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摘要：半导体二维 (2D) 材料由于其丰富的能带结构和在下一代电子器件中的良好潜力而引起了广泛的研究关注。在本文中，我们研究了具有双栅极 (DG) 结构的 MoS 2 场效应晶体管 (FET)，该结构由对称厚度的背栅极 (BG) 和顶栅极 (TG) 电介质组成。通过排除接触影响的四端电测量揭示了 DG-MoS 2 器件中厚度相关的电荷传输，并且还应用了 TCAD 模拟来解释实验数据。我们的结果表明，量子限制效应对 MoS 2 沟道中的电荷传输起着重要作用，因为它将电荷载流子限制在沟道的中心，与单栅极情况相比，这减少了散射并提高了迁移率。此外，温度相关的传输曲线表明，多层 MoS 2 DG-FET 处于声子限制的传输状态，而单层 MoS 2 表现出典型的库仑杂质限制状态。
MoS2 双电子系统中的电荷传输和量子限制...
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