机构名称：
¥ 1.0
(1) 器件在暴露于任何指定的辐射环境时都不会闩锁。 (2) 使用 CREME96 计算，应用了威布尔参数和其他相关属性。 辐射特性 总电离剂量辐射 MRAM 辐射硬度保证 TID 水平通过 60 Co 测试（包括过量和加速退火）认证，符合 MIL-STD-883 方法 1019 标准。制造过程中的晶圆级 X 射线测试提供持续保证。 单粒子软错误率 MRAM 中包含特殊工艺、存储器单元、电路和布局设计考虑因素，以最大限度地减少重离子和质子辐射的影响并实现较小的预计 SER。可根据要求提供威布尔参数和其他相关属性，以计算其他轨道和环境的预计翻转率性能。 瞬态剂量率电离辐射 产品设计的许多方面都经过了处理，以处理与瞬态剂量率事件相关的高能级。这使得 MRAM 能够在暴露于瞬态剂量率期间和之后写入、读取和保留存储的数据
HXNV06400 64Mb 非易失性 MRAM
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