机构名称：
¥ 2.0
图2。在QFEG上重新掺杂的MOS 2中的8％重掺杂的MOS 2中的rhenium簇和条纹形成：多层重掺杂MOS 2岛的恒定电流STM概述图像。红色和橙色虚线分别表示岛边缘和隔离边界。（b）MOS 2岛的结构模型以快速（稀释浓度）和缓慢（密集的浓度）生长方面表示。（c，d）（a）中插图中显示的岛单层不同区域中的恒定电流STM地形。从浓度和分布的突然变化中鉴定出隔离边界。e）中性（REMO 0）的STM地形和单层Re-MOS 2中的带正电（REMO +）RE原子。（f）STM地形突出了中性（蓝色圆圈）和带正电荷（洋红色圆圈）的分布，以及单层Re-Mos 2膜中的硫位于硫磺位点缺陷（橙色圆圈）。
rhenium浓度对电荷掺杂和
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