Loading...
机构名称:
¥ 1.0

摘要:表面钝化是防止表面氧化和改善纳米晶体量子点 (QD) 发射性能的关键方面。最近的研究表明,表面配体在确定基于 QD 的发光二极管 (QD-LED) 的性能方面起着关键作用。本文研究了 InP/ZnSe/ZnS QD 的封端配体影响 QD-LED 亮度和寿命的潜在机制。电化学结果表明,高发光 InP/ZnSe/ZnS QD 表现出取决于表面配体链长度的调制电荷注入:配体上的短烷基链有利于电荷向 QD 传输。此外,光谱和 XRD 分析之间的相关性表明,配体链的长度可调节配体-配体耦合强度,从而控制 QD 间能量传递动力学。本研究的结果为表面配体在 InP/ZnSe/ZnS QD-LED 应用中的关键作用提供了新的见解。

表面的电荷注入和能量转移...

表面的电荷注入和能量转移...PDF文件第1页

表面的电荷注入和能量转移...PDF文件第2页

表面的电荷注入和能量转移...PDF文件第3页

表面的电荷注入和能量转移...PDF文件第4页

表面的电荷注入和能量转移...PDF文件第5页

相关文件推荐

2025 年
¥1.0
2023 年
¥8.0
2024 年

...

¥1.0
2024 年
¥2.0
2023 年

...

¥1.0
2015 年

...

¥1.0
2025 年

...

¥1.0
2023 年
¥9.0
2023 年

...

¥1.0
2023 年

...

¥1.0
2022 年
¥1.0
2024 年
¥1.0
2025 年

...

¥1.0
2023 年

...

¥1.0
2020 年
¥1.0
2022 年
¥2.0
2023 年
¥1.0
2023 年
¥1.0
2025 年
¥1.0
1900 年
¥5.0