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加速MRAM进行战略应用

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•切换比PMTJ大16-20x•toggle-MRAM使用简单的蚀刻过程•限制为130nm+ CMOS节点•标线限制为16MB

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加速MRAM进行战略应用

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蚀刻 16MB PMTJ 20x 过程 16 标线简单的节点使用限制 toggle MRAM 130nm CMOS

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