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外部磁场对 STT-MRAM 的影响
根据常见的外部磁场强度，我们在下面显示，一旦芯片安装在印刷电路板 (PCB) 上或插入其工作环境中，STT-MRAM 的磁抗扰度足以满足大多数用途。这一说法得到了 60 年使用磁性硬盘驱动器 (HDD) 的经验支持，其中包括 20 年使用包含磁隧道结的读取器的 HDD、20 多年在汽车行业中用作位置编码器的磁场传感器以及 15 多年使用 MRAM。主要是在处理芯片期间需要小心谨慎，以避免将芯片暴露在过高的磁场中。MRAM 将数据位存储在磁隧道结 (MTJ) 中。它们由两个由氧化物隧道屏障隔开的磁性层组成。其中一个磁性层称为自由层（或存储层），具有可切换的磁化，
基于 CMOS/STT-MRAM 的 Ascon LWC
摘要 — 物联网 (IoT) 对象的使用日益增多，因此有必要开发低功耗安全电路。轻量级加密 (LWC) 算法用于在有限的功耗下保护这些连接对象的通信。能量收集技术可以提供物联网对象所需的电力。但是，它可能遭受突然断电，导致系统微控制器停止运行。为了使加密原语能够从意外断电中快速恢复，我们提出了一种基于 CMOS/MRAM 的 A SCON 密码硬件实现，该密码是美国国家标准与技术研究所 (NIST) LWC 竞赛的决赛入围者。我们专注于从 MTJ 电气模型开始的 ASIC 设计流程，而无需重新开发现有的 EDA 工具。作为研究案例，A SCON 计算的中间状态可以存储在非易失性存储器中，并在断电后启动时恢复，从而节省重新计算算法第一步的能源成本。此实现可节省 11% 至 48% 的能源，面积开销为 5.5%。索引术语 —A SCON、LWC、STT-MRAM、MTJ、非挥发性
基于单个晶体管的高密度 SOT-MRAM 存储器阵列
Rana Alhalabi 1、Etienne Nowak 1、Ioan-lucian Prejbeanu 2 和 Gregory Di Pendina 2 1 CEA LETI，Minatec campus，17 Rue des martyrs，38054 Grenoble，法国 2 Univ. Grenoble Alpes，CEA，CNRS，Grenoble INP*，INAC，SPINTEC，F-38000 Grenoble，法国 摘要 — 自旋轨道扭矩磁性 RAM (SOT-MRAM) 方法代表了一种通过分离读取和写入路径来克服自旋转移扭矩 (STT) 存储器限制的新方法。由于每个位单元有两个晶体管，因此它对于不需要非常高密度的高速应用尤其有用。本文介绍了一种基于单个晶体管和单向二极管的高密度 SOT-MRAM 存储器阵列。这种方法有三个优点。 32kb 存储器阵列的晶体管数量减少了 45%，与传统 SOT 位单元相比，单元密度提高了 20%。此外，读取操作所需的控制更少，最终可实现高耐久性、高速度和高密度。关键挑战在于在感测裕度和读取能量之间进行调整。
超快速、高可靠性的 SOT-MRAM
摘要 — 本文讨论了一种新的 MRAM 技术，其写入方案依赖于自旋轨道力矩 (SOT)。与自旋转移力矩 (STT) MRAM 相比，它提供了非常快速的切换、准无限的耐久性，并通过解决“读取干扰”问题提高了可靠性，这要归功于独立的读写路径。这些特性允许在系统内存层次结构的所有级别引入 SOT，并解决 STT-MRAM 无法轻松实现的应用程序。我们介绍了这项新兴技术和完整的设计框架，允许在任何抽象级别（从设备到系统）设计和模拟混合 CMOS/SOT 复杂电路。获得的结果非常有希望，表明该技术可以降低电路的功耗，而不会明显影响性能。
磁性随机存取存储器 (MRAM) 超越信息存储
摘要 磁性随机存取存储器 (MRAM) 现在可作为嵌入式存储器从主要的 CMOS 代工厂获得。在这项研究中，我们证明了与传统 STT-MRAM 中使用的磁性隧道结相比，略微改进的磁性隧道结可用于多种用途，即磁场传感和射频振荡器。为此，垂直各向异性磁性堆栈中的 FeCoB 存储层厚度调整为 1.3-1.4 纳米，更接近从垂直到平面内各向异性的过渡区域。可以使用两种使用相同堆栈的磁场传感配置，在小场范围内实现高灵敏度或在大场范围内实现较低的灵敏度。此外，还展示了射频振荡器 GHz 检测和生成。可以设想这种多功能堆栈的进一步应用，包括非易失性和可重新编程逻辑、特殊功能（如随机数生成器和忆阻器）。
电子病历采用模型（EMRAM）
定义：电子病历采用模型（EMRAM） - 是一个八阶段模型，从零阶段（最不成熟）到七个（最成熟）。在每个阶段，组织都需要展示纸张的进步和最终删除，更高的使用和合规统计数据以及对自动化和临床决策支持的越来越依赖。基础设施采用模型（INFRAM） - 八个阶段的INFRAM衡量医疗机构在五个领域的IT基础设施的成熟度：移动性，安全性，协作，协作，运输和数据中心。
SOT -MRAM动力学的微磁建模-IUE
我们提出了一种灵活，有效的方法，可以通过在三维框架中耦合电荷，自旋和磁化动力学来建模现代SOT-MRAM细胞中的磁化动力学。我们扩展了现有文献，以获得为Rashba-Edelstein效应建模的旋转电流边界条件。我们计算起源于自旋大厅和Rashba-Edelstein效应的自旋 - 轨道扭矩，并表明我们的模型可以重现IR/COFEB双层结构中自旋扭矩的厚度依赖性的实验结果。此外，我们通过模拟无野外SOT-MRAM细胞中的磁化逆转来验证我们的方法，并表明，随着界面dzyaloshinskii – Moriya相互作用，我们获得了与先前报道的实验结果相似的域壁运动。
写的作品：
•自动采样和种植系统：Diluflow Pro扩张器，智能稀释剂W，Diluwel和dilumat，均匀的Bagmixer SW，脉冲液，胶状器和Smasher，用于连续稀释稀释稀释稀释稀释稀释液和连续稀释剂的系统；螺旋播，易生螺旋稀释和涡流2W•快速计数方法：体外和易发盘（经过认证的参考微生物）； Petrifilm（斑块和高级阅读器），干platos，紧凑型干燥（板和读取器）；快速YM琼脂，Quanti-P/A Clostcult； Colilert-18，Enterolert-DW，Pseudalert和Quanti-Tray； milliflex量子；简单；扫描1200，球体和Quantica 500殖民地。
