XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search System切换时间
在Stt -Mram中建模热效应-IUE
我们采用随机Landau – lifschitz – Gilbert（SLLG）方程来探索对自旋转移扭矩磁磁磁性随机访问记忆（STT-MRAM）中切换的热效应。开关时间的分布取决于有限元方法（FEM）实现中用于离散化的网格，我们在热场计算中引入了有效的温度缩放，以减少对元素大小的切换时间分布依赖性。此外，我们在不同温度下研究了STT-MRAM的开关统计数据，并表明切换时间分布的平均值较低，但在较高的工作温度下，切换时间较长。结果，在升高温度下，具有固定电压脉冲持续时间的STT-MRAM切换变得更容易出错。
nvidia mlnx-os发行说明v3.12.2200 lts
这是开关软件的发行说明。该软件是一种综合的管理软件解决方案，可为Nvidia Switch家族的集群计算，企业数据中心和云计算提供最佳性能。面料管理功能可确保最高的织物性能，而底盘管理可确保最长的切换时间。
GaN功率器件及应用可靠性
• 每个设备都有需要理解和设计的故障机制 • 高电场导致时间相关击穿 (TDB) • 高电场和热载流子导致电荷捕获 • 切换会导致反向恢复、高压摆率和热载流子磨损带来的应力 • 已知的 GaN 故障模式是切换时间尺度上的 Rds-on 增加。这种动态 Rds-on 增加是由于电荷捕获造成的。 • 可靠性工程包括使 FET 能够可靠地承受应用中的应力
前瞻性生命周期评估研究
技术成熟度 (TRL) 中试规模 (TRL 6-7) 概念性 (TRL 1- 2) 实验室规模 (TRL 4) 工作电压 [V] 1.5 3.8 3.8 1.5 光学对比度 (ΔE * ) 17.3 17.5 10.6 切换时间 [秒] 2 最小循环次数 20* 封装 (第 2 层) UV 光聚合物 对电极 (第 2 层) N/A Ag N/AN/A Ag N/A 对电极 (第 1 层) C ITO 电致变色材料 (第 2 层) N/A PEDOT:PSS
顶部接触有机电化学晶体管-NSF-PAR
有机电化学晶体管（OECTS）将离子转换为电信号，这使它们成为广泛的生物电子应用的有前途的候选人。，尽管他们承诺，但仍未完全了解其设备几何形状对性能的影响。在此，将两个不同的设备几何形状（顶部接触和底部接触OECT）根据其接触性，可重复性和开关速度进行比较。表明，底部接触设备的切换时间更快，而其顶部接触式对应器在略有降低的接触抗性和增加的可重复性方面表现出色。讨论了速度和可重复性之间这种权衡的起源，该速度和可重复性之间的权衡为特定应用程序提供了优化指南。
利用先进量子计算实现量子控制：一个视角
摘要：我们提出将数字量子模拟与变分量子算法相结合，作为解决量子控制问题的数值方法的替代方法。作为一种混合量子-经典框架，它利用了数字量子模拟的先前成就，与经典算法相比，它提供了对量子动力学的有效模拟。我们根据前期工作分析了此类算法的可训练性和性能。我们表明，特定的量子控制问题，例如，寻找 bang-bang 控制的切换时间或数字量子退火计划，已经可以在嘈杂的中尺度量子时代进行研究。我们预见到，如果实验实施的硬件发展到下一个水平，这些算法将对高精度量子控制做出更大的贡献。
在低温温度下的半导体设备和其他电源电源库的审查
摘要随着对高功率密度的需求不断增长，并且为了满足极端的工作条件，研究集中在涉及低温温度下电力电子设备的性能上。本文的目的是审查功率半导体设备，被动组件，栅极驱动器，传感器，最终在低温温度下的电力电子转换器的性能。通过比较半导体材料的物理特性和商业功率半导体设备的电性能，碳化硅开关由于在低温温度下的抗性和切换时间增加而显示出明显的缺点。相反，当温度降低时，硅和氮化壳设备的性能提高了。功率半导体设备的性能上限可能会受到门驱动器的影响，与室温相比，商业替代方案在低温温度下表现出恶化的性能。此外，在低温环境中的电压和当前意义的选项是合理的。基于上述各种组件的低温性能，本文以概述了已发表的转换器的概述，这些转换器在低温环境中进行了部分或全面测试。
光门传感静电场效应热晶体管
摘要：固体中热传输的动态调整在科学上吸引了电子设备中热传输控制的广泛应用。在这项工作中，我们演示了一个热晶体管，该设备可以使用外部控制来调节热流，该设备通过拓扑表面状态在拓扑绝缘体（TI）中实现。通过使用沉积在Ti膜上的薄电介质层的光控来实现热传输的调整。使用微拉曼温度法测量栅极依赖性导热率。在室温下，晶体管的开/关比为2.8，可以通过光门传感进行连续，重复地以数十秒钟的速度切换，并且通过电控速度更快。这样的热晶体管具有较大的开/关比和快速切换时间，为未来电子系统中的主动热管理和控制提供了智能热设备的可能性。关键字：热晶体管，热开关，静电门，拓扑绝缘子