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摘要：二维共轭金属有机框架（2D C-MOF）由于其（半）的导电性能而吸引了对电子的兴趣日益增加。电荷 - 中立2D C-MOF也具有持久的有机自由基，可以看作是自旋浓缩阵列，为Spintronics提供了新的机会。然而，层堆积的2D C-MOF的相邻分子之间的强π相互作用歼灭了活跃的自旋中心，并显着加速了自旋松弛，严重限制了它们作为自旋量子的潜力。在此，我们通过控制层间堆叠来报告2D C -MOF中电荷传输和自旋动力学的精确调整。在共轭配体上引入了笨重的侧基，从而使2D C -MOFS层从锯齿状的堆叠到交错的堆叠量显着脱位，从而在空间上削弱了层间相互作用。因此，2D C -MOF的电导率降低了六个数量级，而旋转密度则增加了30倍以上，并且自旋晶格松弛时间（t 1）增加到〜60 µs，从而使旋转宽松的参考2D C -MOF变得越来越快地占据了旋转的良好。自旋动力学结果还表明，无旋转极化对或双极在这2D C -MOF的电荷传输中起关键作用。我们的策略提供了一种自下而上的方法，可以在2D C-MOF中扩增自旋动力学，从而为开发基于MOF的Spintronics开辟了途径。
可调节的电荷传输和两台...
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