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镍基超导体中电荷序的实验研究进展 - 物理学报
图1。ndnio 2中的电荷顺序[24]：（a）从钙钛矿Ndnio 3（灰色）到Infinite-Layer ndnio 2（红色）的还原途径的示意图，具有各种中间状态（蓝色）； （b） - （d）样品J的茎结果，可以在面板（d）中区分根尖氧空位，从而导致Q//≈（1/3，0）在傅立叶变换图像（b）中的超晶格峰； （e）在Q //≈（1/3，0）围绕Ni L 3边缘处的弹性RXS测量，实体和虚线分别是具有σ和π偏振入射X射线的数据； （f）在ND M 5边的RXS测量； （g），（h）带有样品C和D的固定波形的RXS信号的能量依赖性，阴影区域表示标称电荷顺序贡献。黑色和红色箭头突出显示了Ni 3D-RE 5D杂交峰和Ni L 3主共振，样品C的中间状态比样品D较大，从而导致超晶格峰更强。
宇宙射线 μ 子电荷比
在 NIPNE-HH 布哈拉斯特运行的 WILLI 电磁光谱仪装置已被改造，用于测量大气中 μ 子通量的电荷比。实验方法基于对负 μ 子在物质中停止时的有效寿命与正 μ 子的寿命相比的减少的观察。该方法给出了准确的结果，避免了磁谱仪的困难和系统误差，并且详细研究了技术程序，并通过开发紧凑而灵活的测量设备进行了演示。铝被用作最佳吸收材料，这是最大限度地缩短因核俘获而导致的寿命和通过延迟电子与停止 μ 子结合观察到的停止 μ 子率的折衷。本研究主要针对μ子的一个能量范围，为讨论所谓的大气中微子问题和研究大气中微子和反中微子通量提供了重要的信息。两个测量周期得到的结果是：
01。简介。电荷。静电力
请注意，电荷产物周围没有垂直条。如果两种电荷都是正或均为负的，则该产品为正，并且力是排斥的。⃗f 12的方向与ˆ r 12的方向相同。另一方面，一个电荷为正，另一个负数为负，则Q 1 Q 2为负，这使得力吸引人。⃗f 12的方向与R 12的方向相反。
固体中的电荷密度波
我们对凝结问题的理解正在迅速发展，目前，该领域获得的许多新见解在很大程度上定义了当代科学的面貌。此外，该领域的发现正在塑造现在和未来的技术。如此，很明显，未来发展的最重要结果和指示只能由合作的国际作家群体涵盖。“凝结物质科学中的现代问题”是一系列关于凝结物质科学的贡献和专着，该杂志是由Elsevier Science Pubishers的部门North-Holland Pharpisher出版的。在杰出的咨询编辑委员会的支持下，该系列选择了当前感兴趣的领域，这些领域已予以审查。苏联和西方学者都在为该系列做出贡献，因此，每个贡献的数量都有两个编辑。单图。完整系列将提供冷凝物质科学的最全面覆盖范围。本系列基础的另一个重要结果是，来自不同国家的学者之间一种相当有趣且富有成果的合作形式。我们深信，这种在科学与艺术领域以及其他对人类活动的社会有用领域的国际合作将有助于建立信心与和平的氛围。出版社“ Nauka”出版了俄罗斯语言的卷。以这种方式确保了最广泛的读者群。
rhenium浓度对电荷掺杂和
图2。在QFEG上重新掺杂的MOS 2中的8％重掺杂的MOS 2中的rhenium簇和条纹形成：多层重掺杂MOS 2岛的恒定电流STM概述图像。红色和橙色虚线分别表示岛边缘和隔离边界。（b）MOS 2岛的结构模型以快速（稀释浓度）和缓慢（密集的浓度）生长方面表示。（c，d）（a）中插图中显示的岛单层不同区域中的恒定电流STM地形。从浓度和分布的突然变化中鉴定出隔离边界。e）中性（REMO 0）的STM地形和单层Re-MOS 2中的带正电（REMO +）RE原子。（f）STM地形突出了中性（蓝色圆圈）和带正电荷（洋红色圆圈）的分布，以及单层Re-Mos 2膜中的硫位于硫磺位点缺陷（橙色圆圈）。
电池电荷调节器（BCR）
印度太空研究组织（ISRO）的 U R RAO卫星中心（URSC）开发了电池充电调节器（BCR）用于电池充电和总线调节。 电池电荷调节器（BCR）的设计具有恒定的电流恒定电压（CC-CV）和总线优先环，以适应LEO和GEO卫星。 BCR的主要功能是，它具有优先级的机制，优先考虑到太阳阵列中有发电量的电池时的电池充电。U R RAO卫星中心（URSC）开发了电池充电调节器（BCR）用于电池充电和总线调节。电池电荷调节器（BCR）的设计具有恒定的电流恒定电压（CC-CV）和总线优先环，以适应LEO和GEO卫星。BCR的主要功能是，它具有优先级的机制，优先考虑到太阳阵列中有发电量的电池时的电池充电。
表面的电荷注入和能量转移...
摘要：表面钝化是防止表面氧化和改善纳米晶体量子点 (QD) 发射性能的关键方面。最近的研究表明，表面配体在确定基于 QD 的发光二极管 (QD-LED) 的性能方面起着关键作用。本文研究了 InP/ZnSe/ZnS QD 的封端配体影响 QD-LED 亮度和寿命的潜在机制。电化学结果表明，高发光 InP/ZnSe/ZnS QD 表现出取决于表面配体链长度的调制电荷注入：配体上的短烷基链有利于电荷向 QD 传输。此外，光谱和 XRD 分析之间的相关性表明，配体链的长度可调节配体-配体耦合强度，从而控制 QD 间能量传递动力学。本研究的结果为表面配体在 InP/ZnSe/ZnS QD-LED 应用中的关键作用提供了新的见解。