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从那时起，SONOS 就以低得多的成本成为嵌入式闪存的有力替代品。SONOS 自 1980 年代以来就被称为 NVM 技术。然而，在早期，由于编程电压较高且高温下数据保留竞争力较弱，它在与浮栅技术的竞争中并不十分成功。英飞凌通过 SONOS 非易失性存储器堆栈中的电荷陷阱工程解决了这些障碍，并在高达 125°C（环境温度）的温度下实现了 10 年的保留时间，并且具有稳健的裕度。如今，英飞凌 SONOS 技术不仅用于英飞凌的许多产品，还用于许多其他公司（通过技术许可）。这些产品包括智能卡、独立 NOR 闪存、FPGA 和微控制器。SONOS 还具有很强的抗辐射能力，使其成为抗辐射产品的理想选择。最近，SONOS 开辟了一个令人兴奋的新应用：用于人工智能 (AI) 边缘应用中的神经形态计算的模拟 NVM。英飞凌正致力于优化 SONOS 技术的运行，以应对这一激动人心的领域。
英飞凌SONOS非易失性存储器技术
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