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摘要 — 本文讨论了一种新的 MRAM 技术，其写入方案依赖于自旋轨道力矩 (SOT)。与自旋转移力矩 (STT) MRAM 相比，它提供了非常快速的切换、准无限的耐久性，并通过解决“读取干扰”问题提高了可靠性，这要归功于独立的读写路径。这些特性允许在系统内存层次结构的所有级别引入 SOT，并解决 STT-MRAM 无法轻松实现的应用程序。我们介绍了这项新兴技术和完整的设计框架，允许在任何抽象级别（从设备到系统）设计和模拟混合 CMOS/SOT 复杂电路。获得的结果非常有希望，表明该技术可以降低电路的功耗，而不会明显影响性能。
超快速、高可靠性的 SOT-MRAM
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