些好处使AONG36322在更紧凑的应用程序（例如负载（POL）计算，USB Hubs和Power Banks）中新一代较小的DC-DC雄鹿转换器的理想选择。