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我们采用随机Landau – lifschitz – Gilbert（SLLG）方程来探索对自旋转移扭矩磁磁磁性随机访问记忆（STT-MRAM）中切换的热效应。开关时间的分布取决于有限元方法（FEM）实现中用于离散化的网格，我们在热场计算中引入了有效的温度缩放，以减少对元素大小的切换时间分布依赖性。此外，我们在不同温度下研究了STT-MRAM的开关统计数据，并表明切换时间分布的平均值较低，但在较高的工作温度下，切换时间较长。结果，在升高温度下，具有固定电压脉冲持续时间的STT-MRAM切换变得更容易出错。
在Stt -Mram中建模热效应-IUE
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