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采用振动磨法将La 3+ 离子掺杂的Y 0.998 Pr 0.002 InGe 2 O 7 荧光粉原料混合,采用固相反应在空气中1200 ℃煅烧10 h。无论La 3+ 离子掺杂浓度如何,La 3+ 离子都不会改变晶体结构,但会改变荧光粉的激发和发射强度等发光性能。当La 3+ 离子掺杂含量为10 mol%时,荧光粉在深紫外光激发下的饱和发射强度有所提高。由于在Y 0.998 Pr 0.002 InGe 2 O 7 体系中引入半径较大的La 3+ 离子替代半径较小的Y 3+ 离子，压应变的增加导致氧空位浓度的降低，从而改变了Pr 3+ 离子4f–4f 跃迁的1 D 2 →3 H 4 和3 P 0 →3 H 4 辐射的发射强度。La 3+ 离子掺杂的Y 0.998 Pr 0.002 InGe 2 O 7 荧光粉的CIE色坐标略有偏移，但在不同的La 3+ 离子掺杂含量下均处于白光区域。这为改善白光LED用Y 0.998 Pr0.002 InGe 2 O 7 单相白光荧光粉的发光性能提供了一种智能方法。此外，1 D 2 → 3 H 4 和 3 P 0 → 3 H 4 辐射的各种发射强度比使荧光粉可应用于氧气传感器。
La3+离子掺杂浓度对晶体的影响...
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