机构名称：
¥ 1.0
摘要 —当前，正在开发基于非化学计量电介质的新一代高速、信息密集型阻变存储器。非化学计量氧化硅SiO x 的电子结构由参数x 的值设定。研究发现，在氢等离子体电子回旋共振中处理热SiO 2 会导致氧化硅中富集过量的硅，从而导致SiO x 中出现电子和空穴陷阱。SiO x 的导电性是双极的：电子从负偏置硅注入，空穴从正偏置硅注入。阴极发光（CL）实验证实了SiO x 中的陷阱是由于过量的硅造成的假设。基于在电子回旋共振氢等离子体中制备非化学计量氧化物的开发程序，制备了p ++-Si（100）/SiO x /Ni忆阻器金属-电介质-半导体（MDS）结构。这种结构具有SiO x 电阻开关的特性，不需要成型操作。
通过...获得的非化学计量 SiOx 中的电荷传输
主要关键词
相关文件推荐
