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摘要：将移动载体掺杂到普通的半导体中，例如SI，GAAS和ZNO是电子和光电子旋转的有利步骤。The recent emergence of a class of “ quantum materials ” , where uniquely quantum interactions between the components produce speci fi c behaviors such as topological insulation, unusual magnetism, superconductivity, spin − orbit-induced and magnetically induced spin splitting, polaron formation, and transparency of electrical conductors, pointed attention to a range of doping-related phenomena associated with chemical classes that di ff er来自传统的半导体。这些包括宽间隙氧化物，包含开孔D电子的化合物以及由重元素制成但具有显着带隙的化合物。在过去二十年中，在半导体物理学子场中开发的掺杂的原子电子结构理论最近已扩展并应用于量子材料。本评论的重点是解释从凝结物质理论的角度对量子材料的兴奋剂现象学及其在量子材料中的特殊性的基本理解所需的主要概念，并希望能够向化学家锻造桥梁，从而使该模拟中一些最有趣的化合物的合成。
了解量子材料的掺杂
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