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Au(111) 表面WS2 成核控制的理论研究*
二维二硫键（WS 2）作为具有独特层依赖性电子和光电特性的半导体材料，在光电设备领域表现出了有希望的应用前景。晶圆尺度单层WS 2膜的制造目前是一个至关重要的挑战，可以推动其在高级晶体管和集成电路中的应用。化学蒸气沉积（CVD）是一种可行的技术，用于制造大面积，高质量的单层WS 2膜，但其生长过程的复杂性导致低生长效率和WS 2的薄膜质量不一致。为了指导实验性努力以减少WS 2中的晶界，从而提高了膜质量以提高电子性能和机械稳定性，本研究通过第一原则理论计算研究了CVD增长过程中WS 2的成核机制。通过将化学势视为关键变量，我们在不同的实验条件下分析了WS 2的生长能曲线。我们的发现表明，调节钨和硫的前体的温度或压力可以决定性地影响WS 2的成核速率。值得注意的是，成核速率在1250 K的钨源温度下达到峰值，而硫源温度的升高或压力降低可以抑制成核速率，从而增强单层WS 2的结晶度和均匀性。这些见解不仅为根据需要在实验中微调核定率提供了强大的理论基础，而且还提供了优化实验参数以完善单层WS 2膜的结晶度和均匀性的战略指导。这些进步有望在一系列高性能电子设备中加速WS 2材料的部署，这标志着材料科学和工业应用领域的显着迈步。
ZnCo2O4表面刻蚀光催化剂的制备及其CO₂还原性能研究
出色的光吸收特性，中等带结构和良好的光电化学特性。然而，传统的Znco₂O₄在光催化co₂还原中的性能受到诸如低光催化活性和选择性不佳的因素的限制。因此，修改Znco₂o₄以增强其光催化性能已成为当前研究的重点。双金属氧化物材料通过结构合适的界面来扩大光催化剂的分离和运输，可广泛用于改善光催化剂的性能。通过探索Znco₂o₄的接口构建，可以优化其光吸收性能，从而改善Znco₂o₄的可见光利用；可以提高光生电子孔对的分离效率，从而降低电子孔重组。并且可以改善CO₂的吸附和激活。
POLARFIN® PP60 是一种已经涂布了表面促进剂涂层的 ...
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POLARFIN® DP51粘附促进剂---用于在聚丙烯表面创建 ...
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表面电极离子阱中五线阱的输运研究
物理系统，离子作为量子比特载体在子系统之间传递量子信息，因此离子穿梭是在多个离子限制区域内或多个子系统之间实现量子比特扩展方案的必要控制手段，由此可见离子穿梭的重要性。因此，我们制定了一种计算离子穿梭过程中分段直流电极时变电压的方法。在方法的设计中，我们不从纯理论的角度研究离子穿梭，还考虑到电子学的实际约束，使实验方法更加简洁明了。实验结果表明，该方法可以使离子按照预期的路线穿梭，说明了该方法是可行的，产生的直流电极电压是可靠的。
基于聚醚胺(PEA)动态交联网络的多重响应性表面褶皱图案
图3暴露于紫外线的皱纹模式的产生/擦除的进化过程。（a – e）分别暴露于0、5、10、15和20分钟的平滑样品时，皱纹模式的生成过程的3D AFM图像。将这些样品加热至120°C。（365 nm UV的光强度约为3.5 mW/cm 2）。（f）暴露于254 nm UV光的皱纹图案的3D AFM图像持续5-7.5分钟（254 nm UV光强度约为3.5 mW/cm 2）。（g）波长（λ，黑线，左垂直轴）和皱纹的振幅（a，红线，右垂直轴）是UV光照射时间的函数。（H）An的二聚化过程的动力学。uv-vis光谱在豌豆/ABA膜中ABA之间的二聚化反应。混合溶液在石英板上旋转，并将样品暴露于365 nm的紫外线，分别为0、2、4、6、8、10、12、14、16分钟。样品被原位测量。
对高温超导薄膜的表面和保护性绝缘膜的研究
高表面特性。tc ba-y-cu-o和通过薄绝缘子过层钝化。Takashi Hirao，Kentaro Setsune和Kiyotaka W asa。中央重新建筑实验室，Matsushita Electric Industrial Co.，Ltd.，3-15，Yagumonakamachi，Moriguchi，Osaka，Osaka 570
从表面到表面 - 触摸表面转换以实现驾驶舱中的具体交互
在交互式触觉系统中，“表面”既是触摸的支持，也是图像的支持。虽然触摸表面的厚度、形状和硬度已逐渐发生改变，但其交互方式仍然像第一批设备一样，仅限于用手指以简单的手势接触屏幕，假装操纵显示的内容。触觉，即使对于集成到航空或汽车等关键系统中的触觉设备，仍然基本上作为视觉的延伸，用于指向和控制。虽然感知现象学、生态感知和有形与具身交互的理论都承认身体、运动技能和与环境的交互在感知现象中的重要性，但继续将视觉视为触觉交互的首要感觉似乎有些简单化。
表面和接口
官能化石墨烯的有前途的方法之一是将杂原子掺入碳SP2晶格中，因为事实证明，它是一种可控制地调整石墨烯化学的有效且通用的方法。我们提出了与B掺杂剂选择性掺杂石墨烯的独特无污染方法，在标准的CVD生长过程中，它们从大部分Ni（111）单晶体中创建的储层中掺入一层，从而导致清洁，多功能和有效的方法用于创建B-poped Chapeene。我们结合了实验性（STM，XPS）和Theo Retical（DFT，模拟的STM）研究，以了解替代性B DOP蚂蚁的结构和化学性质。与先前报道的FCC位点中的替代B一起，我们首次观察到另外两个缺陷，即在顶部位点中替代B，而在八面体地下位点中的间隙B。广泛的STM在遗迹中证实存在于经过准备的B掺杂的Gra Phene中B掺杂剂的低浓度区域的存在，表明硼龙掺入不均匀。在两个替代部位之间，在低浓度的B掺杂区域中没有观察到偏好，而在高B浓度区域中，优先选择了Sublattices之一，以及缺陷的对准。这将在生长的B掺杂石墨烯中产生不对称的sublattice掺杂，从理论上讲，这将导致显着的带隙。
