anexe ....................................................................................................
摘要:共轭聚合物是多种下一代电子设备中使用的多功能电子材料。这种聚合物的效用在很大程度上取决于其电导率,这既取决于电荷载体(极性)的密度和载体迁移率。载流子的迁移率又受极性柜台和掺杂剂之间的分离而在很大程度上控制,因为柜台可以产生库仑陷阱。在先前的工作中,我们显示了基于十二烷(DDB)簇的大掺杂剂能够减少库仑结合,从而增加晶状体(3-己基噻吩-2,5-二苯基)的载流子迁移率(P3HT)。在这里,我们使用基于DDB的掺杂剂研究化学掺杂的降级(RRA)P3HT的极化子 - 反子分离的作用,这是高度无定形的。X射线散射表明,DDB掺杂剂尽管大小较大,但在掺杂过程中可以部分订购RRA P3HT,并产生与DDB掺杂的RR P3HT相似的掺杂聚合物晶体结构。交替场(AC)霍尔测量值还确认了类似的孔迁移率。我们还表明,大型DDB掺杂剂的使用成功降低了无定形聚合物区域的极性和柜台的库仑结合,从而在RRA P3HT膜上呈77%的掺杂效率。DDB掺杂剂能够生产具有4.92 s/cm电导率的RRA P3HT膜,该值比3,5,6-Tetrafluoro-7,7,7,8,8-8,8-四乙酸氨基甲烷(F 4 TCNQ)(F 4 TCNQ),传统的载量约为200倍。这些结果表明,在共轭聚合物的无定形和半晶体区域量身定制掺杂剂,是增加可实现的聚合物电导率的有效策略,尤其是在具有随机区域化学的低成本聚合物中。结果还强调了掺杂剂的大小和形状对于产生能够在较少有序的材料中电导的库仑未结合的移动极性的重要性。