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SiC MOSFET 在特定低栅源电压偏置下具有重复短路能力，可实现更强劲的极端操作
摘要 — 本文介绍了商用碳化硅 (SiC) MOSFET 器件在高漏源电压下重复性短路应力下的短路 (SC) 性能。研究了两种方案来评估栅源电压 (V GS ) 去极化和短路持续时间 (T SC ) 减少的影响。V GS 去极化可降低功率密度，并允许在增加短路持续时间 T SCmax 的情况下保持安全故障模式 (FTO：开路故障)。结果表明，SiC MOSFET V GS 去极化不会降低 T SCmax 下的短路循环能力。但是，使用 V GS 去极化可以使性能接近 IGBT 稳健性水平，在 T SC =10 µ s 下循环近 1000 次。短路测试期间芯片温度变化的模拟表明，性能下降仍然归因于短路循环期间结温 (TJ ) 的升高，这导致顶部 Al 融合，从而导致厚氧化物中出现裂纹。
采用 MOSFET IRF 2805 的可变电源
本文讨论了使用 MOSFET 作为电流放大器的可变电源项目的开发。该项目旨在设计和构建一个可提供可调输出电压的电源，利用 MOSFET 来提高效率和性能。通过使用 MOSFET，该系统能够以最小的功率损耗传输大电流，使其成为各种电子应用的理想选择，包括设备测试和电机控制。本研究进行的模拟是通过创建电源设计并提供电位器开启度为 0%、20%、40%、60% 和 80% 的电压。电压表和万用表上显示的结果将显示 MOSFET 作为电流放大器与双极晶体管 (BJT) 相比的效率。
高压 MOSFET 产品营销经理 (f/m/div)
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SiC MOSFET 模块（半桥）
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60V、294A、1.1mΩ N 沟道功率 SGT MOSFET
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CS6N80 A4R-G硅N通道功率MOSFET
散热器。3。VDMOSFET是对静电敏感的设备，必须保护设备在使用时免受静电损坏。4。该出版物是通过瓦伊杰（Huajing）的微电子制剂而定期进行更改而毫无通知而进行的。
30V、-39A、13.7mΩ P 沟道功率沟槽 MOSFET
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在Renesas组供应链中确定的冶炼厂和炼油厂清单
新的48V技术已在电动机系统中标准化，以减少电动汽车的排放（EV）。它取代了传统的12V系统，用于提供额外的高压电池以满足增加的功率要求。除了电动机和电池组动力总成外，48V系统还具有其他直接操作（例如供暖和空调应用）的优势。这项技术增加了功能能力，可用于较重的负载，例如启动时空调和催化转换器。因此，这刺激了适合48V配置的本地DC-DC转换器和被动组件（包括电容器和电感器）的进步。这样的发展可能导致该技术在完全电池电力系统中广泛采用，从而促进了电池组的400或800 V输出到48 V的转换，以在整个车辆中分发。
MOSFET REXFET-1中压产品技术开发
新的 48V 技术已在电动机系统中标准化，以减少电动汽车 (EV) 的排放。它取代了传统的 12V 系统，提供额外的高电压电池来满足增加的功率需求。除了动力系统的电动机和电池组外，48V 系统还具有其他直接操作的优势，例如加热和空调应用。该技术提高了功率能力，可用于启动时更重的负载，例如空调和催化转化器。这进而推动了适合 48V 配置的本地 DC-DC 转换器和无源元件（包括电容器和电感器）的进步。这样的发展可能导致该技术在全电池电动系统中得到广泛采用，从而有助于将电池组的 400 或 800 V 输出转换为 48 V 以分配到整个车辆。